[發(fā)明專利]MOS器件安裝結(jié)構(gòu)、控制器及電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710184061.1
• 申請日: 2017-03-24
• 公開（公告）號: CN108630636B
• 公開（公告）日: 2022-01-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳凱;董健;付軍
• 申請（專利權(quán)）人: 德昌電機(jī)（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L23/40;B62D5/04
• 代理公司: 深圳市德力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂;張洋

1.一種MOS器件安裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述MOS器件安裝結(jié)構(gòu)包括一散熱器及至少一施壓件，所述散熱器設(shè)置了至少一容置腔，所述容置腔用于容置一對MOS器件，收容于同一容置腔內(nèi)的一對所述MOS器件同時由所述施壓件抵持從而與所述容置腔的側(cè)壁貼合，所述施壓件為一彈性元件，所述彈性元件兩端部分別抵持所述一對MOS器件，所述彈性元件的中間段被壓縮以給兩端部提供推力。

2.如權(quán)利要求1所述的MOS器件安裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述一對MOS器件面對面設(shè)置于所述容置腔內(nèi)。

3.如權(quán)利要求1所述的MOS器件安裝結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述MOS器件貼合所述容置腔側(cè)壁的一面通過絕緣體與所述散熱器電絕緣。

4.如權(quán)利要求1所述的MOS器件安裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述MOS器件除導(dǎo)電端子外，其余部分通過絕緣體與其他導(dǎo)電部件之間電絕緣。

5.如權(quán)利要求3或4所述的MOS器件安裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣體可以是絕緣膠、絕緣膜或者鋁基電路板。

6.如權(quán)利要求1所述的MOS器件安裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述容置腔包括一開口，所述開口供所述MOS器件的端子伸出所述容置腔。

7.如權(quán)利要求1至4任意一項所述的MOS器件安裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，每一所述容置腔內(nèi)設(shè)置一安裝架，所述安裝架用于將所述一對MOS器件安裝于所述容置腔中。

8.如權(quán)利要求7所述的MOS器件安裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述安裝架包括一容置槽，所述容置槽貫穿所述安裝架的兩端部，所述一對MOS器件分別設(shè)置于所述安裝架容置槽的兩端部位置，所述施壓件置于所述容置槽的中部以向兩側(cè)抵持所述一對MOS器件。

9.如權(quán)利要求8所述的MOS器件安裝結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述安裝架的容置槽被兩個隔件分割成三個相互連通的隔室，所述一對MOS器件分別位于兩端的隔室內(nèi)，所述施壓件置于中間的隔室內(nèi)。

10.如權(quán)利要求1所述的MOS器件安裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱器還設(shè)置了多個第二容置腔，每一所述第二容置腔用于容置一個MOS器件，每一所述第二容置腔內(nèi)設(shè)置一第二施壓件，所述第二施壓件抵持所述MOS器件使其貼合所述第二容置腔的側(cè)壁。

11.一種控制器，所述控制器包括一MOS器件安裝結(jié)構(gòu)、一殼體與一控制部分，其特征在于，所述MOS器件安裝結(jié)構(gòu)為權(quán)利要求1至10任意一項所述的MOS器件安裝結(jié)構(gòu)，所述散熱器與殼體共同構(gòu)成一容置空間容置所述控制部分。

12.如權(quán)利要求11所述的控制器，其特征在于，所述控制部分包括一信號板與一電源板，所述一對MOS器件的端子電連接至所述電源板上。

13.如權(quán)利要求12所述的控制器，其特征在于，所述一對MOS器件其中一個的源極與另一個的漏極通過導(dǎo)電片短路連接，所述一對MOS器件的其他端子電連接至所述電源板上。

14.如權(quán)利要求13所述的控制器，其特征在于，所述導(dǎo)電片為金屬片。

15.如權(quán)利要求12所述的控制器，其特征在于，所述信號板疊置于所述電源板上，所述信號板與所述電源板之間通過頻針電連接。

16.如權(quán)利要求12或13所述的控制器，其特征在于，所述電源板上設(shè)置了一電機(jī)驅(qū)動電路，所述一對MOS器件為所述電機(jī)驅(qū)動電路中的開關(guān)元件。

17.如權(quán)利要求16所述的控制器，其特征在于，所述電機(jī)驅(qū)動電路為三相六橋電路，所述一對MOS器件構(gòu)成其中一相的上下橋臂。