[發明專利]用于隔離器的儲能電路和頻率跳轉

有效

• 申請號: 201710204461.4
• 申請日: 2017-03-31
• 公開（公告）號: CN107276535B
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發明（設計）人: 楊鑫;趙天挺;陳寶興
• 申請（專利權）人: 亞德諾半導體集團
• 主分類號: H03B5/04
• 分類號: H03B5/04;H03B5/12;H02J50/12
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 申發振

本公開涉及用于隔離器的儲能電路和頻率跳轉。本公開的實施例可以提供包括儲能電路的電路。儲能電路可以包括具有一對端子的電感器、第一對晶體管和第一對電容器。每個晶體管可以耦合在電感器的相應端子和沿晶體管的源極?漏極路徑的參考電壓之間。每個電容器可以設置在耦合到第一對中的相應第一晶體管的電感器端子與第一對中的第二晶體管的柵極之間的信號路徑中。

技術領域

本公開通常涉及用于在隔離屏障上發射功率并對功率傳輸施加跳頻的電路。

背景技術

一些集成電路包括彼此電隔離的兩個或多個電壓域。在這樣的集成電路中，可能期望將功率從一個域傳輸到另一個域。將電力從一個域傳輸到另一個域的現有電路在保持電隔離的同時遭受各種缺點。例如，一些常規的儲能電路使用交叉耦合的金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，這導致效率差和電磁干擾(EMI)性能差。

因此，本發明人認識到在本領域中需要在電隔離域之間有效地傳輸功率并提高EMI性能的電路和方法。

發明內容

根據本公開的一個方面，提供一種振蕩器電路。該振蕩器電路包括儲能電路。該儲能電路包括：具有一對端子的電感器；第一對晶體管，每個晶體管耦合在電感器的相應端子和沿晶體管的源極-漏極路徑的接地參考電壓之間；第一對電容器，每個電容器設置在耦合到第一對晶體管中的相應第一晶體管的電感器端子與第一對晶體管中的第二晶體管的柵極之間的信號路徑中，以及第二對晶體管，沿著它們的源極至漏極路徑在第一對晶體管中的相應晶體管的柵極和參考電壓之間耦合，并且具有用于接收控制信號的柵極。其中，所述控制信號的第一狀態激活所述第二對晶體管，所述第二對晶體管的激活使所述第一對晶體管失活，并且禁用所述振蕩器電路的振蕩。

附圖說明

圖1示出了根據本公開的實施例的振蕩器電路。

圖2示出了根據本公開的實施例的振蕩器電路。

圖3示出了根據本公開的實施例的跳頻控制方法。

圖4示出了根據本公開的實施例的示例性跳頻圖。

圖5示出了根據本公開的實施例的用于集成電路的拓撲。

具體實施方式

本公開的實施例可以提供包括儲能電路的電路。儲能電路可以包括具有一對端子的電感器、第一對晶體管和第一對電容器。每個晶體管可以耦合在電感器的相應端子和沿晶體管的源極到漏極路徑的參考電壓之間。每個電容器可以設置在耦合到第一對中的相應第一晶體管的電感器端子與第一對中的第二晶體管的柵極之間的信號路徑中。

本公開的實施例可以提供用于產生振蕩頻率的控制器方法。所述方法可以包括在第一時間的情況下：激活所述儲能電路的第一對晶體管，每一個晶體管耦合在具有一對端子的電感器的相應端子和沿著所述晶體管的源極至漏極路徑的參考電壓之間；作為激活的結果，耦合設置在第一對中的第一晶體管的源極或漏極端子與第一對中的第二晶體管的柵極之間的信號路徑中的儲能電路的一對電容器中的第一對；并且作為激活的結果，耦合在所述第一對中的所述第二晶體管的源極或漏極端子與所述第一對中的所述第一晶體管的柵極之間的信號路徑中的所述一對電容器中的第二對，其中，在電感器的端子處產生具有振蕩頻率的電壓，以在隔離屏障上傳輸電力。

本公開的實施例可以提供電路。電路可以包括用于在第一時間激活電感器-電容器(LC)儲能電路的第一對晶體管的裝置，每個晶體管耦合在具有一對端子的電感器的相應端子和沿著源極的參考電壓到晶體管的漏極路徑。電路還可以包括第一裝置，作為激活的結果，耦合設置在第一對的第一晶體管的源極或漏極端子和第一對中的第二晶體管的柵極之間的信號路徑中的一對電容器的電容器中的第一個。電路還可以包括第二裝置，作為激活的結果，耦合在設置在第一對中的另一個晶體管的源極或漏極端子與第一對中第一晶體管的柵極之間的信號路徑中的一對電容器中的第二個之間，其中在電感器的端子處產生具有振蕩頻率的電壓以在隔離屏障上傳輸電力。