[發明專利]一種多級孔道TS-1沸石材料及其制備方法

有效

• 申請號: 201710205254.0
• 申請日: 2017-03-31
• 公開（公告）號: CN108658087B
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 李鳳艷;宗保寧;杜澤學;曾建立
• 申請（專利權）人: 中國石油化工股份有限公司;中國石油化工股份有限公司石油化工科學研究院
• 主分類號: C01B37/00
• 分類號: C01B37/00;B01J29/03;B01J35/10
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1.一種多級孔道TS-1沸石材料，包含TS-1沸石和TiO₂-SiO₂載體，TS-1沸石與TiO₂-SiO₂載體的重量比為1：4.8～9；所述沸石材料是具有0.20～2μm的大孔、2～15nm的介孔和0.5～2nm的微孔的整體成型材料，其晶格結構是Ti⁴⁺部分進入分子篩骨架，部分以銳鈦礦晶型均勻嵌在SiO₂的骨架中，SiO₂呈現非晶態。

2.按照權利要求1所述的沸石材料，其中，XRD譜圖在2θ角為7.9°，8.8°，23.1°，23.6°和24.4°處有TS-1沸石的特征峰出現。

3.按照權利要求1所述的沸石材料，其中，XRD譜圖在2θ角25.4°、37.8°和48.2°出現分別屬于銳鈦礦相的(101)、(004)、(200)晶面的衍射峰。

4.按照權利要求1所述的沸石材料，孔容為0.09～0.17cm³/g，比表面積為50～210cm²/g。

5.一種多級孔道TS-1沸石材料的制備方法，包含以下步驟：

(1)將水、有機堿、無機堿混合均勻后，得到前驅體溶液；

(2)將微米級通孔TiO₂-SiO₂載體在前驅體溶液中充分浸漬，然后過濾取出；

(3)將前驅體濾液倒入高壓反應釜底部，將浸漬過的載體置于高于液面的支架上；

(4)將反應釜密封，120～220℃下水熱反應12～72h；

(5)將載體取出水洗，干燥，焙燒，即得多級孔道TS-1沸石整體成型材料。

6.按照權利要求5所述的制備方法，其中，步驟(1)所述的堿源為無機堿和有機堿，無機堿為氫氧化鈉或氫氧化鉀，有機堿為四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨或四丙基溴化銨。

7.按照權利要求5所述的制備方法，其中，步驟(2)中，在超聲和/或負壓下，將微米級通孔TiO₂-SiO₂載體在前驅體溶液中浸漬5～60min。

8.按照權利要求5所述的制備方法，其中，步驟(4)中，在160～200℃下水熱反應24～48h。

9.按照權利要求5所述的制備方法，其中，步驟(5)中，在100～120℃下干燥12～24h，在400～700℃的空氣氣氛中焙燒2～8h。

10.按照權利要求5所述的制備方法，其中，其中步驟(2)所述的微米級通孔TiO₂-SiO₂載體，具有通透的大孔，孔徑為0.20～2μm；XRD譜圖中衍射角25.4°、37.8°和48.2°分別屬于銳鈦礦相的(101)、(004)、(200)晶面的衍射峰，SiO₂呈現非晶態。

11.按照權利要求10所述的制備方法，其中，所述的微米級通孔TiO₂-SiO₂載體的制備方法包括以下步驟：在攪拌條件下，在冰浴下的鈦源中加入乙酸，攪拌后加入聚環氧乙烷、鹽酸和水的混合液，加入硅源，溶解后加入N-甲基甲酰胺，再將所得混合物溶膠密封，陳化，干燥，焙燒，得到微米級通孔TiO₂-SiO₂整體材料。

12.按照權利要求11所述的制備方法，其中，所述的硅源為正硅酸四烷基酯或三甲基乙氧基硅烷，和/或所述鈦源為鈦酸四烷基酯。