[發明專利]陣列基板和陣列基板的制作方法

有效

• 申請號: 201710191377.3
• 申請日: 2017-03-28
• 公開（公告）號: CN106898619B
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發明（設計）人: 毛瓊琴
• 申請（專利權）人: 上海天馬微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/423;H01L21/84;H01L21/28
• 代理公司: 北京晟睿智杰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11603
• 代理人: 于淼

1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括設置在襯底基板上的柵極、掃描線、第一電極、柵絕緣層、半導體層、源極、漏極、鈍化層、連接電極和第二電極；其中：

所述柵極包括第一透明電極和第一金屬電極，所述掃描線包括第二透明電極和第二金屬電極，所述第一電極包括第三透明電極，通過一個掩膜版通過一次光刻來形成所述柵絕緣層、所述柵極、所述掃描線和所述第一電極，所述柵絕緣層在所述襯底基板上的正投影與所述柵極和所述掃描線在所述襯底基板上的正投影彼此重疊并且所述柵絕緣層在所述襯底基板上的正投影與所述第一電極在所述襯底基板上的正投影不交疊；所述第一金屬電極位于所述第一透明電極遠離所述襯底基板的一側，所述第一透明電極、所述第二透明電極和所述第三透明電極位于同一層，所述第一金屬電極和所述第二金屬電極位于同一層，所述柵極和所述掃描線彼此電連接并且均與所述第一電極彼此絕緣；

所述鈍化層覆蓋所述源極、所述漏極、所述第一電極以及至少部分所述半導體層和所述柵絕緣層，所述鈍化層覆蓋所述柵極和所述柵絕緣層的側面，所述側面為所述柵極和所述柵絕緣層與平行于所述襯底基板的平面相交的面，所述半導體層在所述襯底基板的投影位于所述柵極在所述襯底基板的投影內，所述第二電極位于所述鈍化層遠離所述襯底基板的一側，第一接觸孔位于所述漏極遠離所述襯底基板的一側，所述鈍化層暴露所述第一接觸孔；以及

所述連接電極將所述漏極電連接至所述第一電極或所述第二電極，所述連接電極通過所述鈍化層與所述柵極、所述柵絕緣層和所述半導體層分隔。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極、所述掃描線、所述第一電極和所述柵絕緣層通過一次光刻形成。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，當所述第一電極為像素電極，所述第二電極為公共電極時；

所述鈍化層還包括暴露所述第一電極的一部分的第二接觸孔，所述連接電極通過所述第一接觸孔與所述漏極電連接，并通過所述第二接觸孔與所述第一電極電連接。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，當所述第一電極為公共電極，所述第二電極為像素電極時；

所述連接電極與所述第二電極電連接，并通過所述第一接觸孔與所述漏極電連接。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極在相鄰的兩條所述掃描線之間為長條狀。

6.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括公共電極線，所述公共電極線包括第四透明電極和第四金屬電極，所述第四透明電極與所述第一透明電極位于同一層，所述第四金屬電極和所述第一金屬電極位于同一層；

所述公共電極線與所述第一電極或所述第二電極電連接。

7.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，第一透明導電層通過對透明金屬氧化物半導體進行離子摻雜而形成。

8.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二電極在像素區域具有多個長條狀的開口。