[發明專利]一種單晶爐真空管道清理方法

在審

• 申請號: 201710197096.9
• 申請日: 2017-03-29
• 公開（公告）號: CN106914460A
• 公開（公告）日: 2017-07-04
• 發明（設計）人: 周杰;沈浩鋒;周林偉;朱偉忠;蘇靜洪
• 申請（專利權）人: 天通吉成機器技術有限公司
• 主分類號: B08B9/027
• 分類號: B08B9/027;F16L55/24;C30B15/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 李海建

技術領域

本發明涉及單晶生長技術領域，特別涉及一種單晶爐真空管道清理方法。

背景技術

單晶爐是一種在惰性氣體環境中，用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生長無錯位單晶的設備。

現有的單晶爐主要包括主爐室、副室、晶體提拉機構、抽真空裝置、充惰性氣體裝置等。在向單晶爐中裝入物料后，需要對單晶爐進行抽真空，之后再充入惰性氣體。抽真空通過抽真空裝置進行，抽真空裝置主要包括真空管道和真空泵，真空管道連接真空泵和單晶爐。在長晶過程中，產生的SiO_x會吸附在真空管道內壁上，長時間會堵塞真空管道，影響長晶。

綜上所說，如何解決真空管道被SiO_x堵塞的問題，成為了本領域技術人員亟待解決的問題。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的在于提供一種單晶爐真空管道清理方法，以對單晶爐的真空管道進行清理，防止堵塞，保證長晶正常進行。

為達到上述目的，本發明提供以下技術方案：

一種單晶爐真空管道清理方法，在長晶加熱時，向真空管道內通入含氧氣體，所述含氧氣體與所述真空管道內壁上附著的SiO_x進行燃燒反應，得到粉末狀物質，所述粉末狀物質被抽吸排出所述真空管道外。

優選地，在上述的單晶爐真空管道清理方法中，所述粉末狀物質通過真空泵抽吸排出所述真空管道外。

優選地，在上述的單晶爐真空管道清理方法中，在向所述真空管道內通入含氧氣體時，根據SiO_x的含量調節通入所述含氧氣體的流量。

優選地，在上述的單晶爐真空管道清理方法中，在向所述真空管道內通入含氧氣體時，設定最大含氧氣體通入流量限值。

優選地，在上述的單晶爐真空管道清理方法中，所述含氧氣體為空氣、氧氣或含氧混合氣體。

與現有技術相比，本發明的有益效果是：

本發明提供的單晶爐真空管道清理方法中，在長晶加熱時，向真空管道內通入含氧氣體，含氧氣體與所述真空管道內壁上附著的SiO_x進行燃燒反應，得到粉末狀物質，粉末狀物質被抽吸排出真空管道外，實現了真空管道的清理，防止了真空管道堵塞，利于長時間連續長晶工作，從而提高了生產效率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明實施例提供的一種單晶爐真空管道清理裝置的結構示意圖。

其中，1為單晶爐、2為真空管道、3為真空泵、4為供氣管道、5為通斷閥、6為節流閥、7為限流式墊片。

具體實施方式

本發明的核心是提供了一種單晶爐真空管道清理方法，能夠對單晶爐的真空管道進行清理，防止堵塞，保證長晶正常進行。

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

請參考圖1，本發明實施例提供了一種單晶爐真空管道清理方法，在長晶加熱時，向真空管道2內通入含氧氣體，含氧氣體與真空管道2內壁上附著的SiO_x進行燃燒反應，得到粉末狀物質，粉末狀物質被抽吸排出真空管道2外。

可以看出，利用單晶爐本身長晶過程中的加熱過程產生的熱量，對真空管道2內的SiO_x和外部通入的含氧氣體進行加熱，使SiO_x和含氧氣體燃燒得到粉末狀物質，最后通過真空管道2內的負壓抽吸排出。因此，只需要向真空管道2內通入含氧氣體即可完成SiO_x的清潔，清理操作方便，防止了真空管道2堵塞，利于長時間連續長晶工作，從而提高了生產效率。

作為優化，在本實施例中，粉末狀物質通過真空泵3抽吸排出真空管道2外。真空泵3為單晶爐中原有的裝置，用于單晶爐1的抽真空。

進一步地，在本實施例中，在向真空管道2內通入含氧氣體時，根據SiO_x的含量調節通入含氧氣體的流量，使SiO_x充分燃燒成粉末。具體可通過節流閥6來控制含氧氣體的流量。