[發明專利]用于隔離器的儲能電路和頻率跳轉

有效

• 申請號: 201710204461.4
• 申請日: 2017-03-31
• 公開（公告）號: CN107276535B
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發明（設計）人: 楊鑫;趙天挺;陳寶興
• 申請（專利權）人: 亞德諾半導體集團
• 主分類號: H03B5/04
• 分類號: H03B5/04;H03B5/12;H02J50/12
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 申發振

1.一種振蕩器電路，包括：

儲能電路，包括：

具有一對端子的電感器，

第一對晶體管，每個晶體管耦合在電感器的相應端子和沿晶體管的源極-漏極路徑的接地參考電壓之間，

第一對電容器，每個電容器設置在耦合到第一對晶體管中的相應第一晶體管的電感器端子與第一對晶體管中的第二晶體管的柵極之間的信號路徑中，以及

第二對晶體管，沿著它們的源極至漏極路徑在第一對晶體管中的相應晶體管的柵極和參考電壓之間耦合，并且具有用于接收控制信號的柵極，

其中，所述控制信號的第一狀態激活所述第二對晶體管，所述第二對晶體管的激活使所述第一對晶體管失活，并且禁用所述振蕩器電路的振蕩。

2.根據權利要求1所述的振蕩器電路，其中，所述控制信號的第二狀態使所述第二對晶體管失活，所述第二對晶體管的失活激活所述第一對晶體管并且使得能所述振蕩器電路的振蕩。

3.根據權利要求1所述的振蕩器電路，還包括用于提供所述控制信號的控制電路。

4.根據權利要求1所述的振蕩器電路，其中所述第一對晶體管是DMOS晶體管。

5.根據權利要求1所述的振蕩器電路，其中所述第一對電容器具有基本相等的電容。

6.根據權利要求1所述的振蕩器電路，其中所述第一對晶體管的尺寸基本相同。

7.根據權利要求1所述的振蕩器電路，還包括至少一個子儲能電路，每個子儲能電路包括：

第三對晶體管，每個晶體管耦合在電感器的相應端子和沿著晶體管的源極-漏極路徑的參考電壓之間，以及

第二對電容器，每個電容器設置在耦合到第三對晶體管中的相應第一晶體管的電感器端子與第三對晶體管中的第二晶體管的柵極之間的信號路徑中。

8.根據權利要求7所述的振蕩器電路，其中，每個子儲能電路還包括第四對晶體管，沿著其源極到漏極路徑在第三對晶體管中的各個晶體管的柵極和參考電壓之間耦合，并且具有柵極以接收控制信號。

9.根據權利要求8所述的振蕩器電路，其中，所述控制信號的第一狀態激活所述第四對晶體管，所述第四對晶體管的激活使所述第三對晶體管失活，以及

控制信號的第二狀態使第四對晶體管失活，第四對晶體管的失活激活第三對晶體管。

10.根據權利要求7所述的振蕩器電路，其中，每個子儲能電路還包括第四對晶體管，沿著其源極至漏極路徑在所述第二對電容器中的電容器和所述第三對晶體管中的晶體管的柵極之間耦合，并具有用于接收第二控制信號的柵極。

11.根據權利要求10所述的振蕩器電路，其中，所述第二控制信號的第一狀態激活所述第四對晶體管，所述第四對晶體管的激活使得所述子儲能電路能夠振蕩，以及

第二控制信號的第二狀態使第四對晶體管失活。

12.根據權利要求7所述的振蕩器電路，其中，所述第一對和第二晶體管是DMOS晶體管，并且基本相同的尺寸。

13.根據權利要求1所述的振蕩器電路，其中，所述電感器是設置在第一電路系統中的變壓器的第一繞組，所述變壓器的第二繞組設置在與所述第一電路系統電隔離的第二電路系統中。

14.根據權利要求1所述的振蕩器電路，其中，所述電感器包括耦合到電源的中心抽頭。