[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710193189.4
• 申請日: 2017-03-28
• 公開（公告）號: CN107527798B
• 公開（公告）日: 2022-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡騰群;盧永誠;陳盈淙;包天一
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;H01L21/308
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;王芝艷

1.一種半導(dǎo)體裝置的形成方法，包括:

形成多個(gè)第一目標(biāo)結(jié)構(gòu)和多個(gè)第二目標(biāo)結(jié)構(gòu)于一基板之上；

形成一第一絕緣層于該基板上，該第一絕緣層具有第一部分和第二部分，該第一部分的厚度小于該第二部分的厚度，該第一部分對應(yīng)且覆蓋較低設(shè)置密度的該些第一目標(biāo)結(jié)構(gòu)，該第二部分對應(yīng)且覆蓋較高設(shè)置密度的該些第二目標(biāo)結(jié)構(gòu)，該第一絕緣層具有非平坦(non-planar)的頂表面；

形成一第二絕緣層于該第一絕緣層上，該第二絕緣層具有非平坦的頂表面；

研磨該第二絕緣層以完全移除對應(yīng)于該第一絕緣層的該第二部分之上的該第二絕緣層，而該第二絕緣層的剩余部分對應(yīng)且覆蓋位于該些第一目標(biāo)結(jié)構(gòu)上方的該第一絕緣層的該第一部分，其中在研磨該第二絕緣層期間，該第一絕緣層具有一第一蝕刻速率，該第二絕緣層具有一第二蝕刻速率，且該第二蝕刻速率大于該第一蝕刻速率；

在研磨該第二絕緣層的步驟之后，對該第一絕緣層及該第二絕緣層進(jìn)行一退火工藝；以及

非選擇性地凹蝕該第一絕緣層及該第二絕緣層，其中在非選擇性地凹蝕該第一絕緣層及該第二絕緣層期間，該第一絕緣層具有一第三蝕刻速率，該第二絕緣層具有一第四蝕刻速率，且該第四蝕刻速率與該第三蝕刻速率之間的一差異小于該第二蝕刻速率與該第一蝕刻速率之間的一差異。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括退火該第一絕緣層。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括退火該第二絕緣層。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成該第一絕緣層的步驟包括形成一富碳的膜層。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成該第二絕緣層的步驟包括形成一富碳的膜層。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成該第二絕緣層的步驟包括形成一介電層。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括于該第一絕緣層與該第二絕緣層之間形成一第三絕緣層，該第三絕緣層具有非平坦的頂表面，其中在研磨該第二絕緣層期間，該第三絕緣層具有一第五蝕刻速率，且該第二蝕刻速率大于該第五蝕刻速率。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在非選擇性地凹蝕該第一絕緣層與該第二絕緣層的步驟之后，于該第一絕緣層之上形成一含硅的膜層；以及

于該含硅的膜層之上形成一光致抗蝕劑層。

9.一種半導(dǎo)體裝置的形成方法，包括：

形成多個(gè)第一目標(biāo)結(jié)構(gòu)和多個(gè)第二目標(biāo)結(jié)構(gòu)于一基板之上；

形成一第一富碳層于該些第一目標(biāo)結(jié)構(gòu)和該些第二目標(biāo)結(jié)構(gòu)之上，該第一富碳層具有第一部分和第二部分，該第一部分的厚度小于該第二部分的厚度，該第一部分對應(yīng)且覆蓋較低設(shè)置密度的該些第一目標(biāo)結(jié)構(gòu)，該第二部分對應(yīng)且覆蓋較高設(shè)置密度的該些第二目標(biāo)結(jié)構(gòu)；

退火該第一富碳層；

形成一絕緣層于該第一富碳層之上；

退火該絕緣層；

研磨該絕緣層以完全移除對應(yīng)于該第一富碳層的該第二部分上的該絕緣層，而該絕緣層的剩余部分對應(yīng)且覆蓋位于該些第一目標(biāo)結(jié)構(gòu)上方的該第一富碳層的該第一部分，其中在研磨該絕緣層期間，該第一富碳層具有一第一蝕刻速率，該絕緣層具有一第二蝕刻速率，且該第二蝕刻速率大于該第一蝕刻速率；

在研磨該絕緣層的步驟之后，對該第一富碳層及該絕緣層進(jìn)行一退火工藝；以及

非選擇性地蝕刻該第一富碳層與該絕緣層，其中在非選擇性地凹蝕該第一富碳層與該絕緣層期間，該第一富碳層具有一第三蝕刻速率，該絕緣層具有一第四蝕刻速率，且該第四蝕刻速率與該第三蝕刻速率之間的一差異小于該第二蝕刻速率與該第一蝕刻速率之間的一差異。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中非選擇性地蝕刻該第一富碳層與該絕緣層的步驟包括完全地移除該絕緣層。

11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中形成該第一富碳層的步驟包括形成一旋涂碳層。