[發明專利]制造半導體器件的方法和半導體器件在審
| 申請號: | 201710199049.8 | 申請日: | 2017-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN107768256A | 公開(公告)日: | 2018-03-06 |
| 發明(設計)人: | P·克雷馬;P·卡莎蒂 | 申請(專利權)人: | 意法半導體股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/50;H01L23/495 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所11256 | 代理人: | 王茂華 |
| 地址: | 意大利阿格*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制造 半導體器件 方法 | ||
技術領域
本公開涉及半導體器件(諸如集成電路)的制造。
一個或多個實施例可以應用于在這類器件中形成導電觸頭,例如,銅觸頭。
背景技術
半導體電路(特別是集成電路)的市場例如在多個行業(諸如汽車行業)對制造商強加日益迫切的要求。
例如,有需要基于使用所謂的金屬引線框(LF)來設置半導體電路的封裝體,這些金屬引線框能夠承受熱機械應力,諸如由組件工藝或者由重復的激活/去激活(打開/關閉)循環引起的應力。
例如,期望的是實現關于諸如脫層現象的良好水平的固有魯棒性,以便能夠實現可被定義為無脫層(即具有能夠承受不同材料(諸如例如,引線框的導電材料(銅)與封裝體的樹脂或化合物)之間的脫層現象的封裝結構)的解決方案。
諸如US 2009/0315159 A1的文獻代表已知技術。
發明內容
一個或多個實施例的目標是有助于解決先前概括的問題。
根據一個或多個實施例,由于呈現了在隨后權利要求書中所回憶的特性的方法,可實現以上目標。
一個或多個實施例還可以是關于相應的半導體器件。
權利要求書形成了在此提供的實施例的示例的描述的完整部分。
一個或多個實施例可以設想,借助于能夠提高對封裝體的樹脂/化合物的粘合性的、粗糙類型的材料(例如,銅),從而使得整個結構將對脫層現象(例如,在銅材料與樹脂之間)特別地不敏感,該脫層現象可能是由被設置(例如,在其使用壽命期間在接通和斷開器件之后)的熱循環誘導的。
在一個或多個實施例中,在這兩種不同材料之間的粘合性可能是由于機械和化學性質的機制(即由于樹脂可粘合的微刺(峰或谷)的存在,以及由于諸如用于使能每單元表面的更高化學交互的接觸表面的增加而引起的。
一個或多個實施例可以基于觀察事實:通過借助于粗糙版本而與例如由標準類型的銅制成的表面相比,有可能獲得有效表面(例如,在100-150%的區域中)的增加。
另一方面,粗糙表面可能導致不期望現象(諸如對可濕性特征的修改)的開始,該效果的增加被稱為“環氧樹脂泄露”(EBO)。
一個或多個實施例可以因此設想,提供兩個材料層的堆疊(例如,兩個銅層):第一層,該第一層由光亮(閃亮)類型的銅制成,例如被電鍍在引線框的整個表面上(例如,最小厚度為1μm),其諸如還能夠實現對例如半導體裸片的穩定附接;以及第二層,該第二層由粗糙銅制成,例如亦在此情況下通過在引線框的專用區域上電鍍最小厚度大約為1μm而形成,例如使得能夠實現接線鍵合類型(用于示例銅接線)的穩定連接。
一個或多個實施例可以基于以下事實的實現:設想(例如,半光亮類型的)銀的點沉積的技術可以不為封裝體的樹脂/化合物提供足夠程度的粘合性。而且,層的沉積是有問題的并且沉積的層具有粗糙的形態,這可能引起銀與樹脂之間的脫層,鍵合接線(例如,銅接線)在存在熱循環的情況下易受到故障影響。
附圖說明
現在將僅通過非限制性示例的方式,參照所附附圖來描述一個或多個實施例,在附圖中:
-圖1是半導體器件的示意性橫截面視圖;
-圖2是與圖1的箭頭II大致相對應的視圖,其展示了實施例的特性;以及
-圖3是實施例的生產的模式的合成表示。
將認識到的是,為了圖示的清晰和簡單起見,各附圖及其中的可見部件可以不全部以相同比例表示。
具體實施方式
在隨后的描述中,展示了各種具體細節以便提供對實施例的各示例的深入理解。可以在沒有一個或多個特定細節的情況下,或者利用其他方法、部件、材料等來獲得實施例。在其他情況下,未詳細展示或描述已知的結構、材料或操作,從而使得實施例的各個方面將不會被模糊。
本說明書的框架中對于“實施例”或“一個實施例”的引用旨在指示關于該實施例所描述的特定的配置、結構或特性被包括在至少一個實施例中。結果,可能存在于本說明書的各個點中的諸如“在實施例中”、“在一個實施例中”等短語不一定恰好指代同一個實施例。而且,可以在一個或多個實施例中以任何適當的方式來對特定構造、結構或特性進行組合。
在此使用的引用僅為了方便而被提供,并且因此未限定實施例的保護范疇或范圍。
圖1是半導體器件10(諸如集成電路)的示意性圖示。
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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