[發明專利]智能功率模塊、智能功率模塊的制備方法和用電設備

有效

• 申請號: 201710188650.7
• 申請日: 2017-03-27
• 公開（公告）號: CN106920793B
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發明（設計）人: 馮宇翔
• 申請（專利權）人: 廣東美的制冷設備有限公司;美的集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/04
• 代理公司: 北京友聯知識產權代理事務所(普通合伙) 11343
• 代理人: 尚志峰;汪海屏

本發明提供了一種智能功率模塊、智能功率模塊的制備方法和用電設備，其中，智能功率模塊包括：多個MOSFET功率器件，多個MOSFET功率器件的底側面焊接于焊接區中的器件區，多個MOSFET功率器件之間通過電路布線區或邦定線連接；柵極驅動器件，設于每個MOSFET功率器件的頂側面，通過金屬連線橋接至電路布線區。通過本發明技術方案，有效地減小了智能功率模塊的表面積，提高了智能功率模塊的集成度，更利于市場推廣和批量生產。

技術領域

本發明涉及智能功率模塊技術領域，具體而言，涉及一種智能功率模塊、一種智能功率模塊的制備方法和一種用電設備。

背景技術

智能功率模塊，即IPM(Intelligent Power Module)，是一種將電力電子和集成電路技術結合的功率驅動器件。由于具有高集成度、高可靠性等優勢，智能功率模塊贏得越來越大的市場，尤其適合于驅動電機的變頻器及各種逆變電源，是變頻調速、冶金機械、電力牽引、伺服驅動和變頻家電常用的電力電子器件。

圖1A是所述智能功率模塊100的俯視圖。

圖1B是圖1A的X-X’線剖面圖。

圖1C是圖1A去除樹脂(封裝外殼)后的示意圖。

圖1D是智能功率模塊100的電路示意圖。

下面參照圖1A、圖1B、圖1C和圖1D說明現有智能功率模塊100的結構。

上述智能功率模塊100具有如下結構，包括：鋁基板103；設于所述鋁基板103表面上的絕緣層104上形成的所述電路布線105；覆蓋于所述絕緣層104和所述電路布線105特定位置的阻焊層106；被錫膏107固定在所述電路布線105上的IGBT(Insulated Gate BipolarTranslator，絕緣柵門極晶體管)109、FRD(Fast Recovery Diode，快速恢復二極管)110和HVIC(Hyper-Velocity integrated circuit，高速集成電路)108；連接所述IGBT109、FRD110、HVIC108和所述電路布線105的金屬線111；被錫膏107固定在所述電路布線105上的引腳101；所述鋁基板103的至少一面被密封樹脂102密封，為了提高密封性和絕緣性，會將鋁基板103進行全包式密封，為了提高散熱性，會使所述鋁基板103的背面露出到外部的狀態下進行半包式密封。

現行智能功率模塊100的電路結構如圖1D所示：

HVIC管108的VCC端作為所述智能功率模塊100的驅動供電電源正端VDD；

所述HVIC管108的HIN1端作為所述智能功率模塊100的U相上橋臂輸入端UHIN；

所述HVIC管108的HIN2端作為所述智能功率模塊100的V相上橋臂輸入端VHIN；

所述HVIC管108的HIN3端作為所述智能功率模塊100的W相上橋臂輸入端WHIN；

所述HVIC管108的LIN1端作為所述智能功率模塊100的U相下橋臂輸入端ULIN；

所述HVIC管108的LIN2端作為所述智能功率模塊100的V相下橋臂輸入端VLIN；

所述HVIC管108的LIN3端作為所述智能功率模塊100的W相下橋臂輸入端WLIN；

所述HVIC管108的COM端作為所述智能功率模塊100的驅動供電電源負端VSS；

所述HVIC管108的VB1端作為所述智能功率模塊100的U相高壓區驅動供電電源正端UVB；

所述HVIC管108的HO1端與U相上橋臂IGBT管1091的柵極相連；