[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201710211321.X
• 申請日: 2017-03-31
• 公開（公告）號: CN108269761B
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發明（設計）人: 伊牧;陳柏安
• 申請（專利權）人: 新唐科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L27/088
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 王濤

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

一基板結構，包括：

一高電位區；

一低電位區，其與該高電位區彼此隔開；以及

一電位轉換區和一隔離區，設置于該高電位區與該低電位區之間，其中該隔離區將該電位轉換區與該高電位區彼此隔開；以及

一隔離摻雜區，具有一第一導電類型，位于該隔離區中，其中該隔離摻雜區包括：

一第一摻雜部分，該第一摻雜部分的一深度沿著該隔離區朝向該電位轉換區的一第一方向呈線性遞減；以及

一第二摻雜部分，鄰接該第一摻雜部分，該第二摻雜部分的一深度沿著該隔離區朝向該高電位區的一第二方向呈線性遞減；

其中，所述第一摻雜部分的一側壁與所述第二摻雜部分的一側壁重合，且位于所述隔離摻雜區的中心區域；所述第一摻雜部分與所述第二摻雜部分鏡像對稱。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該第一摻雜部分具有一第一摻質濃度，該第一摻質濃度沿著該第一方向呈線性遞減。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該基板結構包括：

一半導體基板，具有一第一導電類型；

一外延層，設于該半導體基板上，其中該外延層具有一第二導電類型，且該第一導電類型與該第二導電類型不同。

4.如權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，該隔離摻雜區位于該外延層中。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該第一摻雜部分接近該電位轉換區的一第一側壁和遠離該電位轉換區的一第二側壁彼此不平行。

6.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

一基板結構，包括：

一高電位區；

一低電位區，其與該高電位區彼此隔開；以及

一電位轉換區和一隔離區，設置于該高電位區與該低電位區之間，其中該隔離區將該電位轉換區與該高電位區彼此隔開；以及

一隔離摻雜區，具有一第一導電類型，位于該隔離區中，其中該隔離摻雜區的一深度從接近該隔離摻雜區的一中心區域至接近該隔離摻雜區的一外圍區域呈線性遞減。

7.如權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，該隔離摻雜區的該中心區域與該隔離區的一中心區域不重合。

8.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

一基板結構，包括：

一高電位區；

一低電位區，其與該高電位區彼此隔開；以及

一電位轉換區和一隔離區，設置于該高電位區與該低電位區之間，其中該隔離區將該電位轉換區與該高電位區彼此隔開；以及

一隔離摻雜區，具有一第一導電類型，位于該隔離區中，且從該基板結構的一頂面延伸至部分該基板結構中，其中于一剖面圖中，該隔離摻雜區接近于該基板結構的該頂面的一第一寬度大于接近于該基板結構的一底面的一第二寬度；

其中，該隔離摻雜區的一第一側壁與該基板結構的該頂面的一法線方向形成的一第一夾角小于90度；

其中，該隔離摻雜區的一深度從接近該隔離摻雜區的一中心區域至接近該隔離摻雜區的一外圍區域呈線性遞減。