[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

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• 申請日: 2017-03-31
• 公開（公告）號: CN108269761B
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 伊牧;陳柏安
• 申請（專利權(quán)）人: 新唐科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L27/088
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 王濤

本發(fā)明實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置包括一基板結(jié)構(gòu)，包括一高電位區(qū)、一低電位區(qū)、一電位轉(zhuǎn)換區(qū)以及一隔離區(qū)，低電位區(qū)與高電位區(qū)彼此隔開，電位轉(zhuǎn)換區(qū)和隔離區(qū)設(shè)置于上述高電位區(qū)與上述低電位區(qū)之間，隔離區(qū)將電位轉(zhuǎn)換區(qū)與高電位區(qū)彼此隔開。隔離摻雜區(qū)，具有第一導(dǎo)電類型，位于隔離區(qū)中，隔離摻雜區(qū)包括第一摻雜部分以及一第二摻雜部分，第一摻雜部分的深度沿隔離區(qū)朝向電位轉(zhuǎn)換區(qū)的第一方向呈線性遞減。第二摻雜部分鄰接第一摻雜部分，第二摻雜部分的深度沿著隔離區(qū)朝向高電位區(qū)的第二方向呈線性遞減。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例是有關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置，特別是有關(guān)于一種高壓半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

高壓集成電路(HVIC)因具有符合成本效益且易相容于其它制造工藝等優(yōu)點(diǎn)，因而已廣泛應(yīng)用于發(fā)光二極管(LED)、顯示器驅(qū)動集成電路元件、電源供應(yīng)器、電力管理、通信、車用電子的電源控制系統(tǒng)中。然而，現(xiàn)有的高壓集成電路會因?yàn)殚]鎖效應(yīng)(latch up)、低擊穿電壓、低元件切換速度及較大的元件面積等問題而無法進(jìn)一步的改善。

因此，在此技術(shù)領(lǐng)域中，有需要一種高壓半導(dǎo)體裝置，以改善上述缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置，以改善現(xiàn)有技術(shù)中的一項(xiàng)或多項(xiàng)缺點(diǎn)。

本發(fā)明的一實(shí)施例是提供一種半導(dǎo)體裝置。上述半導(dǎo)體裝置包括一基板結(jié)構(gòu)，上述基板結(jié)構(gòu)包括一高電位區(qū)、一低電位區(qū)、一電位轉(zhuǎn)換區(qū)以及一隔離區(qū)，上述低電位區(qū)與上述高電位區(qū)彼此隔開，上述電位轉(zhuǎn)換區(qū)和上述隔離區(qū)設(shè)置于上述高電位區(qū)與上述低電位區(qū)之間，其中上述隔離區(qū)將上述電位轉(zhuǎn)換區(qū)與上述高電位區(qū)彼此隔開；以及一隔離摻雜區(qū)，具有一第一導(dǎo)電類型，位于上述隔離區(qū)中，其中上述隔離摻雜區(qū)包括一第一摻雜部分，上述第一摻雜部分的一深度沿著上述隔離區(qū)朝向上述電位轉(zhuǎn)換區(qū)的一第一方向呈線性遞減；以及一第二摻雜部分，鄰接上述第一摻雜部分，上述第二摻雜部分的一深度沿著上述隔離區(qū)朝向上述高電位區(qū)的一第二方向呈線性遞減。

本發(fā)明的另一實(shí)施例是提供一種半導(dǎo)體裝置。上述半導(dǎo)體裝置包括一基板結(jié)構(gòu)，上述基板結(jié)構(gòu)包括一高電位區(qū)、一低電位區(qū)、一電位轉(zhuǎn)換區(qū)以及一隔離區(qū)，上述低電位區(qū)與上述高電位區(qū)彼此隔開，上述電位轉(zhuǎn)換區(qū)和上述隔離區(qū)設(shè)置于上述高電位區(qū)與上述低電位區(qū)之間，其中上述隔離區(qū)將上述電位轉(zhuǎn)換區(qū)與上述高電位區(qū)彼此隔開；以及一隔離摻雜區(qū)，具有一第一導(dǎo)電類型，位于上述隔離區(qū)中，其中上述隔離摻雜區(qū)的一深度從接近上述隔離摻雜區(qū)的一中心區(qū)域至接近上述隔離摻雜區(qū)的一外圍區(qū)域呈線性遞減。

本發(fā)明的又一實(shí)施例是提供一種半導(dǎo)體裝置。上述半導(dǎo)體裝置包括一基板結(jié)構(gòu)，上述基板結(jié)構(gòu)包括一高電位區(qū)、一低電位區(qū)、一電位轉(zhuǎn)換區(qū)以及一隔離區(qū)，上述低電位區(qū)與上述高電位區(qū)彼此隔開，上述電位轉(zhuǎn)換區(qū)和上述隔離區(qū)設(shè)置于上述高電位區(qū)與上述低電位區(qū)之間，其中上述隔離區(qū)將上述電位轉(zhuǎn)換區(qū)與上述高電位區(qū)彼此隔開；以及一隔離摻雜區(qū)，具有一第一導(dǎo)電類型，位于上述隔離區(qū)中，且從上述基板結(jié)構(gòu)的一頂面延伸至部分上述基板結(jié)構(gòu)中，其中于一剖面圖中，上述隔離摻雜區(qū)接近于上述基板結(jié)構(gòu)的上述頂面的一第一寬度大于接近于上述基板結(jié)構(gòu)的一底面的一第二寬度。

附圖說明

圖1～2顯示本發(fā)明一些實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的剖面示意圖。

圖3為顯示形成隔離區(qū)中的隔離摻雜區(qū)的部分制造工藝步驟。

符號說明：

500a、500b～半導(dǎo)體裝置；

200～半導(dǎo)體基板；

202～低電位區(qū)；

204～電位轉(zhuǎn)換區(qū)；

206～隔離區(qū)；

208～高電位區(qū)；

211、221～頂面；

212～第二導(dǎo)電類型埋藏?fù)诫s層；