[發明專利]硅片吸附裝置、硅片傳送裝置、硅片傳輸系統及傳送方法

有效

• 申請號: 201710210557.1
• 申請日: 2017-03-31
• 公開（公告）號: CN108666251B
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發明（設計）人: 王剛;張榮軍;姜曉玉;施益超;劉凱;陳俊朋
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備（集團）股份有限公司
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677;H01L21/68;H01L21/683
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種硅片吸附裝置，其特征在于，所述硅片吸附裝置包括吸附裝置本體和第一吸盤裝置，其中：

所述吸附裝置本體具有第一開口；

所述第一吸盤裝置包括第一裙邊結構，所述第一裙邊結構位于所述吸附裝置本體的一側，并與所述第一開口相連接，所述第一裙邊結構與所述第一開口的連接處具有一凹槽結構，所述凹槽結構位于所述第一裙邊結構的外側。

2.如權利要求1所述的硅片吸附裝置，其特征在于，所述第一開口的形狀為圓形，所述吸附裝置本體的外形為圓柱形。

3.如權利要求2所述的硅片吸附裝置，其特征在于，所述第一開口的直徑的范圍為8.2mm～9.0mm之間。

4.如權利要求2所述的硅片吸附裝置，其特征在于，所述吸附裝置本體的外直徑的范圍為13.0mm～17.0mm之間，所述吸附裝置本體的高度的范圍為0.4mm～0.6mm之間。

5.如權利要求1所述的硅片吸附裝置，其特征在于，所述第一裙邊結構的外形為圓臺形，所述凹槽結構在所述吸附裝置本體表面形成的形狀為圓環形。

6.如權利要求5所述的硅片吸附裝置，其特征在于，所述第一裙邊結構的外直徑的范圍為15.0mm～17.0mm之間。

7.如權利要求5所述的硅片吸附裝置，其特征在于，所述第一裙邊結構的高度的范圍為0.8mm～1.6mm之間。

8.如權利要求5所述的硅片吸附裝置，其特征在于，所述第一裙邊結構的外側面與所述吸附裝置本體的頂面之間的角度的范圍為18°～24°之間。

9.如權利要求5所述的硅片吸附裝置，其特征在于，所述第一裙邊結構的內側面與所述吸附裝置本體的頂面之間的角度的范圍為16°～23°之間。

10.如權利要求5所述的硅片吸附裝置，其特征在于，所述凹槽結構的深度的范圍為0.2mm～0.3mm之間。

11.如權利要求5所述的硅片吸附裝置，其特征在于，所述凹槽結構的內直徑的范圍為9.8mm～10.6mm之間。

12.如權利要求5所述的硅片吸附裝置，其特征在于，所述凹槽結構的底面寬度的范圍為0.3mm～0.5mm之間。

13.如權利要求5所述的硅片吸附裝置，其特征在于，所述凹槽結構包括第一側壁和第二側壁，所述第一側壁靠近所述第一開口，所述第二側壁遠離所述第一開口。

14.如權利要求13所述的硅片吸附裝置，其特征在于，所述第一側壁的中心區域向所述第一開口的方向凹陷，形成環面外側表面的形狀。

15.如權利要求14所述的硅片吸附裝置，其特征在于，所述第二側壁向遠離所述第一開口的方向傾斜，傾斜的角度為90°～180°。

16.一種硅片傳送裝置，其特征在于，所述硅片傳送裝置包括傳送裝置本體和多個如權利要求1～15中任一項所述的硅片吸附裝置，多個所述硅片吸附裝置均固定于所述傳送裝置本體上。

17.如權利要求16所述的硅片傳送裝置，其特征在于，所述第一開口的形狀為圓形；所述吸附裝置本體的外形為圓柱形；所述第一裙邊結構的外形為圓臺形；所述凹槽結構在所述吸附裝置本體表面形成的形狀為圓環形。