[發(fā)明專(zhuān)利]硅片吸附裝置、硅片傳送裝置、硅片傳輸系統(tǒng)及傳送方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710210557.1
• 申請(qǐng)日: 2017-03-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108666251B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王剛;張榮軍;姜曉玉;施益超;劉凱;陳俊朋
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海微電子裝備（集團(tuán)）股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/677
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/677;H01L21/68;H01L21/683
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

本發(fā)明提供了一種硅片吸附裝置、硅片傳送裝置、硅片傳輸系統(tǒng)及傳送方法，所述硅片吸附裝置安裝在所述硅片傳送裝置上，所述硅片吸附裝置包括吸附裝置本體和第一吸盤(pán)裝置，其中：所述吸附裝置本體具有第一開(kāi)口；所述第一吸盤(pán)裝置包括第一裙邊結(jié)構(gòu)，所述第一裙邊結(jié)構(gòu)位于所述吸附裝置本體的一側(cè)，并與所述第一開(kāi)口相連接，所述第一裙邊結(jié)構(gòu)與所述第一開(kāi)口的連接處具有一凹槽結(jié)構(gòu)，所述凹槽結(jié)構(gòu)位于所述第一裙邊結(jié)構(gòu)的外側(cè)。本發(fā)明通過(guò)所述第一裙邊結(jié)構(gòu)與所述第一開(kāi)口的外側(cè)連接處具有一凹槽結(jié)構(gòu)，釋放了第一裙邊結(jié)構(gòu)變形時(shí)第一吸盤(pán)裝置根部的應(yīng)力。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種硅片吸附裝置、硅片傳送裝置、硅片傳輸系統(tǒng)及傳送方法。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體領(lǐng)域，硅片通過(guò)機(jī)械手帶動(dòng)片叉吸附固定后，進(jìn)行硅片的移動(dòng)和傳送。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，硅片厚度不斷減薄，以及增加了硅片鍵合工藝，導(dǎo)致硅片自身存在程度不同的翹曲。由于硅片存在翹曲，在硅片翹曲處和片叉吸附面表面形成了間隙，從而當(dāng)片叉吸附面抽真空時(shí)會(huì)出現(xiàn)漏氣，導(dǎo)致現(xiàn)有的片叉不能理想地吸附翹曲硅片。

因此，需要設(shè)計(jì)一種可有效吸附翹曲硅片的硅片吸附裝置、硅片傳送裝置、硅片傳輸系統(tǒng)及傳送方法。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種硅片吸附裝置、硅片傳送裝置、硅片傳輸系統(tǒng)及傳送方法，以解決現(xiàn)有的硅片吸附裝置無(wú)法吸附翹曲硅片的問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種硅片吸附裝置，所述硅片吸附裝置包括吸附裝置本體和第一吸盤(pán)裝置，其中：

所述吸附裝置本體具有第一開(kāi)口；

所述第一吸盤(pán)裝置包括第一裙邊結(jié)構(gòu)，所述第一裙邊結(jié)構(gòu)位于所述吸附裝置本體的一側(cè)，并與所述第一開(kāi)口相連接，所述第一裙邊結(jié)構(gòu)與所述第一開(kāi)口的連接處具有一凹槽結(jié)構(gòu)，所述凹槽結(jié)構(gòu)位于所述第一裙邊結(jié)構(gòu)的外側(cè)。

可選的，在所述的硅片吸附裝置中，所述第一開(kāi)口的形狀為圓形，所述吸附裝置本體的外形為圓柱形。

可選的，在所述的硅片吸附裝置中，所述第一開(kāi)口的直徑的范圍為8.2mm～9.0mm之間。

可選的，在所述的硅片吸附裝置中，所述吸附裝置本體的外直徑的范圍為13.0mm～17.0mm之間，所述吸附裝置本體的高度的范圍為0.4mm～0.6mm之間。

可選的，在所述的硅片吸附裝置中，所述第一裙邊結(jié)構(gòu)的外形為圓臺(tái)形，所述凹槽結(jié)構(gòu)在所述吸附裝置本體表面形成的形狀為圓環(huán)形。

可選的，在所述的硅片吸附裝置中，所述第一裙邊結(jié)構(gòu)的外直徑的范圍為15.0mm～17.0mm之間。

可選的，在所述的硅片吸附裝置中，所述第一裙邊結(jié)構(gòu)的高度的范圍為0.8mm～1.6mm之間。

可選的，在所述的硅片吸附裝置中，所述第一裙邊結(jié)構(gòu)的外側(cè)面與所述吸附裝置本體的頂面之間的角度的范圍為18°～24°之間。

可選的，在所述的硅片吸附裝置中，所述第一裙邊結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)面與所述吸附裝置本體的頂面之間的角度的范圍為16°～23°之間。

可選的，在所述的硅片吸附裝置中，所述凹槽結(jié)構(gòu)的深度的范圍為0.2mm～0.3mm之間。

可選的，在所述的硅片吸附裝置中，所述凹槽結(jié)構(gòu)的內(nèi)直徑的范圍為9.8mm～10.6mm之間。

可選的，在所述的硅片吸附裝置中，所述凹槽結(jié)構(gòu)的底面寬度的范圍為0.3mm～0.5mm之間。

可選的，在所述的硅片吸附裝置中，所述凹槽結(jié)構(gòu)包括第一側(cè)壁和第二側(cè)壁，所述第一側(cè)壁靠近所述第一開(kāi)口，所述第二側(cè)壁遠(yuǎn)離所述第一開(kāi)口。