[發明專利]一種納米Pd-g-C3N4基因導入材料及其制備方法和應用

有效

• 申請號: 201710209178.0
• 申請日: 2017-03-31
• 公開（公告）號: CN107128887B
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發明（設計）人: 王深明;林穎;張德元;周鴻雁;邵楠;葉潤儀;張展強;史雅微
• 申請（專利權）人: 中山大學附屬第一醫院
• 主分類號: C01B21/082
• 分類號: C01B21/082;B82Y40/00;C12N15/87;A61K48/00
• 代理公司: 東莞市華南專利商標事務所有限公司 44215
• 代理人: 王雪镅

1.一種納米Pd-g-C₃N₄基因導入材料的制備方法，其特征在于：它包括以下步驟：

步驟一，制備g-C₃N₄：將氨基化合物置于管式爐中，于一定溫度下加熱一定時間后，即制得g-C₃N₄；其中，所述氨基化合物為尿素、三聚氰胺或二氰二胺中的一種；

步驟二，制備酸氧化的g-C₃N₄：配制硫酸與硝酸的混合酸液，然后將步驟一制得的g-C₃N₄加入到所述混合酸液中，攪拌一定時間后，用水洗滌至中性，然后進行干燥處理，即制得酸氧化的g-C₃N₄；

步驟三，制備納米Pd-g-C₃N₄：將步驟二制得的酸氧化的g-C₃N₄加入到水中，然后加入四氯合鈀酸或四氯鈀酸鹽，得到混合物，然后對所述混合物進行超聲一定時間以使得四氯合鈀酸或四氯鈀酸鹽吸附于酸氧化的g-C₃N₄的表面；然后將超聲吸附后的混合物置于紫外光下照射一定時間以使得吸附于酸氧化的g-C₃N₄表面的四氯合鈀酸或四氯鈀酸鹽還原為Pd原子；或者利用氫氣或者氬氣將混合物中吸附于酸氧化的g-C₃N₄表面的四氯合鈀酸或四氯鈀酸鹽還原為Pd原子；即制得所述納米Pd-g-C₃N₄基因導入材料；

步驟二中，所述混合酸液中硫酸與硝酸的體積比為0.8～1.2：1.5～2.5；

步驟二中，將步驟一制得的1g的g-C₃N₄加入到180mL～220mL的混合酸液中。

2.根據權利要求1所述的一種納米Pd-g-C₃N₄基因導入材料的制備方法，其特征在于：步驟一中，所述加熱溫度為550℃～650℃，所述加熱時間為8h～12h；并且設置2℃/min～4℃/min的升溫速率以將管式爐的溫度升高至所述加熱溫度。

3.根據權利要求1所述的一種納米Pd-g-C₃N₄基因導入材料的制備方法，其特征在于：步驟一中，所述管式爐的氣氛為空氣或者氮氣。

4.根據權利要求1所述的一種納米Pd-g-C₃N₄基因導入材料的制備方法，其特征在于：步驟二中，所述攪拌時間為10h～12h，所述水為去離子水。

5.根據權利要求1所述的一種納米Pd-g-C₃N₄基因導入材料的制備方法，其特征在于：步驟三中，所述酸氧化的g-C₃N₄與所述水的質量比為1:1～1.5；

步驟三中，所述超聲的時間為6h～10h；所述紫外光的照射時間為20min～40min。

6.根據權利要求1所述的一種納米Pd-g-C₃N₄基因導入材料的制備方法，其特征在于：步驟三中，所述四氯鈀酸鹽為四氯鈀酸鉀或四氯鈀酸鈉。

7.根據權利要求1所述的一種納米Pd-g-C₃N₄基因導入材料的制備方法，其特征在于：步驟三中，所制得的納米Pd-g-C₃N₄基因導入材料中，Pd占g-C₃N₄的質量百分比為0.8％～1.2％。