[發(fā)明專利]基板處理裝置以及基板處理方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710200801.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-03-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107275257B | 公開(公告)日: | 2020-08-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 小林信雄;古川長(zhǎng)樹;山崎克弘;齊藤裕樹 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 芝浦機(jī)械電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿軍 |
| 地址: | 日本神*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 以及 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,其特征在于,具備:
罐,存積用于處理基板的處理液;
液面配管,下端與所述罐連接以供存積在所述罐中的處理液流入,并形成為從所述罐流入的處理液的液面根據(jù)所述罐內(nèi)的處理液的增減而移動(dòng);
液面?zhèn)鞲衅鳎瑱z測(cè)所述液面配管內(nèi)的所述液面;
供氣配管,與所述液面配管內(nèi)的上端直接連接,用于向所述液面之上的配管空間供給氣體;以及
控制部,從所述供氣配管向所述液面配管供給所述氣體而使所述液面配管內(nèi)的所述液面下降移動(dòng),并從所述配管空間排出所述氣體而使下降移動(dòng)后的所述液面上升移動(dòng)。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述控制部在未從所述罐排出所述處理液的狀態(tài)下,從所述供氣配管向所述液面配管供給所述氣體而使所述液面配管內(nèi)的所述液面下降移動(dòng),并從所述配管空間排出所述氣體而使下降移動(dòng)后的所述液面上升移動(dòng)。
3.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述控制部向所述液面配管內(nèi)的所述液面供給所述氣體,以使所述液面配管內(nèi)的所述液面下降移動(dòng)到不被所述液面?zhèn)鞲衅鳈z測(cè)出的位置。
4.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述控制部執(zhí)行反復(fù)進(jìn)行所述氣體對(duì)所述配管空間的供給以及氣體從所述配管空間的排出的控制,以便反復(fù)進(jìn)行所述液面的下降移動(dòng)以及上升移動(dòng)。
5.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述液面配管還使所述液面配管的所述配管空間連接于所述罐內(nèi)的所述處理液的液面之上的空間,
在所述液面配管的內(nèi)部設(shè)有節(jié)流件,該節(jié)流件位于所述配管空間,限制氣體從所述配管空間向所述罐的流入。
6.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
還具有釋放配管,該釋放配管連接于所述液面配管內(nèi)的所述液面之上的空間,從所述配管空間向大氣排出所述氣體,
在所述釋放配管的中途具備開閉閥,該開閉閥限制所述氣體從所述配管空間向大氣排出。
7.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
還具備加熱部,對(duì)所述液面配管內(nèi)的所述處理液進(jìn)行加熱。
8.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
還具備振動(dòng)部,使所述液面配管內(nèi)的所述處理液振動(dòng)。
9.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述液面配管的一端連接于所述罐,以使所述罐內(nèi)的所述處理液向所述液面配管流入,
所述液面配管的另一端連接于所述罐內(nèi)的所述處理液的液面之上的空間,
所述基板處理裝置還具備循環(huán)部,使所述罐內(nèi)的所述處理液向所述液面配管流入并循環(huán)。
10.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述控制部與所述氣體被所述供氣配管向所述配管空間供給而所述液面配管內(nèi)的所述液面移動(dòng)相對(duì)應(yīng)地,基于所述液面?zhèn)鞲衅鞯臋z測(cè)結(jié)果判斷所述液面?zhèn)鞲衅饔袩o(wú)誤檢測(cè)。
11.如權(quán)利要求10所述的基板處理裝置,其特征在于,
在所述控制部判斷為所述液面?zhèn)鞲衅鞔嬖谡`檢測(cè)的情況下,所述控制部執(zhí)行反復(fù)進(jìn)行所述氣體對(duì)所述配管空間的供給以及氣體從所述配管空間的排出的控制,以便反復(fù)進(jìn)行所述液面的下降移動(dòng)以及上升移動(dòng)。
12.如權(quán)利要求10所述的基板處理裝置,其特征在于,
還具備對(duì)所述液面配管內(nèi)的所述處理液進(jìn)行加熱的加熱部,
所述控制部在判斷為所述液面?zhèn)鞲衅鞔嬖谡`檢測(cè)的情況下,與判斷為所述液面?zhèn)鞲衅鳠o(wú)誤檢測(cè)的情況相比,提高所述加熱部對(duì)所述處理液的加熱溫度。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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