[發明專利]包含啟用電路的裝置及系統

有效

• 申請號: 201710190131.4
• 申請日: 2012-05-15
• 公開（公告）號: CN107093443B
• 公開（公告）日: 2020-10-13
• 發明（設計）人: 丹沢徹;阿里·法伊茲·扎爾林·加萊姆
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C5/14
• 分類號: G11C5/14;G11C7/10;G11C7/22
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 孫寶成

本申請涉及包含啟用電路的裝置及系統。本發明描述包含啟用電路的裝置及系統的實例。可使用兩個電壓供應來操作所述裝置的不同部分，包含外圍電路及I/O電路。當停用到一個或一個以上裝置的所述外圍電路的所述電壓供應時，可停用所述裝置的所述I/O電路。在一些實例中，可部分地通過消除或減少穿過所述I/O電路的DC電流路徑來有利地節省電力。

分案申請的相關信息

本案是分案申請。本案的母案是申請日為2012年5月15日、申請號為201280026184.8、發明名稱為“包含啟用電路的裝置及系統”的發明專利申請案。

技術領域

本發明的實施例大體來說涉及半導體存儲器，且更特定來說，描述用于雙供應電壓存儲器的接口電路的實例。

背景技術

隨著電子裝置(例如膝上型計算機、便攜式數字助理、數碼相機、移動電話、數字音頻播放器、視頻游戲控制臺等)的日益流行，對非易失性存儲器的需求也在上升。非易失性存儲器以各種類型出現，包含快閃存儲器。當今，快閃存儲器廣泛地用于電子裝置(例如上文所提及的那些電子裝置)中的快速信息存儲裝置。一般通過將電荷存儲于浮動柵極上來編程快閃存儲器單元。此后，甚至在已從快閃存儲器裝置移除電力之后，電荷也可在柵極上保持達無限周期。因此，快閃存儲器裝置為非易失性的。

通過將適當電壓施加到控制柵極及漏極或源極而將電荷存儲于浮動柵極上。舉例來說，可通過將源極接地同時將充足大的正電壓施加到控制柵極以吸引電子(所述電子從溝道區隧穿柵極氧化物而到達浮動柵極)而將負電荷置于浮動柵極上。

可通過將相對于源極為正的電壓施加到控制柵極來讀取快閃存儲器單元。存儲于快閃存儲器單元上的電荷的量確定為允許快閃存儲器單元在源極與漏極之間傳導電流而必須施加到控制柵極的電壓的量值。隨著將負電荷施加到浮動柵極，快閃存儲器單元的閾值電壓增加，因此增加為允許快閃存儲器單元傳導電流而必須施加到控制柵極的電壓的量值。在讀取操作期間，將讀取電壓施加到控制柵極，所述讀取電壓大到足以在不充足電荷存儲于浮動柵極上的情況下使單元變為導通，但并不大到足以在充足電荷存儲于浮動柵極上的情況下使單元變為導通。在讀取操作期間，用作單元的輸出端子的漏極被預充電到正電壓，且源極耦合到接地。因此，如果快閃存儲器單元的浮動柵極被充足充電，那么漏極將保持處于正電壓。如果快閃存儲器單元的浮動柵極未被充足充電，那么單元將使漏極接地。

在快閃存儲器單元可被編程之前，可通過從浮動柵極移除電荷來擦除所述單元。可通過將具有與用于編程的電壓相反的極性的柵極到源極電壓施加到單元來擦除所述單元。舉例來說，可使控制柵極接地，且將大的正電壓施加到源極以致使電子隧穿柵極氧化物并從浮動柵極耗盡電荷。在另一方法中，將相對大的負電壓施加到控制柵極，且將正電壓(例如供應電壓)施加到源極區。

典型的快閃存儲器裝置包含含有布置成若干行及列的大量快閃存儲器單元的存儲器陣列。兩種常見類型的快閃存儲器陣列架構為“NAND”及“NOR”架構，如此稱謂是因為布置每一者的基本快閃存儲器單元配置的邏輯形式。典型的快閃存儲器陣列可包含劃分成若干個塊的大量快閃存儲器單元。每一塊可包含若干個行，其中同一行中的單元使其控制柵極耦合到共同字線。同一列中的單元可使其源極及漏極彼此串聯連接。因此，每一塊的同一列中的所有存儲器單元通常彼此串聯連接。塊中的上部快閃存儲器單元的漏極通過選擇柵極晶體管耦合到位線。所述位線中的每一者輸出指示存儲于陣列的相應列中的數據位的相應位線信號BL1-BLN。所述位線可穿過多個塊延伸到相應讀出放大器。