[發明專利]GFF結構觸摸屏的制造方法在審
| 申請號： | 201710204756.1 | 申請日： | 2017-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN107422895A | 公開（公告）日： | 2017-12-01 |
| 發明（設計）人： | 謝仰彬 | 申請（專利權）人： | 深圳市駿達光電股份有限公司 |
| 主分類號： | G06F3/041 | 分類號： | G06F3/041 |
| 代理公司： | 深圳眾鼎專利商標代理事務所(普通合伙)44325 | 代理人： | 譚果林 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市寶安區*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | gff 結構 觸摸屏 制造 方法 | ||
1.GFF結構觸摸屏的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：
制作上線路ITO薄膜層，在所述上線路ITO薄膜層的上表面形成上層OCA光學膠層；
制作下線路ITO薄膜層，在所述下線路ITO薄膜層的上表面形成下層OCA光學膠層；
將所述下層OCA光學膠層與所述上線路ITO薄膜層進行貼合；
將柔性線路板分別與所述上線路ITO薄膜層及所述下線路ITO薄膜層進行綁定；
在玻璃基板的下板面形成油墨層；
將所述上層OCA光學膠層與所述油墨層的下表面貼合。
2.如權利要求1所述的GFF結構觸摸屏的制造方法，其特征在于，所述制作上線路ITO薄膜層的步驟包括：
在上線路基材的上表面形成上線路導電ITO層；
利用縮水老化處理使所述上線路基材及所述上線路導電ITO層完全結晶；
在所述上線路導電ITO層上貼合干膜，進行紫外曝光處理，使所述干膜沿導電線路圖案的方向硬化；
將未硬化的所述干膜利用顯影液清洗掉，暴露出所述上線路導電ITO層；
將暴露出的所述上線路導電ITO層利用蝕刻液蝕刻掉；
對已經硬化的所述干膜進行退膜處理，使所述上線路基材上僅存留形成上層導電線路的所述上線路導電ITO層；
在形成所述上層導電線路的所述上線路導電ITO層的邊框區域上印刷導電銀膠，對所述導電銀膠進行激光刻蝕以形成上層銀膠搭接線路。
3.如權利要求2所述的GFF結構觸摸屏的制造方法，其特征在于：所述上線路基材為PET基材。
4.如權利要求1所述的GFF結構觸摸屏的制造方法，其特征在于，所述制作下線路ITO薄膜層的步驟包括：
在下線路基材的上表面形成下線路導電ITO層；
利用縮水老化處理使所述下線路基材及所述下線路導電ITO層完全結晶；
在所述下線路導電ITO層上貼合干膜，進行紫外曝光處理，使所述干膜沿導電線路圖案的方向硬化；
將未硬化的所述干膜利用顯影液清洗掉，暴露出所述下線路導電ITO層；
將暴露出的所述下線路導電ITO層利用蝕刻液蝕刻掉；
對已經硬化的所述干膜進行退膜處理，使所述下線路基材上僅存留形成下層導電線路的所述下線路導電ITO層；
在形成所述下層導電線路的所述下線路導電ITO層的邊框區域上印刷導電銀膠，對所述導電銀膠進行激光刻蝕以形成下層銀膠搭接線路。
5.如權利要求4所述的GFF結構觸摸屏的制造方法，其特征在于：所述下線路基材為PET基材。
6.如權利要求2或4所述的GFF結構觸摸屏的制造方法，其特征在于：所述縮水老化處理的溫度為150℃-160℃，老化速率為1.0m/min-2.0m/min。
7.如權利要求1所述的GFF結構觸摸屏的制造方法，其特征在于：將所述下層OCA光學膠層與所述上線路ITO薄膜層進行貼合時的滾貼壓力為2.5Kgf/CM2-3Kgf/CM2，滾貼速度為0.04mm/ms-0.06mm/ms。
8.如權利要求1所述的GFF結構觸摸屏的制造方法，其特征在于，所述將柔性線路板分別與所述上線路ITO薄膜層及所述下線路ITO薄膜層進行綁定的步驟包括：
將預貼好ACF導電膠的所述柔性線路板與所述上線路ITO薄膜層及所述下線路ITO薄膜層進行熱壓貼合處理。
9.如權利要求8所述的GFF結構觸摸屏的制造方法，其特征在于：所述熱壓貼合處理的壓力為26KGF-28KGF，溫度為165℃-175℃，時間11S-15S。
10.如權利要求1所述的GFF結構觸摸屏的制造方法，其特征在于：將所述上層OCA光學膠層與所述油墨層的下表面貼合時的貼合壓力為0.2MPa-0.4MPa，貼合速度為110mm/s-140mm/s。
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