[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710203142.1
• 申請日: 2017-03-30
• 公開（公告）號: CN108417626B
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林立凡;楊竣杰
• 申請（專利權(quán)）人: 臺達(dá)電子工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/417
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

本公開提供一種半導(dǎo)體裝置，包含主動層、源極電極、漏極電極、柵極電極、第一絕緣層、第二絕緣層、第一源極墊與第一漏極墊。源極電極、漏極電極與柵極電極置于主動層上。第一絕緣層置于源極電極、漏極電極與柵極電極上。第二絕緣層置于第一絕緣層上。第一源極墊電性連接源極電極且包含第一下源極分支與第一源極本體。第一下源極分支置于第一絕緣層與第二絕緣層之間。第一源極本體置于第二絕緣層上。第一漏極墊電性連接漏極電極且包含第一下漏極分支與第一漏極本體。第一下漏極分支置于第一絕緣層與第二絕緣層之間。第一漏極本體置于第二絕緣層上。本公開提供的半導(dǎo)體裝置可有效縮減半導(dǎo)體元件的尺寸。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

氮化物半導(dǎo)體(nitride semiconductor)具有高崩潰電場與高電子飽和速度，因此，氮化物半導(dǎo)體被期望為制作具有高崩潰電壓與低導(dǎo)通電阻的半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體材料。許多使用氮化物相關(guān)半導(dǎo)體的半導(dǎo)體裝置具有異質(zhì)結(jié)構(gòu)物。異質(zhì)結(jié)構(gòu)物是由具不同能隙的氮化物半導(dǎo)體所組成，并于界面生成二維電子氣(two-dimensional electron gaslayer)。具有異質(zhì)結(jié)構(gòu)物的半導(dǎo)體裝置可實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻。這種半導(dǎo)體裝置被稱為高電子遷移率晶體管(High Electron Mobility Transistors,HEMT)。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的一實施方式提供一種半導(dǎo)體裝置，包含主動層、至少一源極電極、至少一漏極電極、至少一柵極電極、第一絕緣層、第二絕緣層、第一源極墊與第一漏極墊。主動層具有主動區(qū)。源極電極與漏極電極置于主動層的主動區(qū)上，且沿著第一方向排列。柵極電極置于主動層的主動區(qū)上，且置于源極電極與漏極電極之間。第一絕緣層置于源極電極、漏極電極與柵極電極上。第二絕緣層置于第一絕緣層上。第一源極墊電性連接源極電極且包含至少一第一下源極分支與第一源極本體。第一下源極分支沿著第二方向延伸，置于第一絕緣層與第二絕緣層之間，且置該源極電極上。第二方向不同于第一方向。第一源極本體置于第二絕緣層與主動層的主動區(qū)上，且沿著第一方向延伸。第一漏極墊電性連接漏極電極且包含至少一第一下漏極分支與第一漏極本體。第一下漏極分支沿著第二方向延伸，置于第一絕緣層與第二絕緣層之間，且置于漏極電極上。第一漏極本體置于第二絕緣層與主動層的主動區(qū)上且沿著第一方向延伸。

在一或多個實施方式中，第一源極墊還包含第一上源極分支，置于第二絕緣層與第一下源極分支上，且自第一源極本體突出。

在一或多個實施方式中，第一漏極墊還包含第一上漏極分支，置于第二絕緣層與第一下漏極分支上，且自第一漏極本體突出。

在一或多個實施方式中，第一下源極分支的數(shù)量為多個，且第一下源極分支彼此隔開。

在一或多個實施方式中，第一下漏極分支的數(shù)量為多個，且第一下漏極分支彼此隔開。

在一或多個實施方式中，源極電極與第一漏極墊的第一漏極本體之間形成一空間，且第一下源極分支置于空間之外。

在一或多個實施方式中，第一絕緣層與第二絕緣層的總厚度大于4微米。

在一或多個實施方式中，第一源極墊為多個，第一源極墊置于第一絕緣層與主動層的主動區(qū)上。

在一或多個實施方式中，第一漏極本體為多個，第一漏極墊置于第一絕緣層與主動層的主動區(qū)上且與些第一源極墊沿著第二方向交替排列。

在一或多個實施方式中，第一源極墊于主動層的正投影形成一源極墊區(qū)域，且漏極電極于主動層的正投影形成一漏極區(qū)域。源極墊區(qū)域重疊至少部分的漏極區(qū)域，且源極墊區(qū)域與漏極區(qū)域的重疊區(qū)域的面積小于或等于40％的漏極區(qū)域的面積。

在一或多個實施方式中，半導(dǎo)體裝置還包含第三絕緣層，置于第一絕緣層與主動層之間。源極電極包含下源極部與上源極部。下源極部置于第三絕緣層與主動層之間。上源極部置于第一絕緣層與第三絕緣層之間。下源極部電性連接至上源極部。