[發(fā)明專利]制造半導體器件的方法和半導體器件

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• 申請日: 2017-03-29
• 公開（公告）號: CN107768256A
• 公開（公告）日: 2018-03-06
• 發(fā)明（設計）人: P·克雷馬;P·卡莎蒂
• 申請（專利權(quán)）人: 意法半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/50;H01L23/495
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 王茂華

1.一種制造半導體器件(10)的方法，所述半導體器件在非導電封裝材料(20)中包括至少一個導電金屬構(gòu)件(16)，所述方法包括：

-提供覆蓋所述導電金屬構(gòu)件(16)的第一金屬層(102)，所述第一層(102)包括平坦的形態(tài)，以及

-提供第二金屬層(104)，所述第二金屬層通過使得所述第一層(102)的至少一個表面部分未被覆蓋而部分地覆蓋所述第一層(102)，所述第二層(104)包括粗糙的形態(tài)。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，包括優(yōu)選地通過焊接將導電接線(18)鍵合到所述第二層(104)上。

3.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的方法，其中：

-所述第一層(102)具有1-2微米(1-2.10^-6m)的厚度，并且/或者

-所述第二層(104)具有1-3微米(1-3.10^-6m)的厚度。

4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的方法，其中：

-所述第一層(102)具有大約為1的糙度表面比或SR，并且/或者

-所述第二層(104)具有大約為1.2至3.0的糙度表面比或SR糙度。

5.如以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，所述金屬構(gòu)件(16)、所述第一層(102)以及所述第二層(104)中的至少一者并且優(yōu)選地全部包括銅。

6.如以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，所述第一層(102)包括亮銅。

7.如以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，包括：通過電解沉積、化學氣相沉積、濺射、無電式電鍍以及噴涂之一來提供所述第一層(102)和所述第二層(104)。

8.如以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，其中，所述金屬構(gòu)件包括具有引線尖端的至少一個接觸引線(16)，其中，所述方法包括在所述尖端處設置所述第二層(104)。

9.如以上權(quán)利要求中任一項所述的方法，包括：提供用于將半導體裸片(12)安裝在所述封裝體(20)中的裸片焊盤(14)，所述方法包括：

-提供覆蓋所述裸片焊盤(14)的所述第一層(102)，以及

-將半導體裸片(12)附接至所述第一層(102)處的所述裸片焊盤(14)上。

10.一種半導體器件(10)，包括：

-至少一個導電金屬構(gòu)件(16)，所述至少一個導電金屬構(gòu)件在非導電封裝材料(20)中，

-第一金屬層，所述第一金屬層覆蓋所述至少一個金屬構(gòu)件(16)，所述第一層(102)具有平坦的形態(tài)，以及

-第二金屬層，所述第二金屬層通過使得所述第一層(102)的至少一個表面部分未被覆蓋而部分地覆蓋所述第一層(102)，所述第二層(104)具有粗糙的形態(tài)。

11.如權(quán)利要求10所述的半導體器件(10)，包括：

-裸片焊盤(14)，所述裸片焊盤用于將半導體裸片(12)安裝在所述封裝體(20)中，

-所述第一層(102)，所述第一層覆蓋所述裸片焊盤(14)，以及

-半導體裸片(12)，所述半導體裸片被附接至所述第一層(102)處的所述裸片焊盤(14)上。

12.如權(quán)利要求10或權(quán)利要求11所述的半導體器件(10)，其中，所述金屬構(gòu)件包括具有引線尖端的至少一個接觸引線(16)，在所述尖端處設置所述第二層(104)。