[發(fā)明專利]顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710201625.8
• 申請(qǐng)日: 2014-07-16
• 公開（公告）號(hào): CN107393930B
• 公開（公告）日: 2019-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 甚田誠(chéng)一郎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L27/32;H01L29/10;H01L29/786
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種顯示裝置，包括多個(gè)像素，所述像素中的至少一個(gè)包括：

形成在襯底上的導(dǎo)電層；

形成在導(dǎo)電層上的第一絕緣層；

第一多晶硅層；

第二多晶硅層；

第二絕緣層，形成在所述第一多晶硅層和所述第二多晶硅層上；

第一柵極和第二柵極，形成在所述第二絕緣層上；

第三絕緣層，形成在所述第一柵極和所述第二柵極上；以及

發(fā)光元件，形成在所述第三絕緣層上并且配置為發(fā)射光，

其中，所述第一柵極與所述第一多晶硅層重疊，

其中，所述第二柵極與所述第二多晶硅層重疊，

其中，所述第一柵極、所述第二柵極和所述導(dǎo)電層中的每一個(gè)由鉬制成，

其中，所述第一多晶硅層不與所述導(dǎo)電層重疊；

其中，所述第二多晶硅層包括(i)與所述第二柵極和所述導(dǎo)電層重疊的溝道；以及(ii)不與所述第二柵極和所述導(dǎo)電層重疊的彎曲部；

其中，所述第一多晶硅層配置為從數(shù)據(jù)線提供數(shù)據(jù)電壓，并且

其中，所述第二多晶硅層配置為根據(jù)所述數(shù)據(jù)電壓從電壓線向所述發(fā)光元件提供驅(qū)動(dòng)電流。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第二多晶硅層的所述彎曲部是所述第二多晶硅層的多個(gè)彎曲部中的一個(gè)彎曲部，其中每個(gè)所述彎曲部彎曲180度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第二多晶硅層的所述彎曲部是所述第二多晶硅層的單個(gè)彎曲部，其中所述單個(gè)彎曲部彎曲180度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第二多晶硅層的所述彎曲部是所述第二多晶硅層的多個(gè)彎曲部中的一個(gè)彎曲部，其中每個(gè)所述彎曲部彎曲90度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第二多晶硅層的所述彎曲部是所述彎曲部的單個(gè)彎曲部，其中所述單個(gè)彎曲部彎曲90度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第二多晶硅層具有“S”形形狀。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第二多晶硅層具有“U”形形狀。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述顯示裝置是頂部發(fā)射型。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，

其中，所述第一柵極和所述第一多晶硅層配置為提供寫入晶體管，以及

其中，所述第二柵極和所述第二多晶硅層配置為提供驅(qū)動(dòng)晶體管。