[發明專利]一種陣列基板的制作方法及陣列基板

在審

• 申請號: 201710204719.0
• 申請日: 2017-03-30
• 公開（公告）號: CN106971980A
• 公開（公告）日: 2017-07-21
• 發明（設計）人: 洪光輝;龔強
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L27/12
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙)44300
• 代理人: 黃威

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

基板；

在所述基板上生長有源層，以形成薄膜晶體管的導電溝道；

在所述有源層上生長第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上生長第一金屬層，以形成所述薄膜晶體管的柵極、掃描線、第一數據線以及第二數據線；其中，所述第一數據線與所述第二數據線位于所述掃描線兩端，且互不連接；

在所述第一金屬層上生長第二絕緣層；

在所述第二絕緣層上生長第二金屬層，以形成所述薄膜晶體管的源極、漏極、連接線以及觸控信號線；其中，所述連接線用于連接所述第一數據線與所述第二數據線；

在所述第二金屬層上生長有機平坦化層；

在所述有機平坦化層上生長第三金屬層，以形成觸控電極，其中，所述觸控電極與所述觸控信號線連接；

在所述第三金屬層上生長第三絕緣層；

在所述第三絕緣層上生長第四金屬層，以形成像素電極，所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏極連接。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第二絕緣層上設有第一通孔和第二通孔，所述連接線通過所述第一通孔與所述第一數據線連接，所述連接線通過所述第二通孔與所述第二數據線連接。

3.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶體管的源極通過第三通孔與所述薄膜晶體管的導電溝道的一端連接，所述薄膜晶體管的漏極通過第四通孔與所述薄膜晶體管的導電溝道的另一端連接。

4.根據權利要求3所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第三通孔以及所述第四通孔均貫穿所述第一絕緣層和所述第二絕緣層。

5.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述像素電極通過第五通孔與所述薄膜晶體管的漏極連接。

6.根據權利要求5所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第五通孔均貫穿所述第三絕緣層、所述第三金屬層以及所述有機平坦化層。

7.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述觸控電極通過第六通孔與所述觸控信號線連接。

8.根據權利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第六通孔貫穿所述有機平坦化層。

9.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述在所述基板上生長有源層，以形成薄膜晶體管的導電溝道的步驟之前，還包括：

在所述基板上依次形成遮光層以及第四絕緣層。

10.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基板；

在所述基板上的有源層，以形成薄膜晶體管的導電溝道；

在所述有源層上的第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上的第一金屬層，以形成所述薄膜晶體管的柵極、掃描線、第一數據線第二數據線；其中，所述第一數據線與所述第二數據線位于所述掃描線兩端，且互不連接；

在所述第一金屬層上的第二絕緣層；

在所述第二絕緣層上的第二金屬層，以形成所述薄膜晶體管的源極、漏極、連接線以及觸控信號線；其中，所述連接線用于連接所述第一數據線與所述第二數據線；

在所述第二金屬層上的有機平坦化層；

在所述有機平坦化層上的第三金屬層，以形成觸控電極，其中，所述觸控電極與所述觸控信號線連接；

在所述第三金屬層上的第三絕緣層；

在所述第三絕緣層上的第四金屬層，以形成像素電極，所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏極連接。