[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710212979.2 | 申請(qǐng)日： | 2017-04-01 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN108336066A | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-07-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 林柏均 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 南亞科技股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L23/552 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L23/552;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃銥 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 插塞 金屬結(jié)構(gòu) 基板 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 延伸穿過(guò) 接地 信號(hào)源 配置 傳送 電源 隔離 對(duì)立 制造 | ||
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：
一基板，包含一第一側(cè)與一第二側(cè)，該第一側(cè)與該第二側(cè)對(duì)立；
一第一插塞，延伸穿過(guò)該基板；
一第二插塞，延伸穿過(guò)該基板；
一金屬結(jié)構(gòu)，位于該第一插塞與該第二插塞之間，
其中該第一插塞通過(guò)該金屬結(jié)構(gòu)而與該第二插塞隔離，該第一插塞與該第二插塞經(jīng)配置以連接至一信號(hào)源或傳送一信號(hào)，以及該金屬結(jié)構(gòu)經(jīng)配置以連接至一電源或接地。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，另包括一介電襯墊，環(huán)繞該第一插塞、該第二插塞與該金屬結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該金屬結(jié)構(gòu)的一高度與該第一插塞的一高度及該第二插塞的一高度實(shí)質(zhì)相同。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一插塞的一寬度與該第二插塞的一寬度實(shí)質(zhì)相同。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該金屬結(jié)構(gòu)延伸穿過(guò)該基板。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，另包括一第一介電層與一第一金屬件，其中該第一介電層位于該基板的該第一側(cè)上方，以及該第一金屬件位于該第一介電層內(nèi)并且電連接至該第一插塞、該第二插塞或該金屬結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一金屬件包含局部自該第一介電層暴露的一墊件。
8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一插塞的一部分、該第二插塞的一部分以及該金屬結(jié)構(gòu)的一部分位于該第一介電層內(nèi)。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，另包括一第二介電層與一第二金屬件，其中該第二介電層位于該基板的該第二側(cè)上方，以及該第二金屬件位于該第二介電層內(nèi)并且電連接至該第一插塞與該第二插塞。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，另包括一傳導(dǎo)凸塊，位于該第二金屬件上方并且電連接至該第二金屬件。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，另包括一傳導(dǎo)凸塊，位于該基板的該第二側(cè)上方并且電連接至該第一插塞與該第二插塞。
12.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：
提供一基板，包含一第一側(cè)與一第二側(cè)，該第一側(cè)與該第二側(cè)對(duì)立；
形成一第一插塞、一第二插塞、以及一金屬結(jié)構(gòu)，自該基板的該第一側(cè)向該基板的該第二側(cè)延伸；
配置一介電層于該基板的該第一側(cè)上方；以及
形成一金屬件于該介電層內(nèi)以及于該第一插塞、該第二插塞或該金屬結(jié)構(gòu)上方；
其中該金屬結(jié)構(gòu)位于該第一插塞與該第二插塞之間，該第一插塞與該第二插塞經(jīng)配置以連接至一信號(hào)源或傳送一信號(hào)，以及該金屬結(jié)構(gòu)經(jīng)配置以連接至一電源或接地。
13.如權(quán)利要求12所述的制造方法，其中形成該第一插塞、該第二插塞與該金屬結(jié)構(gòu)包含移除該基板的一部分以形成一凹部，以及配置一傳導(dǎo)材料于該凹部?jī)?nèi)。
14.如權(quán)利要求13所述的制造方法，另包括配置一介電襯墊與該凹部共形(conformal)。
15.如權(quán)利要求12所述的制造方法，其中同時(shí)形成該第一插塞、該第二插塞與該金屬結(jié)構(gòu)。
16.如權(quán)利要求12所述的制造方法，其中形成該金屬件包含形成一墊件，該墊件局部自該介電層暴露并且位于該第一插塞、該第二插塞或該金屬結(jié)構(gòu)上方。
17.如權(quán)利要求12所述的制造方法，其中該金屬件電連接至該第一插塞、第二插塞或該金屬結(jié)構(gòu)。
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