[發明專利]一種陣列基板的制作方法及陣列基板

在審

• 申請號: 201710204719.0
• 申請日: 2017-03-30
• 公開（公告）號: CN106971980A
• 公開（公告）日: 2017-07-21
• 發明（設計）人: 洪光輝;龔強
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L27/12
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙)44300
• 代理人: 黃威

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板的制作方法及陣列基板。

背景技術

現在開發的自容內嵌式(Incell Touch)觸控技術是將有效顯示區的公共電極分成小區塊作為觸控電極。每個觸控電極都有連接觸控芯片的觸控信號線以接收觸控信號。

參閱圖1，圖1為現有的陣列基板的結構示意圖，如圖1所示，在現有的陣列基板制程中，在基板101上生長有源層，以形成薄膜晶體管的導電溝道102。在有源層上依次生長第一絕緣層103和第一金屬層，以形成薄膜晶體管的柵極104和掃描線105。在第一金屬層上生長第二絕緣層106，隨后在第二絕緣層上生長第二金屬層，以形成薄膜晶體管的源極107和漏極108，以及數據線109，接著在第二金屬層上依次生長有機平坦化層110和第三金屬層，以形成觸控信號線111。在第三金屬層上依次生長第三絕緣層112和第四金屬層，以形成觸控電極113。在第四金屬層上生長第四絕緣層114和第五金屬層，以形成像素電極115。其中，像素115電極通過第一過孔116與薄膜晶體管的漏極108連接，觸控電極113通過第二過孔117與觸控信號線111連接。

由此可見，為了制作觸控信號線111，在制作陣列基板時，新增一道金屬制程，及第三金屬層，其增加了產品的制作成本并且會降低產品的良率。

故，有必要提供一種陣列基板的制作方法及陣列基板，以解決現有技術所存在的問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種陣列基板的制作方法及陣列基板，能夠簡化工藝流程，進而節約成本，提高產品的良率以及市場競爭力。

本發明提供一種陣列基板的制作方法，包括：

基板；

在所述基板上生長有源層，以形成薄膜晶體管的導電溝道；

在所述有源層上生長第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上生長第一金屬層，以形成所述薄膜晶體管的柵極、掃描線、第一數據線第二數據線；其中，所述第一數據線與所述第二數據線位于所述掃描線兩端，且互不連接；

在所述第一金屬層上生長第二絕緣層；

在所述第二絕緣層上生長第二金屬層，以形成所述薄膜晶體管的源極、漏極、連接線以及觸控信號線；其中，所述連接線用于連接所述第一數據線與所述第二數據線；

在所述第二金屬層上生長有機平坦化層；

在所述有機平坦化層上生長第三金屬層，以形成觸控電極，其中，所述觸控電極與所述觸控信號線連接；

在所述第三金屬層上生長第三絕緣層；

在所述第三絕緣層上生長第四金屬層，以形成像素電極，所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏極連接。

在本發明的陣列基板的制作方法中，所述第二絕緣層上設有第一通孔和第二通孔，所述連接線通過所述第一通孔與所述第一數據線連接，所述連接線通過所述第二通孔與所述第二數據線連接。

在本發明的陣列基板的制作方法中，所述薄膜晶體管的源極通過第三通孔與所述薄膜晶體管的導電溝道的一端連接，所述薄膜晶體管的漏極通過第四通孔與所述薄膜晶體管的導電溝道的另一端連接。

在本發明的陣列基板的制作方法中，所述第三通孔以及所述第四通孔均貫穿所述第一絕緣層和所述第二絕緣層。

在本發明的陣列基板的制作方法中，所述像素電極通過第五通孔與所述薄膜晶體管的漏極連接。

在本發明的陣列基板的制作方法中，所述第五通孔均貫穿所述第三絕緣層、所述第三金屬層以及所述有機平坦化層。

在本發明的陣列基板的制作方法中，所述觸控電極通過第六通孔與所述觸控信號線連接。

在本發明的陣列基板的制作方法中，所述第六通孔貫穿所述有機平坦化層。

在本發明的陣列基板的制作方法中，在所述在所述基板上生長有源層，以形成薄膜晶體管的導電溝道的步驟之前，還包括：

在所述基板上依次形成遮光層以及第四絕緣層。

依據本發明的上述目的，還提供一種陣列基板，包括：

基板；

在所述基板上的有源層，以形成薄膜晶體管的導電溝道；

在所述有源層上的第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上的第一金屬層，以形成所述薄膜晶體管的柵極、掃描線、第一數據線第二數據線；其中，所述第一數據線與所述第二數據線位于所述掃描線兩端，且互不連接；

在所述第一金屬層上的第二絕緣層；

在所述第二絕緣層上的第二金屬層，以形成所述薄膜晶體管的源極、漏極、連接線以及觸控信號線；其中，所述連接線用于連接所述第一數據線與所述第二數據線；