[發(fā)明專利]顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710201625.8
• 申請日: 2014-07-16
• 公開（公告）號: CN107393930B
• 公開（公告）日: 2019-07-09
• 發(fā)明（設計）人: 甚田誠一郎
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32;H01L29/10;H01L29/786
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

本發(fā)明提供一種顯示裝置，包括多個像素，所述像素中的至少一個由下到上依次包括：多晶硅層，具有第一溝道區(qū)和第二溝道區(qū)；第一絕緣層；第一金屬層，具有第一布線部；第二絕緣層；第二金屬層，具有第二布線部；第三絕緣層；以及發(fā)光元件。其中，所述第一布線部與所述第一溝道區(qū)重疊，所述第二布線部與所述第二溝道區(qū)重疊，所述第一布線部和所述第二布線部中的每一個由鉬制成，所述第二溝道區(qū)包括彎曲部，所述第一溝道區(qū)配置為從數(shù)據(jù)線提供數(shù)據(jù)電壓，并且其中，所述第二溝道區(qū)配置為根據(jù)所述數(shù)據(jù)電壓從電壓線向所述發(fā)光元件提供驅動電流。

技術領域

本公開涉及一種顯示裝置，其包括電流驅動的顯示元件、制造這種顯示裝置的方法，和設有這種顯示裝置的電子設備。

背景技術

近年來，在進行圖像顯示的顯示裝置的領域中，使用電流驅動的光學元件作為發(fā)光元件的顯示裝置(有機電致發(fā)光(EL)顯示裝置，諸如有機EL元件)(其發(fā)光亮度基于流動電流的值而變化)已經被開發(fā)且其商業(yè)化正在進行。不像液晶元件或其它元件，發(fā)光元件是自發(fā)光元件，且無需單獨的光源(背光)。因此，與其需要光源的液晶顯示裝置相比，有機EL顯示裝置具有圖像的高可見度、低功耗和元件的高響應速度等的特性。

在這樣的顯示裝置中，單位像素可包括例如寫入晶體管和驅動晶體管。寫入晶體管適于選擇像素信號要被寫入其中的單位像素，且驅動晶體管適于將電流提供到發(fā)光元件。例如，在PTL 1中，公開了一種顯示裝置，其中驅動晶體管的電流驅動能力被設置為低于寫入晶體管的電流驅動能力。此外，例如，在PTL 2中，公開了一種顯示裝置，其中驅動晶體管的溝道長度L被設置為長于寫入晶體管的溝道長度L。此外，例如，在PTL 3中，公開了一種顯示裝置，其還包括AC晶體管，且驅動晶體管的溝道長度L與溝道寬度W的比例(L/W)被設置為大于AC晶體管的溝道長度L與溝道寬度W的比例(L/W)。

參考文獻列表

專利文獻

PTL 1：日本未審查專利申請公開號2003-308030

PTL 2：日本未審查專利申請公開號2008-46427

PTL 3：日本未審查專利申請公開號2005-202371

發(fā)明內容

順便提及，在顯示裝置中，通常需要高圖像質量，且期望圖像質量的進一步提高。

因此，理想的是提供一種顯示裝置，包括多個像素，所述像素中的至少一個包括：形成在襯底上的導電層；形成在導電層上的第一絕緣層；第一多晶硅層；第二多晶硅層；第二絕緣層，形成在所述第一多晶硅層和所述第二多晶硅層上；第一柵極和第二柵極，形成在所述第二絕緣層上；第三絕緣層，形成在所述第一柵極和所述第二柵極上；以及發(fā)光元件，形成在所述第三絕緣層上并且配置為發(fā)射光，其中，所述第一柵極與所述第一多晶硅層重疊，其中，所述第二柵極與所述第二多晶硅層重疊，其中，所述第一柵極、所述第二柵極和所述導電層中的每一個由鉬制成，其中，所述第一多晶硅層不與所述導電層重疊；其中，所述第二多晶硅層包括(i)與所述第二柵極和所述導電層重疊的溝道；以及(ii)不與所述第二柵極和所述導電層重疊的彎曲部；其中，所述第一多晶硅層配置為從數(shù)據(jù)線提供數(shù)據(jù)電壓，并且其中，所述第二多晶硅層配置為根據(jù)所述數(shù)據(jù)電壓從電壓線向所述發(fā)光元件提供驅動電流。

根據(jù)本公開的各自實施例的顯示裝置，使得能夠提高圖像質量。此外，這里描述的影響是非限制性的。由技術實現(xiàn)的效果可以是本公開中描述的一個或多個效果。

附圖說明

[圖1]圖1是示出根據(jù)本公開的第一實施例的顯示裝置的構造實例的框圖。

[圖2]圖2是示出圖1所示的子像素的構造實例的電路圖。

[圖3]圖3是示出圖1所示的顯示部的概略截面結構的橫截面圖。

[圖4A]圖4A是示出圖1所示的像素的結構實例的示意圖。