[發(fā)明專(zhuān)利]接觸墊結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710200967.8
• 申請(qǐng)日: 2017-03-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107301990B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-10-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 江昱維;葉騰豪;邱家榮;林志曜
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/522
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/522;H01L21/768;H01L21/60
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種接觸墊結(jié)構(gòu)，包括交替堆疊的N層絕緣層及N層導(dǎo)電層，且具有N個(gè)區(qū)域暴露出各個(gè)導(dǎo)電層，N≥6，其中所述區(qū)域排列成P行×Q列的二維陣列，P≥3、Q≥2，當(dāng)所述導(dǎo)電層由下至上編號(hào)為第1至第N導(dǎo)電層且區(qū)域(i,j)，i＝1～P,j＝1～Q，暴露出的導(dǎo)電層為第Ln_i,j導(dǎo)電層時(shí)，

第j行的P個(gè)區(qū)域及第j+1行的P個(gè)區(qū)域之間的Ln值差異固定，即Ln_1,j-Ln_1,j+1＝Ln_2,j-Ln_2,j+1＝…＝Ln_P,j-Ln_P,j+1＝P，并且

在第j行的P個(gè)區(qū)域中，|Ln_i,j-Ln_i+1,j|≤2，并且所述P個(gè)區(qū)域形成具有凹陷形狀或凸起形狀的不對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)；

當(dāng)P是奇數(shù)時(shí)，該凸起形狀在位于一行的中間的第h個(gè)區(qū)域處具有中心最高點(diǎn)，或者當(dāng)P是偶數(shù)時(shí)，該凸起形狀在位于一行的中間或從一行的中間偏移一個(gè)區(qū)域的第h個(gè)區(qū)域處具有中心最高點(diǎn)。

2.如權(quán)利要求1所述的接觸墊結(jié)構(gòu)，其中該凹陷形狀在位于一行的中間或從一行的中間偏移一個(gè)區(qū)域的第h個(gè)區(qū)域處具有中心最低點(diǎn)。

3.如權(quán)利要求2所述的接觸墊結(jié)構(gòu)，其中

Ln_i,j＝N-Tn_i,j，其中Tn_i,j為須去除的導(dǎo)電層數(shù)，

Tn_1,1＝0，

Tn_h,1＝P-1，

當(dāng)Tn_i,1為P-1-|i-h|×2，i＝h+1～P時(shí)，Tn_i,1為P-|i-h|×2，其中，i＝h-1～2；

當(dāng)Tn_i,1為P-1-|i-h|×2，i＝h-1～2時(shí)，Tn_i,1為P-|i-h|×2，其中i＝h+1～P，并且

Tn_i,j＝Tn_i,1+(j-1)×P，其中i≥1,j>1。

4.如權(quán)利要求1所述的接觸墊結(jié)構(gòu)，其中該具有凸起形狀的不對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)配置在一個(gè)低于相鄰表面的表面上。

5.如權(quán)利要求1所述的接觸墊結(jié)構(gòu)，其中該具有凸起形狀的不對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)配置在一個(gè)與相鄰表面共平面的表面上。

6.如權(quán)利要求1所述的接觸墊結(jié)構(gòu)，其中

Ln_i,j＝N-Tn_i,j，其中Tn_i,j為須去除的導(dǎo)電層數(shù)，

Tn_1,1＝P-1，

Tn_h,1＝0，

當(dāng)Tn_i,1為|i-h|×2+1，i＝h+1～P時(shí)，Tn_i,1為|i-h|×2其中，i＝h-1～2，

當(dāng)Tn_i,1為|i-h|×2，i＝h+1～P時(shí)，Tn_i,1為|i-h|×2+1，其中，i＝h-1～2并且

Tn_i,j＝Tn_i,1+(j-1)×P，其中i≥1,j>1。

7.如權(quán)利要求6所述的接觸墊結(jié)構(gòu)，配置于一個(gè)3D存儲(chǔ)器中與字線接觸墊相鄰的位置。