[發(fā)明專利]具有自動清洗功能的蝕刻腔室及其清洗組件、清洗方法

有效

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• 申請日: 2017-03-31
• 公開（公告）號: CN106971933B
• 公開（公告）日: 2018-10-19
• 發(fā)明（設計）人: 蔡小龍
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;B08B3/02
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 鐘子敏

本發(fā)明提供一種具有自動清洗功能的蝕刻腔室及其清洗組件、清洗方法。該清洗組件包括第一噴淋機構和第二噴淋機構，第一噴淋機構用于噴淋蝕刻液，第二噴淋機構設置于第一噴淋機構的上方，第二噴淋機構用于在第一噴淋機構停止噴淋蝕刻液時噴淋清洗液，以對第一噴淋機構進行清洗。基于此，本發(fā)明能夠對蝕刻腔室內進行隨時清洗，減少蝕刻液揮發(fā)產生的結晶體，降低由結晶體導致的危害。

技術領域

本發(fā)明涉及顯示終端制造技術領域，具體涉及一種具有自動清洗功能的蝕刻腔室及其清洗組件、清洗方法。

背景技術

在LCD(Liquid Crystal Display,液晶顯示器)的制程中，蝕刻工藝是非常重要的一環(huán)。蝕刻工藝是利用化學藥品對基板表面的金屬進行腐蝕，從而達到去除部分金屬以形成預定圖案的目的。當前，蝕刻工藝一般采用容易揮發(fā)的草酸溶液，在蝕刻設備閑置過久時揮發(fā)的草酸溶液容易在蝕刻腔室內結晶，所產生的結晶體不僅會劃傷損傷待蝕刻元件，影響LCD的顯示品質，而且可能會被操作人員吸入，對人體造成傷害。然而，當前僅能在蝕刻設備保養(yǎng)時清洗蝕刻腔室內的結晶體，這種定時清洗無法有效的減少結晶體以及降低由結晶體導致的危害。

發(fā)明內容

有鑒于此，本發(fā)明提供一種具有自動清洗功能的蝕刻腔室及其清洗組件、清洗方法，能夠對蝕刻腔室內進行隨時清洗，減少蝕刻液揮發(fā)產生的結晶體，降低由結晶體導致的危害。

本發(fā)明一實施例的蝕刻腔室內的清洗組件，蝕刻腔室內設置有第一噴淋機構，用于噴淋蝕刻液，以對所述蝕刻腔室內的待蝕刻元件進行蝕刻，所述清洗組件包括第二噴淋機構，所述第二噴淋機構設置于所述第一噴淋機構的上方，用于在所述第一噴淋機構停止噴淋蝕刻液時噴淋清洗液，以對所述第一噴淋機構進行清洗。

本發(fā)明一實施例的具有自動清洗功能的蝕刻腔室，其清洗組件包括第一噴淋機構和第二噴淋機構，第一噴淋機構用于噴淋蝕刻液，以對蝕刻腔室內的待蝕刻元件進行蝕刻，第二噴淋機構設置于第一噴淋機構的上方，第二噴淋機構用于在第一噴淋機構停止噴淋蝕刻液時噴淋清洗液，以對第一噴淋機構進行清洗。

本發(fā)明一實施例的蝕刻腔室的清洗方法，包括：

將第二噴淋機構設置于第一噴淋機構的上方，所述第一噴淋機構用于噴淋蝕刻液以對蝕刻腔室內的待蝕刻元件進行蝕刻；

在第一噴淋機構停止噴淋蝕刻液時，第二噴淋機構噴淋清洗液，對第一噴淋機構進行清洗。

有益效果：本發(fā)明在蝕刻噴淋機構上方設置清洗噴淋機構，能夠在蝕刻噴淋機構停止噴淋蝕刻液時噴淋清洗液，實現隨時對蝕刻腔室內進行清洗，而不必僅在蝕刻腔室進行保養(yǎng)時才進行清洗，從而減少蝕刻液揮發(fā)產生的結晶體，降低由結晶體導致的危害。

附圖說明

圖1是本發(fā)明一實施例的具有清洗組件的蝕刻腔室的結構俯視圖；

圖2是圖1所示具有清洗組件的蝕刻腔室的結構側視圖；

圖3是圖1所示一個噴淋管上的多個噴淋嘴的分布示意圖；

圖4是本發(fā)明一實施例的蝕刻腔室的清洗方法的流程示意圖。

具體實施方式

下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明所提供的各個示例性的實施例的技術方案進行清楚、完整地描述。在不沖突的情況下，下述各個實施例及其技術特征可以相互組合。