[發(fā)明專利]圖案化基板與發(fā)光二極管晶圓

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710188511.4
• 申請(qǐng)日: 2017-03-27
• 公開（公告）號(hào): CN108666306B
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賴彥霖;王信介;吳俊德;嚴(yán)千智
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英屬開曼群島商錼創(chuàng)科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/075
• 分類號(hào): H01L25/075;H01L33/12;H01L33/22
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種圖案化基板，其特征在于，包括：

基材，具有至少一元件配置區(qū)以及環(huán)繞所述元件配置區(qū)的切割區(qū)；以及

多個(gè)圖案結(jié)構(gòu)，與所述基材一體成型，且位于所述基材的所述切割區(qū)內(nèi)，其中所述多個(gè)圖案結(jié)構(gòu)彼此分離且分布于所述切割區(qū)，每一所述多個(gè)圖案結(jié)構(gòu)的寬度與高度的比值介于0.8至1.5之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化基板，其特征在于，所述多個(gè)圖案結(jié)構(gòu)突出配置于所述基材上，且所述多個(gè)圖案結(jié)構(gòu)的形狀包括角錐形、圓錐形、球形或梯形。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化基板，其特征在于，所述多個(gè)圖案結(jié)構(gòu)內(nèi)埋于所述基材內(nèi)，且所述多個(gè)圖案結(jié)構(gòu)的形狀包括凹角錐形、凹圓錐形、凹球形或凹梯形。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化基板，其特征在于，所述至少一元件配置區(qū)的寬度介于1微米至15微米之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的圖案化基板，其特征在于，所述至少一元件配置區(qū)的寬度的定義是分別位于所述至少一元件配置區(qū)兩側(cè)且鄰近所述至少一元件配置區(qū)的所述多個(gè)圖案結(jié)構(gòu)的距離。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化基板，其特征在于，每一所述多個(gè)圖案結(jié)構(gòu)具有粗糙化表面。

7.一種發(fā)光二極管晶圓，其特征在于，包括：

圖案化基板，所述圖案化基板包括，

基材，具有多個(gè)元件配置區(qū)以及環(huán)繞所述多個(gè)元件配置區(qū)的切割區(qū)；以及

多個(gè)圖案結(jié)構(gòu)，與所述基材一體成型，且位于所述基材的所述切割區(qū)內(nèi)，其中所述多個(gè)圖案結(jié)構(gòu)彼此分離且分布于所述切割區(qū)，且每一所述多個(gè)圖案結(jié)構(gòu)的寬度與高度的比值介于0.8至1.5之間；以及

磊晶結(jié)構(gòu)層，配置于所述圖案化基板上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管晶圓，其特征在于，所述多個(gè)圖案結(jié)構(gòu)突出配置于所述基材上，且所述多個(gè)圖案結(jié)構(gòu)的形狀包括角錐形、圓錐形、球形或梯形。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管晶圓，其特征在于，所述多個(gè)圖案結(jié)構(gòu)內(nèi)埋于所述基材內(nèi)，且所述多個(gè)圖案結(jié)構(gòu)的形狀包括凹角錐形、凹圓錐形、凹球形或凹梯形。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管晶圓，其特征在于，每一所述多個(gè)元件配置區(qū)的寬度介于1微米至15微米之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管晶圓，其特征在于，每一所述多個(gè)圖案結(jié)構(gòu)具有粗糙化表面。

12.一種發(fā)光二極管晶圓，其特征在于，包括：

圖案化基板，所述圖案化基板包括，

基材，具有多個(gè)元件配置區(qū)以及環(huán)繞所述多個(gè)元件配置區(qū)的切割區(qū)；以及

多個(gè)圖案結(jié)構(gòu)，與所述基材一體成型，且位于所述基材的所述切割區(qū)內(nèi)，其中所述多個(gè)圖案結(jié)構(gòu)彼此分離且分布于所述切割區(qū)；以及

磊晶結(jié)構(gòu)層，配置于所述圖案化基板上，所述磊晶結(jié)構(gòu)層具有多個(gè)子磊晶結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)子磊晶結(jié)構(gòu)彼此分離且對(duì)應(yīng)位于所述多個(gè)元件配置區(qū)上，且每一所述多個(gè)圖案結(jié)構(gòu)的寬度與高度的比值介于0.2至1之間。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管晶圓，其特征在于，還包括：

緩沖層，位于所述圖案化基板與所述磊晶結(jié)構(gòu)之間，其中所述緩沖層具有多個(gè)彼此分離的緩沖部，所述多個(gè)緩沖部對(duì)應(yīng)位于所述多個(gè)元件配置區(qū)上，所述多個(gè)子磊晶結(jié)構(gòu)分別形成于所述多個(gè)緩沖部上。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管晶圓，其特征在于，每一所述多個(gè)緩沖部具有與所述基材接觸的下表面，以及與每一所述多個(gè)子磊晶結(jié)構(gòu)接觸的上表面，而所述下表面的面積小于所述上表面的面積。