[發(fā)明專利]一種基于機器視覺的磁瓦缺陷檢測取相系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710189053.6 | 申請日： | 2017-03-27 |
| 公開（公告）號： | CN108663369A | 公開（公告）日： | 2018-10-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 薛春花;王文濤;陳志列 | 申請（專利權(quán)）人： | 研祥智能科技股份有限公司 |
| 主分類號： | G01N21/88 | 分類號： | G01N21/88 |
| 代理公司： | 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11228 | 代理人： | 張瑾 |
| 地址： | 518107 廣東省深圳市光*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 磁瓦 缺陷檢測 外弧面 光源 基于機器 相系統(tǒng) 視覺 檢測 相機 端面缺陷 光源區(qū)域 機器分揀 幾何中心 人工效率 直邊中點 自動檢測 內(nèi)弧面 邊面 分揀 連線 銳角 出錯 對稱 拍攝 | ||
1.一種基于機器視覺的磁瓦缺陷檢測取相系統(tǒng)，包括用于對磁瓦的內(nèi)/外弧面進行打光和取相的內(nèi)/外弧面磨歪檢測取相模塊；用于對所述磁瓦的外弧面進行打光和取相的1/2外弧面其他缺陷檢測取相模塊；用于對所述磁瓦的內(nèi)弧面進行打光和取相的內(nèi)弧面其他缺陷檢測取相模塊；用于對所述磁瓦的邊面進行打光和取相的邊面缺陷檢測取相模塊；用于對所述磁瓦的端面進行打光和取相的端面缺陷檢測取相模塊；其特征在于，所述內(nèi)/外弧面磨歪檢測取相模塊包括：
第一條光源，所述第一條光源包括左側(cè)第一條光源和右側(cè)第一條光源，所述左側(cè)第一條光源和所述右側(cè)第一條光源與所述磁瓦的直邊中點連線所在垂直平面夾銳角對稱；
第一相機，用于拍攝所述磁瓦的內(nèi)/外弧面，且位于所述磁瓦的內(nèi)/外弧面幾何中心的正上方；
其中，所述磁瓦位于所述第一條光源的光源區(qū)域中央。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁瓦缺陷檢測取相系統(tǒng)，其特征在于，所述第一條光源與所述磁瓦的直邊中點連線所在垂直平面的相對位置和夾角均可調(diào)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁瓦缺陷檢測取相系統(tǒng)，其特征在于，所述磁瓦缺陷檢測取相系統(tǒng)包括關(guān)于所述磁瓦的弧邊法線所在平面對稱的兩個所述1/2外弧面其他缺陷檢測取相模塊。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁瓦缺陷檢測取相系統(tǒng)，其特征在于，所述1/2外弧面其他缺陷檢測取相模塊包括：
第二條光源，所述第二條光源包括左側(cè)第二條光源和右側(cè)第二條光源，所述左側(cè)第二條光源和所述右側(cè)第二條光源與所述磁瓦弧邊1/4圓弧法線所在的平面夾銳角對稱；
第一圓頂光源，位于所述磁瓦上方的所述磁瓦弧邊1/4圓弧法線方向；
第二相機，用于拍攝所述磁瓦的外弧面，且位于所述磁瓦上方的所述磁瓦弧邊1/4圓弧法線方向以及所述第一圓頂光源的上方；
其中，所述磁瓦位于所述第二條光源和所述第一圓頂光源的光源區(qū)域中央，所述第二相機的鏡頭中心與所述第一圓頂光源的中心重合。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁瓦缺陷檢測取相系統(tǒng)，其特征在于，所述第二條光源與所述磁瓦弧邊的1/4圓弧法線所在平面的相對位置和夾角均可調(diào)，所述第一圓頂光源與所述磁瓦弧邊的1/4圓弧法線的相對位置可調(diào)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁瓦缺陷檢測取相系統(tǒng)，其特征在于，所述內(nèi)弧面其他缺陷檢測取相模塊包括：
第三條光源，所述第三條光源包括左側(cè)第三條光源和右側(cè)第三條光源，所述左側(cè)第三條光源和所述右側(cè)第三條光源與所述磁瓦弧邊1/2圓弧法線所在平面夾銳角對稱；
第一同軸光源，位于所述磁瓦上方的所述磁瓦弧邊1/2圓弧法線方向；
第三相機，用于拍攝所述磁瓦的內(nèi)弧面，位于所述磁瓦上方的所述磁瓦弧邊1/2圓弧法線方向以及所述第一同軸光源的上方；
其中，所述磁瓦位于所述第三條光源和所述第一同軸光源的光源區(qū)域中央，所述第三相機的鏡頭中心與所述第一同軸光源的中心重合。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁瓦缺陷檢測取相系統(tǒng)，其特征在于，所述第三條光源與所述磁瓦弧邊1/2圓弧法線所在平面的相對位置和夾角均可調(diào)，所述第一同軸光源與所述磁瓦弧邊1/2圓弧法線的相對位置可調(diào)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁瓦缺陷檢測取相系統(tǒng)，其特征在于，所述邊面缺陷檢測取相模塊包括：
第四條光源，所述第四條光源包括左側(cè)第四條光源和右側(cè)第四條光源，所述左側(cè)第四條光源和所述右側(cè)第四條光源分別與所述磁瓦的左右邊面平行；
第四相機，用于拍攝所述磁瓦的邊面，位于所述磁瓦弧面的幾何中心的正上方；
其中，所述磁瓦的邊面位于所述第四條光源的光源區(qū)域中央。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁瓦缺陷檢測取相系統(tǒng)，其特征在于，所述第四條光源與所述邊面所在平面的相對位置和夾角均可調(diào)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁瓦缺陷檢測取相系統(tǒng)，其特征在于，所述端面缺陷檢測取相模塊包括：
第二同軸光源，與所述磁瓦的端面平行；
第五相機，用于拍攝所述磁瓦的端面，所述第五相機的鏡頭平面與所述磁瓦的端面平行；
其中，所述磁瓦端面位于所述第二同軸光源的光源區(qū)域中央，且所述第二同軸光源位于所述磁瓦和所述第五相機之間；所述第二同軸光源與所述端面所在平面的相對位置可調(diào)。
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G01N 借助于測定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來測試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段，即利用紅外光、可見光或紫外光來測試或分析材料
G01N21-01 .便于進行光學(xué)測試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測試的材料在其中被激發(fā)，因之引起材料發(fā)光或入射光的波長發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng)，測試反應(yīng)的進行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)
