[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710212979.2 | 申請日: | 2017-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN108336066A | 公開(公告)日: | 2018-07-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林柏均 | 申請(專利權(quán))人: | 南亞科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/552 | 分類號: | H01L23/552;H01L21/768 |
| 代理公司: | 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;章侃銥 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 插塞 金屬結(jié)構(gòu) 基板 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 延伸穿過 接地 信號源 配置 傳送 電源 隔離 對立 制造 | ||
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含一基板,具有一第一側(cè)與一第二側(cè),該第一側(cè)與該第二側(cè)對立;一第一插塞,延伸穿過該基板;一第二插塞,延伸穿過該基板;以及一金屬結(jié)構(gòu),位于該第一插塞與該第二插塞之間。該第一插塞通過該金屬結(jié)構(gòu)而與該第二插塞隔離,該第一插塞與該第二插塞經(jīng)配置以連接至一信號源或傳送一信號,以及該金屬結(jié)構(gòu)經(jīng)配置以連接至一電源或接地。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),特別關(guān)于在該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的一遮蔽結(jié)構(gòu)。再者,本公開涉及一種具有該遮蔽結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體元件對于許多現(xiàn)代應(yīng)用而言是重要的。隨著電子技術(shù)的進(jìn)展,半導(dǎo)體元件的尺寸越來越小,而功能越來越大且整合的電路量越來越多。由于半導(dǎo)體元件的尺度微小化,具有不同功能的各種形式與尺寸的半導(dǎo)體元經(jīng)整合且封裝于單一模塊中。再者,實施許多制造步驟以整合各種形式的半導(dǎo)體元件。
然而,半導(dǎo)體元件的制造與整合涉及多復(fù)雜的步驟與操作。整合具有小尺寸(profile)與高密度的半導(dǎo)體元件變得越來越復(fù)雜。制造與整合半導(dǎo)體元件的復(fù)雜度增加可能造成缺陷,例如電互連不良、信號干擾、組件脫層、或是高產(chǎn)量損失。據(jù)此,持續(xù)需要改良半導(dǎo)體元件的制造制程并且解決上述復(fù)雜性。
上文的「現(xiàn)有技術(shù)」說明僅是提供背景技術(shù),并未承認(rèn)上文的「現(xiàn)有技術(shù)」說明公開本公開的標(biāo)的,不構(gòu)成本公開的現(xiàn)有技術(shù),且上文的「現(xiàn)有技術(shù)」的任何說明均不應(yīng)作為本公開的任一部分。
發(fā)明內(nèi)容
本公開的實施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),包括一基板,含有一第一側(cè)以及與該第一側(cè)對立的一第二側(cè);一第一插塞,延伸穿過該基板;一第二插塞,延伸穿過該基板;以及一金屬結(jié)構(gòu),位于該第一插塞與該第二插塞之間,其中該第一插塞通過該金屬結(jié)構(gòu)而與該第二插塞隔離,該第一插塞與該第二插塞經(jīng)配置以連接至一信號源或傳送一信號,以及該金屬結(jié)構(gòu)經(jīng)配置以連接至一電源或接地。
在本公開的一些實施例中,該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)另包括一介電襯墊,環(huán)繞該第一插塞、該第二插塞以及該金屬結(jié)構(gòu)。
在本公開的一些實施例中,該金屬結(jié)構(gòu)的一高度與該第一插塞的一高度及該第二插塞的一高度實質(zhì)相同。
在本公開的一些實施例中,該第一插塞的一寬度與該第二插塞的一寬度實質(zhì)相同。
在本公開的一些實施例中,該金屬結(jié)構(gòu)延伸穿過該基板。
在本公開的一些實施例中,該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)另包括一第一介電層與一第一金屬件,其中該第一介電層位于該基板的該第一側(cè)上方,以及該第一金屬件位于該第一介電層內(nèi)并且電連接至該第一插塞、該第二插塞或該金屬結(jié)構(gòu)。
在本公開的一些實施例中,該第一金屬件包含局部自該第一介電層暴露的一墊件。
在本公開的一些實施例中,該第一插塞的一部分、該第二插塞的一部分以及該金屬結(jié)構(gòu)的一部分位于該第一介電層內(nèi)。
在本公開的一些實施例中,該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)另包括一第二介電層與一第二金屬件,其中該第二介電層位于該基板的該第二側(cè)上方,以及該第二金屬件位于該第二介電層內(nèi)并且電連接至該第一插塞與該第二插塞。
在本公開的一些實施例中,該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)另包括一傳導(dǎo)凸塊,位于該第二金屬件上方并且電連接至該第二金屬件。
在本公開的一些實施例中,該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)另包括一傳導(dǎo)凸塊,位于該基板的該第二側(cè)上方并且電連接至該第一插塞與該第二插塞。
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