[發(fā)明專(zhuān)利]IPS型陣列基板及液晶顯示面板在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710212929.4 | 申請(qǐng)日： | 2017-04-01 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN106814513A | 公開(kāi)（公告）日： | 2017-06-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 任維 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | G02F1/1343 | 分類(lèi)號(hào)： | G02F1/1343 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙)44300 | 代理人： | 黃威 |
| 地址： | 518132 廣東*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | ips 陣列 液晶顯示 面板 | ||
1.一種IPS型陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：基板、公共線、數(shù)據(jù)線、多個(gè)像素電極和多個(gè)公共電極；
所述公共線設(shè)置在所述基板上；
所述數(shù)據(jù)線設(shè)置在所述基板上；
所述像素電極設(shè)置在所述基板上，并與所述數(shù)據(jù)線電連接；
所述公共電極與所述像素電極交替排布在所述基板上，并與所述公共線電連接，所述公共電極用于與所述像素電極產(chǎn)生水平取向的電場(chǎng)；
所述像素電極、所述公共電極均包括第一透明電極層、第二透明電極層以及位于所述第一透明電極層和所述第二透明電極層之間的金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IPS型陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：多個(gè)鈍化層；
所述鈍化層設(shè)置在所述基板和所述像素電極之間，相鄰所述鈍化層之間形成溝槽；
所述公共電極設(shè)置在所述溝槽內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IPS型陣列基板，其特征在于，所述第一透明電極層和所述第二透明電極層均包括氧化銦錫。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的IPS型陣列基板，其特征在于，所述第一透明電極層厚度為10-12納米。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的IPS型陣列基板，其特征在于，所述第二透明電極層厚度為10-12納米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IPS型陣列基板，其特征在于，所述金屬層的材料為銅或鋁。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IPS型陣列基板，其特征在于，所述金屬層厚度為1-4納米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IPS型陣列基板，其特征在于，所述像素電極和所述公共電極經(jīng)溫度為45-60攝氏度的草酸蝕刻110-130秒分別形成像素電極圖形和公共電極圖形。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IPS型陣列基板，其特征在于，所述像素電極和所述公共電極在同一道光罩制程中形成。
10.一種液晶顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-9中任意一項(xiàng)所述的IPS型陣列基板。
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G02F1-00 控制來(lái)自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如，轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制；非線性光學(xué)
G02F1-01 .對(duì)強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制，即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
