[發(fā)明專利]智能功率模塊、智能功率模塊的制備方法和用電設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710188650.7
• 申請(qǐng)日: 2017-03-27
• 公開（公告）號(hào): CN106920793B
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馮宇翔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東美的制冷設(shè)備有限公司;美的集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02;H01L27/04
• 代理公司: 北京友聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11343
• 代理人: 尚志峰;汪海屏

1.一種智能功率模塊，所述智能功率模塊設(shè)有基板，所述基板上設(shè)有電路布線區(qū)，所述電路布線區(qū)的指定區(qū)域?yàn)楹附訁^(qū)，其特征在于，所述智能功率模塊包括：

多個(gè)MOSFET功率器件，多個(gè)所述MOSFET功率器件的底側(cè)面焊接于所述焊接區(qū)中的器件區(qū)，多個(gè)所述MOSFET功率器件之間通過所述電路布線區(qū)或邦定線連接，所述MOSFET功率器件內(nèi)設(shè)置有快速恢復(fù)二極管；

柵極驅(qū)動(dòng)器件，設(shè)于每個(gè)所述MOSFET功率器件的頂側(cè)面，通過金屬連線橋接至所述電路布線區(qū)；

第一絕緣層，設(shè)于所述基板和所述MOSFET功率器件之間；

第二絕緣層，設(shè)于所述柵極驅(qū)動(dòng)器件和所述MOSFET功率器件之間；

所述第二絕緣層內(nèi)摻雜有散熱顆粒，所述散熱顆粒的形狀包括球形和角型。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的智能功率模塊，其特征在于，所述MOSFET功率器件包括：

MOSFET管；

體二極管，串聯(lián)連接于所述MOSFET管的源極和漏極之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的智能功率模塊，其特征在于，還包括：

封裝外殼，半包覆于所述基板的正側(cè)面，或全包覆于整個(gè)所述基板，以完全覆蓋所述MOSFET功率器件和所述柵極驅(qū)動(dòng)器件。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的智能功率模塊，其特征在于，還包括：

載具，套設(shè)于所述基板的外側(cè)，所述載具上設(shè)有引腳，所述引腳焊接于所述焊接區(qū)中的引腳區(qū)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的智能功率模塊，其特征在于，還包括：

阻焊層，設(shè)于所述電路布線區(qū)上除所述焊接區(qū)以外的區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的智能功率模塊，其特征在于，還包括：

合金層，設(shè)于所述引腳的表層，所述合金層的厚度范圍為0.1～10微米。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的智能功率模塊，其特征在于，

所述合金層的厚度為5微米。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的智能功率模塊，其特征在于，

所述邦定線的線寬范圍為350～400微米。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的智能功率模塊，其特征在于，

所述金屬連線的線寬范圍為38～200微米。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的智能功率模塊，其特征在于，

所述電路布線區(qū)的厚度為0.0175毫米或0.035毫米或0.07毫米。

11.一種智能功率模塊的制備方法，其特征在于，包括：

在形成第一絕緣層的基板上形成電路布線區(qū)，所述電路布線區(qū)的指定區(qū)域?yàn)楹附訁^(qū)；

在所述電路布線區(qū)上不需要后續(xù)焊接的區(qū)域形成阻焊層；

在所述焊接區(qū)中的器件區(qū)焊接MOSFET功率器件，所述MOSFET功率器件內(nèi)設(shè)置有快速恢復(fù)二極管；

在所述MOSFET功率器件的頂側(cè)面形成第二絕緣層；

在所述第二絕緣層的上側(cè)面粘合柵極驅(qū)動(dòng)器件；

在所述柵極驅(qū)動(dòng)器件和所述電路布線區(qū)之間形成金屬連線以橋接；

在所述第二絕緣層的上側(cè)面粘合柵極驅(qū)動(dòng)器件，具體包括以下步驟：

采用點(diǎn)膠機(jī)在所述第二絕緣層的上側(cè)面形成點(diǎn)膠層；

將所述柵極驅(qū)動(dòng)器件通過所述點(diǎn)膠層粘合至所述MOSFET功率器件的頂側(cè)面；

在粘合所述柵極驅(qū)動(dòng)器件后，對(duì)所述點(diǎn)膠層進(jìn)行150℃溫度下的固化處理。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的智能功率模塊的制備方法，其特征在于，還包括：

將載具套設(shè)于所述基板的外側(cè)；

將載具的引腳焊接于所述焊接區(qū)中的引腳區(qū)。