[發明專利]能夠電鍍大尺寸化經光致抗蝕劑限定的特征的銅電鍍浴和電鍍方法有效
| 申請號: | 201710188677.6 | 申請日: | 2017-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN107236975B | 公開(公告)日: | 2019-08-13 |
| 發明(設計)人: | M·托爾塞斯;R·阿茲布魯克;M·斯卡利西;Z·尼亞茲伊別特娃;J·狄茨維斯澤柯 | 申請(專利權)人: | 羅門哈斯電子材料有限責任公司 |
| 主分類號: | C25D3/38 | 分類號: | C25D3/38 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 陳哲鋒;胡嘉倩 |
| 地址: | 美國馬*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 能夠 電鍍 尺寸 化經光致抗蝕劑 限定 特征 方法 | ||
1.一種方法,其包含:
a)提供包含光致抗蝕劑層的襯底,其中所述光致抗蝕劑層包含多個孔口;
b)提供銅電鍍浴,其包含一種或多種銅離子來源、一種或多種電解質、一種或多種加速劑、一種或多種抑制劑、雙環氧化物與具有下式的芳香族氨基酸化合物的一種或多種第一反應產物:
其中E為CR3;G為CR4并且Z為CR5,其中R1、R2、R3、R4和R5獨立地選自氫、-NH2和-OH,其限制條件為R1、R2、R3、R4和R5中的至少一個為-NH2,所述雙環氧化物具有下式:
其中R6和R7獨立地選自氫和C1-4烷基,A=O((CR8R9)mO)n或(CH2)y,各R8和R9獨立地選自氫、甲基或羥基,m=1到6,n=1到20并且y=0到6,并且當y=0時,A為化學鍵;及咪唑與環氧化物的一種或多種第二反應產物,其中所述咪唑具有下式:
其中R10、R11和R12獨立地選自氫、直鏈或支鏈C1-10烷基、羥基、直鏈或支鏈烷氧基、直鏈或支鏈羥基C1-10烷基、直鏈或支鏈烷氧基C1-10烷基、直鏈或支鏈羧基C1-10烷基、直鏈或支鏈氨基C1-10烷基、經取代或未經取代的苯基,其中取代基選自羥基、羥基C1-3烷基和C1-3烷基;所述環氧化物具有下式:
其中Y為氫或C1-4烷基,X為CH2X2,X1為氫或C1-5烷基并且X2為鹵素或OC1-3鹵烷基;
c)將包含具有所述多個孔口的所述光致抗蝕劑層的所述襯底浸沒在所述銅電鍍浴中;以及
d)在所述多個孔口中電鍍多個銅光致抗蝕劑限定的大型特征,所述多個經光致抗蝕劑限定的大型特征包含-5%到+15%的平均TIR%,其中所述TIR%通過以下方程式測定:
TIR%=[高度中心-高度邊緣]/高度最大×100
其中高度中心為柱的沿其中軸線測量的高度,并且高度邊緣為柱的沿其邊緣在邊緣上的最高點處測量的高度,高度最大為柱底部到其頂部上的其最高點的高度。
2.根據權利要求1所述的方法,其中所述襯底上的銅光致抗蝕劑限定的大型特征的陣列的平均WID%為0%到25%,其中所述WID%通過以下方程式測定:
WID%=1/2×[(高度最大-高度最小)/高度平均]×100
其中高度最大為電鍍在襯底上的柱陣列的最高柱的高度,在柱的最高部分所測量,高度最小為電鍍在襯底上的柱陣列的最短柱的高度,在所述柱的最高部分所測量,高度平均為電鍍在襯底上的所有柱的平均高度。
3.根據權利要求1所述的方法,其中所述雙環氧化物具有下式:
其中R6和R7獨立地選自氫和C1-4烷基,R8和R9選自氫、甲基或羥基,m=1到6,n=1。
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