[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710203142.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-03-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108417626B | 公開(公告)日: | 2021-07-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林立凡;楊竣杰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)達(dá)電子工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L29/778 | 分類號(hào): | H01L29/778;H01L29/417 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;章侃銥 |
| 地址: | 中國臺(tái)*** | 國省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置,包含:
一主動(dòng)層,具有一主動(dòng)區(qū);
至少一源極電極與至少一漏極電極,置于該主動(dòng)層的該主動(dòng)區(qū)上且沿著一第一方向排列;
至少一柵極電極,置于該主動(dòng)層的該主動(dòng)區(qū)上,且置于該源極電極與該漏極電極之間;
一第一絕緣層,置于該源極電極、該漏極電極與該柵極電極上;
一第二絕緣層,置于該第一絕緣層上;
一第三絕緣層,置于該第一絕緣層與該主動(dòng)層之間;
一第一源極墊,電性連接該源極電極,該第一源極墊包含:
至少一第一下源極分支,沿著一第二方向延伸,置于該第一絕緣層與該第二絕緣層之間,且置于該源極電極上,其中該第二方向不同于該第一方向;以及
一第一源極本體,置于該第二絕緣層與該主動(dòng)層的該主動(dòng)區(qū)上,且沿著該第一方向延伸;以及
一第一漏極墊,電性連接該漏極電極,該第一漏極墊包含:
至少一第一下漏極分支,沿著該第二方向延伸,置于該第一絕緣層與該第二絕緣層之間,且置于該漏極電極上;以及
一第一漏極本體,置于該第二絕緣層與該主動(dòng)層的該主動(dòng)區(qū)上,且沿著該第一方向延伸;
其中該源極電極包含:
一下源極部,置于該第三絕緣層與該主動(dòng)層之間;
一上源極部,置于該第一絕緣層與該第三絕緣層之間,其中該下源極部電性連接至該上源極部;以及
至少一貫穿結(jié)構(gòu),連接于該下源極部與該上源極部之間。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其中該第一源極墊還包含一第一上源極分支,置于該第二絕緣層與該第一下源極分支上,且自該第一源極本體突出。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置,其中該第一漏極墊還包含一第一上漏極分支,置于該第二絕緣層與該第一下漏極分支上,且自該第一漏極本體突出。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其中該第一下源極分支的數(shù)量為多個(gè),且所述第一下源極分支彼此隔開。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置,其中該第一下漏極分支的數(shù)量為多個(gè),且所述第一下漏極分支彼此隔開。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其中該源極電極與該第一漏極墊的該第一漏極本體之間形成一空間,且該第一下源極分支置于該空間之外。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其中該第一絕緣層與該第二絕緣層的總厚度大于4微米。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其中該第一源極墊為多個(gè),所述第一源極墊置于該第一絕緣層與該主動(dòng)層的該主動(dòng)區(qū)上。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置,其中該第一漏極本體為多個(gè),所述第一漏極墊置于該第一絕緣層與該主動(dòng)層的該主動(dòng)區(qū)上且與所述第一源極墊沿著該第二方向交替排列。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其中該第一源極墊于該主動(dòng)層的正投影形成一源極墊區(qū)域,且該漏極電極于該主動(dòng)層的正投影形成一漏極區(qū)域,該源極墊區(qū)域重疊至少部分的該漏極區(qū)域,且該源極墊區(qū)域與該漏極區(qū)域的重疊區(qū)域的面積小于或等于40%的該漏極區(qū)域的面積。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其中該漏極電極包含:
一下漏極部,置于該第三絕緣層與該主動(dòng)層之間;以及
一上漏極部,置于該第一絕緣層與該第三絕緣層之間,其中該下漏極部電性連接至該上漏極部。
12.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置,還包含:
一第四絕緣層,置于該第一源極墊與該第一漏極墊上;
一第二源極墊,置于該第四絕緣層上,并電性連接至該第一源極墊;以及
一第二漏極墊,置于該第四絕緣層上,并電性連接至該第一漏極墊。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的





