[發(fā)明專利]基板處理裝置以及基板處理方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710200801.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-03-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107275257B | 公開(公告)日: | 2020-08-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 小林信雄;古川長(zhǎng)樹;山崎克弘;齊藤裕樹 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 芝浦機(jī)械電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿軍 |
| 地址: | 日本神*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 以及 方法 | ||
本發(fā)明提供能夠準(zhǔn)確地掌握積存處理液的罐內(nèi)的所希望的液量的基板處理裝置以及基板處理方法。實(shí)施方式的基板處理裝置具備:罐(31),積存處理液;液面配管(33),與罐(31)連接,以供在罐(31)中存積的處理液流入,并形成為從罐(31)流入的處理液的液面M1根據(jù)罐31內(nèi)的處理液的增減而移動(dòng);液面?zhèn)鞲衅?35),檢測(cè)液面配管(33)內(nèi)的液面M1;供氣配管(34),用于向液面配管(33)內(nèi)的液面M1之上的配管空間供給氣體;以及控制部(50),與氣體被供氣配管(34)向配管空間供給而液面配管(33)內(nèi)的液面M1移動(dòng)相應(yīng),基于液面?zhèn)鞲衅?35)的檢測(cè)結(jié)果判斷液面?zhèn)鞲衅?35)有無(wú)誤檢測(cè)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實(shí)施方式涉及基板處理裝置以及基板處理方法。
背景技術(shù)
基板處理裝置是對(duì)半導(dǎo)體晶片、光掩模用玻璃基板、液晶用玻璃基板等各種基板進(jìn)行各種表面處理(例如,蝕刻處理、漂洗處理等)的裝置。該基板處理裝置具備存積處理液(例如,蝕刻液、漂洗液等藥液)的罐,向基板的被處理面供給罐內(nèi)的處理液來(lái)處理基板。
在該基板處理裝置的罐內(nèi)設(shè)置有加熱罐中的處理液的加熱器。這是為了將處理液的溫度維持為所希望的溫度以上。另外,為了在罐外監(jiān)視罐內(nèi)的液量,設(shè)置與罐內(nèi)相通的L形狀的配管,通過(guò)傳感器檢測(cè)該配管內(nèi)的液面。該液面?zhèn)鞲衅骼缭O(shè)置兩個(gè)以檢測(cè)罐內(nèi)的上限液量以及下限液量。根據(jù)這些液面?zhèn)鞲衅鞯臋z測(cè)結(jié)果,控制針對(duì)罐的液體補(bǔ)充動(dòng)作及該補(bǔ)充動(dòng)作的停止等的各種動(dòng)作。
上述的配管內(nèi)的處理液溫度與存在加熱器的罐內(nèi)的處理液的溫度相比較低。因此,由于當(dāng)處理液的溫度降低時(shí)處理液的飽和量(添加材料能夠溶解于處理液的量)降低,所以配管內(nèi)的處理液所含的添加材料析出,析出的添加材料向配管的內(nèi)表面附著。若析出的添加材料向配管的內(nèi)表面附著,則有時(shí)該析出物引起液面?zhèn)鞲衅髡`檢測(cè)。若發(fā)生該液面?zhèn)鞲衅鞯恼`檢測(cè)、則不能準(zhǔn)確地掌握罐內(nèi)的處理液的所希望的液量,例如上限液量及下限液量。作為一個(gè)例子,在由于液面?zhèn)鞲衅鞯恼`檢測(cè)而不能掌握下限液量即液體不足的情況下,有可能發(fā)生不向罐供給處理液、加熱器空燒等,裝置有時(shí)會(huì)破損。
此外,液面?zhèn)鞲衅鞯恼`檢測(cè)如上所述出于析出物附著于配管的內(nèi)表面的原因而造成。若析出物附著于配管的內(nèi)表面,則有時(shí)例如即使在檢測(cè)配管內(nèi)的處理液的檢測(cè)位置處無(wú)處理液的情況下,液面?zhèn)鞲衅饕矙z測(cè)出處理液,或即使在配管內(nèi)的處理液以檢測(cè)位置為中間上下移動(dòng)的情況下,液面?zhèn)鞲衅饕渤掷m(xù)檢測(cè)出處理液。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的課題是提供能夠準(zhǔn)確地掌握存積處理液的罐內(nèi)的所希望的液量的基板處理裝置以及基板處理方法。
實(shí)施方式的基板處理裝置具備:罐,存積用于處理基板的處理液;液面配管,與罐連接以供存積在罐中的處理液流入,并形成為從罐流入的處理液的液面根據(jù)罐內(nèi)的處理液的增減而移動(dòng);液面?zhèn)鞲衅鳎瑱z測(cè)液面配管內(nèi)的液面;供氣配管,用于向液面配管內(nèi)的液面之上的配管空間供給氣體;以及控制部,與氣體被供氣配管向配管空間供給而液面配管內(nèi)的液面移動(dòng)相對(duì)應(yīng)地,基于液面?zhèn)鞲衅鞯臋z測(cè)結(jié)果判斷液面?zhèn)鞲衅饔袩o(wú)誤檢測(cè)。
實(shí)施方式的基板處理裝置具備:罐,存積用于處理基板的處理液;液面配管,與罐連接以供存積在罐中的處理液流入,并形成為從罐流入的處理液的液面根據(jù)罐內(nèi)的處理液的增減而移動(dòng);液面?zhèn)鞲衅鳎瑱z測(cè)液面配管內(nèi)的液面;供氣配管,用于向液面配管內(nèi)的液面之上的配管空間供給氣體;釋放配管,用于從配管空間排出氣體;以及控制部,反復(fù)進(jìn)行氣體對(duì)配管空間的供給以及氣體從配管空間的排出的控制,以使液面配管內(nèi)的液面反復(fù)移動(dòng)。
實(shí)施方式的基板處理方法通過(guò)液面?zhèn)鞲衅鲗?duì)為了供存積在罐中的處理液流入而連接于罐的液面配管內(nèi)的液面進(jìn)行檢測(cè),具有:從供氣配管向所述液面配管內(nèi)的所述液面之上的配管空間供給氣體的工序;通過(guò)液面?zhèn)鞲衅鲗?duì)氣體被供氣配管向配管空間供給而移動(dòng)的液面進(jìn)行檢測(cè)的工序;以及基于液面?zhèn)鞲衅鞯臋z測(cè)結(jié)果判斷液面?zhèn)鞲衅饔袩o(wú)誤檢測(cè)的工序。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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