[發(fā)明專利]IPS型陣列基板及液晶顯示面板

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710212929.4
• 申請日: 2017-04-01
• 公開（公告）號: CN106814513A
• 公開（公告）日: 2017-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 任維
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙)44300
• 代理人: 黃威

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種IPS型陣列基板及液晶顯示面板。

背景技術(shù)

主動式薄膜晶體管液晶顯示屏(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)近年來得到飛速發(fā)展。其中TFT-LCD中的IPS(In-Plane Switching，平面轉(zhuǎn)換)顯示屏被廣泛應(yīng)用與具有觸摸功能的電視和公共顯示設(shè)備中。

IPS顯示屏中控制液晶分子的兩個電極--像素電極(pixel electrode)和公共電極(common electrode)都制作在同一塊基板上，而不像傳統(tǒng)的TN(twisted nematic,TN)型液晶顯示器的兩極分別在上下兩塊基板上，在電場作用下液晶分子垂直基板排列。IPS顯示屏通常會使用ITO(Indium tin oxide,氧化銦錫)透明電極當(dāng)公共電極和像素電極,且在公共電極使用整面的ITO，導(dǎo)致阻抗過大。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種IPS型陣列基板及液晶顯示面板，可以降低阻抗。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種IPS型陣列基板，其包括：基板、公共線、數(shù)據(jù)線、多個像素電極和多個公共電極；

所述公共線設(shè)置在所述基板上；

所述數(shù)據(jù)線設(shè)置在所述基板上；

所述像素電極設(shè)置在所述基板上，并與所述數(shù)據(jù)線電連接；

所述公共電極與所述像素電極交替排布在所述基板上，并與所述公共線電連接，所述公共電極用于與所述像素電極產(chǎn)生水平取向的電場；

所述像素電極、所述公共電極均包括第一透明電極層、第二透明電極層以及位于所述第一透明電極層和所述第二透明電極層之間的金屬層。

在本發(fā)明所述的IPS型陣列基板中，所述陣列基板還包括：多個鈍化層；

所述鈍化層設(shè)置在所述基板和所述像素電極之間，相鄰所述鈍化層之間形成溝槽；

所述公共電極設(shè)置在所述溝槽內(nèi)。

在本發(fā)明所述的IPS型陣列基板中，所述第一透明電極層和所述第二透明電極層均包括氧化銦錫。

在本發(fā)明所述的IPS型陣列基板中，所述第一透明電極層厚度為10-12納米。

在本發(fā)明所述的IPS型陣列基板中，所述第二透明電極層厚度為10-12納米。

在本發(fā)明所述的IPS型陣列基板中，所述金屬層的材料為銅或鋁。

在本發(fā)明所述的IPS型陣列基板中，所述金屬層厚度為1-4納米。

在本發(fā)明所述的IPS型陣列基板中，所述像素電極和所述公共電極經(jīng)溫度為45-60攝氏度的草酸蝕刻110-130秒分別形成像素電極圖形和公共電極圖形。

在本發(fā)明所述的IPS型陣列基板中，所述像素電極和所述公共電極在同一道光罩制程中形成。

本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板，其包括如權(quán)利要以上所述的陣列基板。

相較于現(xiàn)有的IPS型陣列基板及液晶顯示面板，本發(fā)明的IPS型陣列基板及液晶顯示面板通過將像素電極和公共電極設(shè)置成兩層透明電極層夾著金屬層的結(jié)構(gòu)，降低了阻抗。

為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下：

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的IPS型陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一IPS型陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。

在圖中，結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標(biāo)號表示。

請參照圖1，圖1為本發(fā)明的IPS型陣列基板的第一優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。本優(yōu)選實(shí)施例的IPS型陣列基板100包括：基板10、公共線(圖未示出)、數(shù)據(jù)線(圖未示出)、多個像素電極20和多個公共電極30。

所述公共線和所述數(shù)據(jù)線均設(shè)置在所述基板10上。其中該公共線用于傳輸公共信號，該數(shù)據(jù)線用于傳輸數(shù)據(jù)信號。

所述像素電極設(shè)置在所述基板10上，并與所述數(shù)據(jù)線電連接，以接收該數(shù)據(jù)線傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號。

所述公共電極30與所述公共線電連接，以接收該公共線傳輸?shù)墓残盘枴Ｋ龉搽姌O30與所述像素電極20交替排布在所述基板10上，與所述像素電極20產(chǎn)生水平取向的電場。