[發明專利]半導體裝置的形成方法在審
| 申請號： | 201710203359.2 | 申請日： | 2017-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN107818919A | 公開（公告）日： | 2018-03-20 |
| 發明（設計）人： | 黃彥鈞;陳婷婷;蘇煜中;聶菱甫;蘇品全;蔡騰群;黃泰鈞;鄭雅如 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司72003 | 代理人： | 李昕巍,章侃銥 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置的形成方法，包括：
形成一凹陷，以露出一晶片上的多個半導體鰭狀物；
形成一虛置接點材料于該凹陷中，且該虛置接點材料含碳；
以一或多道烘烤步驟硬化該虛置接點材料，且該或所述多道烘烤步驟硬化該虛置接點材料；
將該虛置接點材料的第一部分置換為一層間介電物；以及
將該虛置接點材料的第二部分置換為多個接點，且所述多個接點電性耦接至所述多個半導體鰭狀物的源極/漏極區。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
