[發明專利]圖案化基板與發光二極管晶圓

有效

• 申請號: 201710188511.4
• 申請日: 2017-03-27
• 公開（公告）號: CN108666306B
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發明（設計）人: 賴彥霖;王信介;吳俊德;嚴千智
• 申請（專利權）人: 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/12;H01L33/22
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

本發明提供一種圖案化基板與發光二極管晶圓。圖案化基板包括基材以及多個圖案結構。基材具有至少一元件配置區以及環繞元件配置區的切割區。圖案結構與基材一體成型，且位于基材的切割區內。圖案結構彼此分離且分布于切割區。

技術領域

本發明涉及一種圖案化基板與發光二極管晶圓，尤其涉及一種可提高磊晶品質的圖案化基板與發光二極管晶圓。

背景技術

在制作發光二極管的處理中，需要在一種材料(如基板)上長出另一種不同的材料(如磊晶結構)，此時必須要考慮到兩者晶格原子間的匹配程度。若是兩個材料之間的晶格大小差距太大，必然會在兩個材料的界面處產生應力場。缺陷或差排大多因此而存在于此界面之中，且在磊晶結構產生時就會發現有穿隧差排(threading dislocation)從此界面中延伸出來，導致磊晶品質不佳進而影響元件的效能。

發明內容

本發明提供一種圖案化基板，可提高磊晶品質。

本發明還提供一種發光二極管晶圓，可解決現有因晶格不匹配而于磊晶時產生穿隧差排進而降低磊晶品質的問題。

本發明的發光二極管晶圓，其包括圖案化基板以及配置于所述圖案化基板上的磊晶結構層。圖案化基板，其包括基材以及多個圖案結構。基材具有至少一元件配置區以及環繞元件配置區的切割區。圖案結構與基材一體成型，且位于基材的切割區內。圖案結構彼此分離且分布于切割區。

在本發明的一實施例中，上述的圖案結構突出配置于基材上，且圖案結構的形狀包括角錐形、圓錐形、球形或梯形。

在本發明的一實施例中，上述的圖案結構內埋于基材內，且圖案結構的形狀包括凹角錐形、凹圓錐形、凹球形或凹梯形。

在本發明的一實施例中，上述的元件配置區的寬度介于1微米至15微米之間，且元件配置區的寬度的定義是分別位于元件配置區兩側且鄰近元件配置區的圖案結構的距離。

在本發明的一實施例中，每一圖案結構的寬度與高度的比值介于0.8至1.5之間。

在本發明的一實施例中，上述的每一圖案結構具有粗糙化表面。

在本發明的一實施例中，上述的磊晶結構層具有多個子磊晶結構，且子磊晶結構彼此分離且對應位于元件配置區上。

在本發明的一實施例中，上述的發光二極管晶圓，還包括：緩沖層，位于圖案化基板與磊晶結構層之間，其中緩沖層具有多個彼此分離的緩沖部，每一緩沖部分別對應位于一個元件配置區上，子磊晶結構分別形成于緩沖部上。

在本發明的一實施例中，具有子磊晶結構的圖案化基板上的每一圖案結構的寬度與高度的比值介于0.2至1之間。

在本發明的一實施例中，上述的每一緩沖部具有與基材接觸的下表面，以及與子磊晶結構接觸的上表面，而下表面的面積小于上表面的面積。

基于上述，在本發明的圖案化基板的設計中，圖案結構與基材一體成型，且圖案結構是彼此分離且分布于基材的切割區。后續于此圖案化基板進行磊晶程序時，這些位于切割區的圖案結構可有效減少在元件配置區內的磊晶結構層所受到的壓縮應力和穿隧差排，可提高磊晶品質。

為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。

附圖說明

圖1A顯示為本發明的一實施例的一種發光二極管晶圓的俯視示意圖；

圖1B顯示為圖1A的發光二極管晶圓的局部剖面示意圖；

圖2顯示為本發明的另一實施例的一種圖案化基板的局部剖面示意圖；

圖3顯示為本發明的另一實施例的一種圖案化基板的局部剖面示意圖；