[發(fā)明專利]傳送裝置、傳送方法以及真空蒸鍍裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710209599.3 | 申請日: | 2017-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN108657819B | 公開(公告)日: | 2019-10-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王震;林治明;黃俊杰;井昱;吳文澤 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | B65G49/06 | 分類號: | B65G49/06;C23C14/24 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 傳送部件 承載 被傳送物 傳送裝置 傳送 真空蒸鍍裝置 生產(chǎn)效率 靜電 良率 保證 | ||
本公開提供一種傳送裝置,該傳送裝置包括至少一個第一傳送部件和至少一個第二傳送部件。所述第一傳送部件包括與被傳送物接觸的第一承載墊,所述第二傳送部件包括與所述被傳送物接觸的第二承載墊;所述第一承載墊的材料的得電子的能力相對于失電子的能力更強(qiáng),所述第二承載墊的材料的失電子的能力相對于得電子的能力更強(qiáng)。本公開通過改變傳送部件的和被傳送物接觸部分(例如,第一承載墊和/或第二承載墊)的材料的相對得電子和失電子的能力,在保證摩擦力足夠大的情況下,減少靜電帶來的不利影響,從而可以加快被傳送物被傳送的速率,提高生產(chǎn)效率,同時還可以提高產(chǎn)品的良率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種傳送裝置、傳送方法以及真空蒸鍍裝置。
背景技術(shù)
在顯示技術(shù)領(lǐng)域中,通常需要在在真空環(huán)境下在襯底基板上連續(xù)形成各層膜層結(jié)構(gòu),因此,需要使用傳送裝置將待成膜的襯底基板進(jìn)行傳送。
例如,OLED(Organic Light Emitting Diode,有機(jī)發(fā)光二極管)顯示裝置具有自發(fā)光、無需背光模組、對比度高、清晰度高、視角寬、全固化、適用于撓曲性面板、溫度特性好、低功耗、響應(yīng)速度快以及制造成本低等一系列優(yōu)異特性,而得到了廣泛的應(yīng)用。OLED顯示器件的基本結(jié)構(gòu)包括陽極層,功能膜層以及陰極層等,上述功能膜層可以包括空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層以及電子傳輸層等,有機(jī)發(fā)光層的成膜方法有很多種,包括蒸鍍成膜法、分子束外延法、有機(jī)化學(xué)氣相沉積法以及溶膠-凝膠法等,蒸鍍成膜法由于具有操作簡單、膜厚容易控制、對薄膜的污染小以及易于實(shí)現(xiàn)摻雜等優(yōu)點(diǎn),目前多采用蒸鍍成膜法形成有機(jī)發(fā)光層等有機(jī)功能膜層,即在真空環(huán)境下,將有機(jī)材料加熱使其氣化或者升華,并沉積到襯底基板上形成對應(yīng)的功能膜層。
在真空環(huán)境下,需要通過襯底基板與傳送裝置之間的摩擦力控制襯底基板傳輸?shù)姆€(wěn)定性,如果襯底基板與傳送裝置之間的摩擦力太小,容易導(dǎo)致襯底基板滑動或者偏移,從而造成各膜層之間對位不精準(zhǔn)的問題,進(jìn)而影響了產(chǎn)品的良率,并且摩擦容易產(chǎn)生靜電,隨著傳送過程的進(jìn)行,也會在真空腔室中積累大量的靜電,大量靜電的存在可能會造成襯底基板產(chǎn)生碎片、破壞襯底基板上的電路,甚至損壞掩膜板。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明至少一實(shí)施例提供一種傳送裝置,該傳送裝置包括:至少一個第一傳送部件和至少一個第二傳送部件,其中,所述第一傳送部件包括與被傳送物接觸的第一承載墊,所述第二傳送部件包括與所述被傳送物接觸的第二承載墊;所述第一承載墊的材料的得電子的能力相對于失電子的能力更強(qiáng),所述第二承載墊的材料的失電子的能力相對于得電子的能力更強(qiáng)。
例如,在本發(fā)明至少一實(shí)施例提供的傳送裝置中,所述第一承載墊的材料與所述被傳送物相比得電子的能力更強(qiáng),所述第二承載墊的材料與所述被傳送物相比失電子的能力更強(qiáng)。
例如,在本發(fā)明至少一實(shí)施例提供的傳送裝置中,所述第一傳送部件和所述第二傳送部件彼此相鄰設(shè)置和/或間隔設(shè)置。
例如,在本發(fā)明至少一實(shí)施例提供的傳送裝置中,所述傳送裝置的全部所述第一承載墊使所述被傳送物獲得的正電荷的電量大小近似等于所述傳送裝置的全部所述第二承載墊使所述被傳送物獲得的負(fù)電荷的電量大小。
例如,在本發(fā)明至少一實(shí)施例提供的傳送裝置中,所述第一承載墊使所述被傳送物獲得的正電荷的電量大小近似等于所述第二承載墊使所述被傳送物獲得的負(fù)電荷的電量大小。
例如,在本發(fā)明至少一實(shí)施例提供的傳送裝置中,所述傳送裝置包括多個組合結(jié)構(gòu),所述第一傳送部件和所述第二傳送部件屬于同一個組合結(jié)構(gòu)或?qū)儆诓煌慕M合結(jié)構(gòu),所述傳送裝置包括至少一個第一組合結(jié)構(gòu)和至少一個第二組合結(jié)構(gòu),所述第一組合結(jié)構(gòu)由至少一個所述第一傳送部件組成,所述第二組合結(jié)構(gòu)由至少一個所述第二傳送部件組成。
例如,在本發(fā)明至少一實(shí)施例提供的傳送裝置中,所述第一組合結(jié)構(gòu)和所述第二組合結(jié)構(gòu)彼此相鄰設(shè)置和/或間隔設(shè)置。
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