[發(fā)明專利]電路封裝件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710187491.9 | 申請(qǐng)日: | 2017-03-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108666290B | 公開(公告)日: | 2020-04-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王金良 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 笙泉科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/49 | 分類號(hào): | H01L23/49 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 郭蔚 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹縣*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電路 封裝 | ||
1.一種電路封裝件,其特征在于,包含:
一功能電路;
多個(gè)第一高壓接腳,與該功能電路電性連接,且該多個(gè)第一高壓接腳連接相對(duì)應(yīng)的一工作電壓的一第一相位接點(diǎn),其中該多個(gè)第一高壓接腳相鄰設(shè)置,且該多個(gè)第一高壓接腳間的距離小于或等于一第一距離;
至少一第二高壓接腳,與該功能電路電性連接,該第二高壓接腳連接相對(duì)應(yīng)的該工作電壓的一第二相位接點(diǎn),且每一該第一高壓接腳與相對(duì)應(yīng)的該第二高壓接腳形成一電源回路,其中該第一相位接點(diǎn)與該第二相位接點(diǎn)的該工作電壓具有一相位差,相鄰的該第二高壓接腳與該第一高壓接腳間的距離大于或等于一安規(guī)距離,且該第一距離小于該安規(guī)距離;
多個(gè)低壓接腳,與該功能電路電性連接,且該多個(gè)低壓接腳相鄰設(shè)置,其中相鄰的該低壓接腳與該第一高壓接腳以及該第二高壓接腳間的距離大于或等于該安規(guī)距離;以及
一封裝體,用以封裝該功能電路,并露出該多個(gè)第一高壓接腳、至少該第二高壓接腳及該多個(gè)低壓接腳。
2.如權(quán)利要求1所述的電路封裝件,其特征在于,該第二高壓接腳為多個(gè)第二高壓接腳,該多個(gè)第二高壓接腳相鄰設(shè)置,且該多個(gè)第二高壓接腳間的距離小于或等于一第二距離,其中該第二距離小于該安規(guī)距離。
3.如權(quán)利要求2所述的電路封裝件,其特征在于,該多個(gè)第二高壓接腳間的多個(gè)距離為相同。
4.如權(quán)利要求1所述的電路封裝件,其特征在于,該多個(gè)第一高壓接腳間的多個(gè)距離為相同。
5.如權(quán)利要求1所述的電路封裝件,其特征在于,該第一相位接點(diǎn)與該第二相位接點(diǎn)間的該相位差為180度。
6.如權(quán)利要求1所述的電路封裝件,其特征在于,每一該第一高壓接腳與相對(duì)應(yīng)的該第二高壓接腳所形成的該電源回路為一交流電壓回路。
7.如權(quán)利要求1所述的電路封裝件,其特征在于,該工作電壓為100伏特、110伏特、120伏特或220伏特。
8.如權(quán)利要求1所述的電路封裝件,其特征在于,該多個(gè)第一高壓接腳與該多個(gè)第二高壓接腳設(shè)置于該電路封裝件的相同側(cè)。
9.如權(quán)利要求1所述的電路封裝件,其特征在于,該安規(guī)距離為3.5mm或5.0mm。
10.如權(quán)利要求2所述的電路封裝件,其特征在于,該第一距離及該第二距離至少其中之一為1.5mm。
11.如權(quán)利要求2所述的電路封裝件,其特征在于,該第一距離及該第二距離至少其中之一為0.5mm。
12.如權(quán)利要求1所述的電路封裝件,其特征在于,該功能電路包含一集成電路(IC)。
13.如權(quán)利要求1所述的電路封裝件,其特征在于,該功能電路包含一金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)。
14.如權(quán)利要求1所述的電路封裝件,其特征在于,其包含表面粘著封裝件(SMDpackage)、球柵數(shù)組封裝件(BGA package)或薄小型封裝件(TSOP)。
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