[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710206510.8
• 申請(qǐng)日: 2017-03-31
• 公開（公告）號(hào): CN107393880A
• 公開（公告）日: 2017-11-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林子閎;彭逸軒;劉乃瑋;黃偉哲;周哲雅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)發(fā)科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L23/485;H01L25/065
• 代理公司: 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)44280
• 代理人: 何青瓦

1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：第一半導(dǎo)體封裝；

其中，該第一半導(dǎo)體封裝包括：第一重分布層結(jié)構(gòu)、第一半導(dǎo)體晶粒和多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；

其中，該第一重分布層結(jié)構(gòu)具有相對(duì)設(shè)置的第一表面與第二表面，并且包括：多條第一導(dǎo)電線路和天線圖案，分別鄰近該第一表面與該第二表面；

其中，該第一半導(dǎo)體晶粒，設(shè)置于該第一表面上并且電性耦接該第一重分布層結(jié)構(gòu)；

其中，該多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性耦接至該第一重分布層結(jié)構(gòu)，并且通過該多條第一導(dǎo)電線路與該天線圖案隔開。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一半導(dǎo)體封裝還包括：

第一模塑料，圍繞該第一半導(dǎo)體晶粒并且接觸該第一表面及該第一半導(dǎo)體晶粒；以及

多個(gè)第一通孔，穿過該第一模塑料，從而形成該第一重分布層結(jié)構(gòu)與該多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的電連接。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該多個(gè)通孔圍繞該第一半導(dǎo)體晶粒；

及/或，該多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過該多個(gè)第一通孔和該第一模塑料與該第一重分布層結(jié)構(gòu)隔開；

及/或，該第一模塑料中遠(yuǎn)離該第一重分布層結(jié)構(gòu)的表面位于該多個(gè)第一通孔與該多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一半導(dǎo)體封裝進(jìn)一步包括：

第一鈍化層，覆蓋該第一重分布層結(jié)構(gòu)的該第二表面。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一半導(dǎo)體封裝進(jìn)一步包括：

第二鈍化層，覆蓋該第一半導(dǎo)體晶粒，并且該第二鈍化層和該第一重分布層結(jié)構(gòu)分別覆蓋該第一模塑料的兩相對(duì)表面。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一半導(dǎo)體晶粒與該天線圖案通過該多個(gè)第一導(dǎo)電線路隔開。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一半導(dǎo)體晶粒具有正面及背面，其中該第一半導(dǎo)體晶粒的多個(gè)接墊位于該第一半導(dǎo)體晶粒的該正面上，該多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于該半導(dǎo)體晶粒的該背面所在的一側(cè)。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一半導(dǎo)體封裝進(jìn)一步包括：

第二重分布層結(jié)構(gòu)，設(shè)置在該第一半導(dǎo)體晶粒的該背面上，其中該多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性耦接至該第二重分布層結(jié)構(gòu)。

9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一模塑料覆蓋該第一半導(dǎo)體晶粒的該背面。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一表面比該第二表面更靠近該半導(dǎo)體晶粒和該多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一半導(dǎo)體封裝進(jìn)一步包括：

第二半導(dǎo)體晶粒，設(shè)置于該第一表面上并且與該第一半導(dǎo)體晶粒并排設(shè)置。

12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，進(jìn)一步包括：第二半導(dǎo)體封裝，其中該第一半導(dǎo)體封裝堆疊在該第二半導(dǎo)體封裝上；

其中，該第二半導(dǎo)體封裝包括：第三重分布層結(jié)構(gòu)、第三半導(dǎo)體晶粒和第二模塑料；

其中，該第三重分布層結(jié)構(gòu)具有相對(duì)設(shè)置的第三表面與第四表面并且耦接至該第一重分布層結(jié)構(gòu)；

其中，該第三半導(dǎo)體晶粒設(shè)置于該第三表面上；

其中，該第二模塑料圍繞該第三半導(dǎo)體晶粒，并且接觸該三表面和該第三半導(dǎo)體晶粒；

其中，該第三半導(dǎo)體晶粒與該第二模塑料位于該第三重分布層結(jié)構(gòu)與該第一半導(dǎo)體封裝之間。

13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)設(shè)置在該第四表面上，并且通過該第三重分布層結(jié)構(gòu)電性耦接至該第一重分布層結(jié)構(gòu)。