[發明專利]半導體裝置的形成方法

在審

• 申請號: 201710203359.2
• 申請日: 2017-03-30
• 公開（公告）號: CN107818919A
• 公開（公告）日: 2018-03-20
• 發明（設計）人: 黃彥鈞;陳婷婷;蘇煜中;聶菱甫;蘇品全;蔡騰群;黃泰鈞;鄭雅如
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L27/088
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司72003
• 代理人: 李昕巍,章侃銥

技術領域

本公開實施例涉及半導體裝置的形成方法，尤其涉及虛置接點材料的處理步驟。

背景技術

半導體裝置用于大量的電子裝置中，比如電腦、手機、與其他裝置。半導體裝置包含集成電路，其形成于半導體晶片上的方法可為沉積多種材料的薄膜于半導體晶片上，并圖案化材料的薄膜以形成集成電路。集成電路包含場效晶體管如金氧半晶體管。

半導體產業的目標之一為持續縮小個別場效晶體管的尺寸并增加個別場效晶體管的速度。為達到這些目標，已研究并實施鰭狀場效晶體管或多柵極晶體管。然而隨著鰭狀場效晶體管的新裝置結構與持續縮小，發現新的挑戰。

發明內容

本公開一實施例提供的半導體裝置的形成方法，包括形成凹陷以露出晶片上的多個半導體鰭狀物；形成虛置接點材料于凹陷中，且虛置接點材料含碳；以一或多道烘烤步驟硬化虛置接點材料，且烘烤步驟硬化虛置接點材料；將虛置接點材料的第一部分置換為層間介電物；以及將虛置接點材料的第二部分置換為多個接點，且接點電性耦接至半導體鰭狀物的源極/漏極區。

附圖說明

圖1是一例中，鰭狀場效晶體管的三維圖。

圖2至圖6、圖7A至圖7B、圖8A至圖8B、圖9A至圖9B、圖10A至圖10B、圖11A至圖11B、圖12A至圖12B、圖13A至圖13B、圖14A至圖14C、圖15A至圖15C、圖16A至圖16C、圖17A至圖17C、圖18A至圖18C、圖19A至圖19C、圖20A至圖20C、圖21A至圖21C、與圖22A至圖22C是一些實施例中，鰭狀場效晶體管于制程的中間階段的剖視圖與三維圖。

其中，附圖標記說明如下：

A-A、B-B、C-C 剖線

30 鰭狀場效晶體管

32、50 基板

34、54 隔離區

36、52、56 鰭狀物

38 柵極介電物

40 柵極

42、44 源極/漏極區

50B 第一區

50C 第二區

58 虛置介電層

60 虛置柵極層

62 遮罩層

70 虛置柵極

72 遮罩

80 柵極密封間隔物

82 磊晶的源極/漏極區

86 柵極間隔物

88 虛置層間介電層

94、110、114 凹陷

98、102 柵極介電層

100、104 柵極

112 硬遮罩

116 虛置接點材料

118 底抗反射涂層

120 中間硬遮罩層

122 頂光致抗蝕劑層

124、128 開口

126 層間介電層

130 置換接點

具體實施方式

下述內容提供的不同實施例或實例可實施本公開的不同結構。特定構件與排列的實施例是用以簡化本公開而非局限本公開。舉例來說，形成第一構件于第二構件上的敘述包含兩者直接接觸，或兩者之間隔有其他額外構件而非直接接觸。此外，本公開的多種例子中可重復標號及/或符號，但這些重復僅用以簡化與清楚說明，不代表不同實施例及/或設置之間具有相同標號及/或符號的單元之間具有相同的對應關系。

此外，空間性的相對用語如“下方”、“其下”、“較下方”、“上方”、“較上方”或類似用語可用于簡化說明某一元件與另一元件在附圖中的相對關系?？臻g性的相對用語可延伸至以其他方向使用的元件，而非局限于附圖方向。元件亦可轉動90°或其他角度，因此方向性用語僅用以說明附圖中的方向。