[發明專利]陣列基板和陣列基板的制作方法有效
| 申請號: | 201710191377.3 | 申請日: | 2017-03-28 |
| 公開(公告)號: | CN106898619B | 公開(公告)日: | 2020-05-12 |
| 發明(設計)人: | 毛瓊琴 | 申請(專利權)人: | 上海天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L29/423;H01L21/84;H01L21/28 |
| 代理公司: | 北京晟睿智杰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
| 地址: | 201201 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 制作方法 | ||
本申請公開了一種陣列基板的制作方法。陣列基板包括設置在襯底基板上的柵極、第一電極、柵絕緣層、鈍化層和第二電極;柵極包括第一透明電極和第一金屬電極,第一電極包括第三透明電極,第一金屬電極位于第一透明電極遠離襯底基板的一側,第一透明電極和第三透明電極位于同一層,柵絕緣層覆蓋柵極并且與第一電極不交疊,柵極與第一電極彼此絕緣;鈍化層位于第一電極和第二電極之間,漏極與第一電極或第二電極電連接。按照本申請的方案,通過設置柵絕緣層與第一電極不交疊,從而減少了第一電極和第二電極之間的絕緣層數量,增強了兩電極之間的橫向電場強度。
技術領域
本申請一般涉及顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板和陣列基板的制作方法。
背景技術
液晶顯示器是目前使用最廣泛的一種平板顯示器,可為各種電子設備如移動電話、個人數字助理(PDA)、數字相機以及計算機等提供具有高分辨率彩色屏幕。其中,邊緣場開關技術(Fringe Field Switching,FFS)模式的液晶顯示器以其觀看視角廣以及開口率高等特點受到廣大用戶的喜愛。
FFS模式的陣列基板一般可包括柵極、柵絕緣層、半導體層、源漏極、像素電極、公共電極和鈍化層。為了降低制作成本,FFS陣列基板的制作方法已經從最初的7張掩膜版(7mask)技術發展為目前的4張掩膜版(4mask)技術,4張掩膜版分別用于:形成圖案化的柵極和像素電極、形成圖案化的半導體層/源漏極、形成圖案化的鈍化層以及形成圖案化的公共電極。
雖然4mask制作的陣列基板能夠降低生產成本,但是經過4mask生產的陣列基板應用于顯示裝置時存在亮度不足的現象。如果通過增加像素電極和公共電極之間的電壓差的方式提升顯示裝置的亮度,則會產生較大的功耗。
發明內容
鑒于現有技術中的上述缺陷或不足,期望提供一種陣列基板和陣列基板的制作方法,以期解決現有技術中存在的技術問題。
根據本申請的一個方面,提供了一種陣列基板,包括設置在襯底基板上的柵極、掃描線、第一電極、柵絕緣層、半導體層、源極、漏極、鈍化層、連接電極和第二電極。其中,柵極包括第一透明電極和第一金屬電極,掃描線包括第二透明電極和第二金屬電極,第一電極包括第三透明電極,柵絕緣層在襯底基板上的正投影與柵極和掃描線在襯底基板上的正投影彼此重疊并且柵絕緣層在襯底基板上的正投影與第一電極在襯底基板上的正投影不交疊,第一金屬電極位于第一透明電極遠離襯底基板的一側,第一透明電極、第二透明電極和第三透明電極位于同一層,第一金屬電極和第二金屬電極位于同一層,柵極和掃描線彼此電連接并且均與第一電極彼此絕緣;鈍化層覆蓋源極、漏極和第一電極,第二電極位于鈍化層遠離襯底基板的一側,鈍化層包括暴露漏極的一部分的第一接觸孔;以及連接電極將漏極電連接至第一電極或第二電極。
根據本申請的另一方面還提供了一種陣列基板的制作方法,包括:在襯底基板上依次沉積第一透明導電層、第一金屬導電層、第一絕緣層和第一光刻膠層;使用第一掩膜版使第一透明導電層和第一金屬導電層形成柵極、掃描線和第一電極,使第一絕緣層形成柵絕緣層,柵絕緣層在襯底基板上的正投影與柵極和掃描線在襯底基板上的正投影彼此重疊并且柵絕緣層在襯底基板上的正投影與第一電極在襯底基板上的正投影不交疊;在柵絕緣層和第一電極上依次沉積本征非晶硅層、摻雜非晶硅層、第二金屬導電層和第二光刻膠層;使用第二掩膜版使本征非晶硅層和摻雜非晶硅層形成半導體層,使第二金屬導電層形成源極和漏極;在源極、漏極和第一電極上依次沉積第二絕緣層和第三光刻膠層;使用第三掩膜版使第二絕緣層形成鈍化層,鈍化層包括暴露漏極的一部分的第一接觸孔;在鈍化層上依次沉積第二透明導電層和第四光刻膠層;以及使用第四掩膜版使第二透明導電層形成連接電極和第二電極,連接電極將漏極電連接至第一電極或第二電極。
本申請提供的陣列基板,通過設置柵絕緣層與第一電極不相交疊,從而減少了第一電極與第二電極之間的絕緣層數量,增強了第一電極與第二電極之間的橫向電場強度,當陣列基板應用于顯示裝置時,能夠在不增加功耗的情況下提升顯示亮度。
附圖說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





