[發(fā)明專利]接觸墊結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710200967.8
• 申請日: 2017-03-30
• 公開（公告）號: CN107301990B
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 江昱維;葉騰豪;邱家榮;林志曜
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L21/768;H01L21/60
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 任巖

一種接觸墊結(jié)構(gòu)，包括交替堆疊的N層(N≥6)絕緣層及N層導(dǎo)電層，且具有排成二維陣列的N個區(qū)域露出各導(dǎo)電層。當(dāng)所述導(dǎo)電層由下至上編號為第1至第N導(dǎo)電層時，同列的區(qū)域中露出的導(dǎo)電層的編號Ln朝一行方向遞減，相鄰兩列的區(qū)域之間的Ln值差異固定，同行的區(qū)域中Ln由兩端向中央漸減，且相鄰兩行的區(qū)域之間的Ln值差異固定。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是涉及一種適用于集成電路的結(jié)構(gòu)及其制造方法，特別涉及一種用于多層導(dǎo)電層的電性連接的接觸墊結(jié)構(gòu)及其制造方法。

背景技術(shù)

三維(3D)元件陣列，例如3D存儲器的各層元件的導(dǎo)線都需要電性連接，所以接觸區(qū)中各層導(dǎo)電層都需露出以供電性連接，從而形成階梯狀的接觸墊結(jié)構(gòu)。

為了形成N層元件的階梯狀接觸墊結(jié)構(gòu)，先前技術(shù)使用N-1個掩模進(jìn)行N-1次光刻蝕工藝，以分別去除接觸區(qū)中的N-1個區(qū)域中的不同層數(shù)的導(dǎo)電層。然而，這種方式非常繁瑣，而且因?yàn)殚g距(pitch)小而需要很精確的工藝控制，從而提高了制造成本及工藝難度。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種接觸墊結(jié)構(gòu)，其在元件有N層的情況下可使用遠(yuǎn)少于N-1次的光刻蝕工藝來形成。

本發(fā)明提供一種接觸墊結(jié)構(gòu)的制造方法。

本發(fā)明的接觸墊結(jié)構(gòu)包括交替堆疊的N層(N≥6)絕緣層及N層導(dǎo)電層，且具有N個區(qū)域暴露出各個導(dǎo)電層。所述區(qū)域排列成P×Q的二維陣列(P≥3、Q≥2)。當(dāng)所述導(dǎo)電層由下至上編號為第1至第N導(dǎo)電層且區(qū)域(i，j)(i＝1～P，j＝1～Q)暴露出的導(dǎo)電層為第Ln_i，j導(dǎo)電層時，

在第i列的Q個區(qū)域中，Ln_i，j隨j值增加而遞減，即Ln_i，1＞Ln_i，2＞...＞Ln_i，Q，

第i列(row)的Q個區(qū)域及第i+1列的Q個區(qū)域之間的Ln值差異固定，即Ln_i，1-Ln_i+1，1＝Ln_i，2-Ln_i+1，2＝...＝Ln_i，Q-Ln_i+1，Q，

在第j行(column)的P個區(qū)域中，Ln_i，j由兩端向中央漸減，即Ln_1，j，Ln_P，j＞Ln_2，j，Ln_P-1，j＞...，并且

第j行的P個區(qū)域及第j+1行的P個區(qū)域之間的Ln值差異固定，即Ln_1，j-Ln_1，j+1＝Ln_2，j-Ln_2，j+1＝...＝Ln_P，j-Ln_P，j+1。

在第一實(shí)施例中，在各該區(qū)域(i，j)中不存在高于第Ln_i，j導(dǎo)電層的絕緣層或?qū)щ妼印?/p>

在第二實(shí)施例中，在暴露出第N導(dǎo)電層之區(qū)域以外的各該區(qū)域(i，j)中，第Ln_i，j導(dǎo)電層暴露于形成在上層之絕緣層及導(dǎo)電層中的接觸窗開口中。

本發(fā)明的接觸墊結(jié)構(gòu)可配置于3D存儲器中。

在另一實(shí)施例中，第j行的P個區(qū)域及第j+1行的P個區(qū)域之間的Ln值差異固定，即Ln_1，j-Ln_1，j+1＝Ln_2，j-Ln_2，j+1＝...＝Ln_P，j-Ln_P，j+1＝P，并且

在第j行的P個區(qū)域中，|Ln_i，j-Ln_i+1，j|≤2，且所述P個區(qū)域形成具有凹陷形狀或凸起形狀的不對稱結(jié)構(gòu)。