[發(fā)明專利]多層陶瓷電容器以及多層陶瓷電容器的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710183582.5
• 申請日: 2017-03-24
• 公開（公告）號: CN107452504B
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 坂爪克郎;石井真澄;野崎剛;新井紀宏;有我穰二;井上泰史
• 申請（專利權(quán)）人: 太陽誘電株式會社
• 主分類號: H01G4/12
• 分類號: H01G4/12;H01G4/008;H01G4/30
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;張燕

本發(fā)明提供一種多層陶瓷電容器，包括：陶瓷多層結(jié)構(gòu)，其具有交替層疊的陶瓷電介質(zhì)層和內(nèi)部電極層，所述內(nèi)部電極層主要由鐵族之外的過渡金屬構(gòu)成，所述內(nèi)部電極層的端緣交替地露出于第一端面和第二端面；以及設(shè)置在第一端面和第二端面上的一對外部電極，其中外部電極包括基底導(dǎo)電層和第一鍍膜，所述基底導(dǎo)電層包括小于7重量％的玻璃，并且主要由鐵族之外的過渡金屬或貴金屬構(gòu)成，而所述第一鍍膜覆蓋基底導(dǎo)電層，厚度為基底導(dǎo)電層的厚度的一半或更大，并且主要由鐵族之外的過渡金屬構(gòu)成。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的某方面涉及一種多層陶瓷電容器以及多層陶瓷電容器的制造方法。

背景技術(shù)

日本專利申請公開第2001-274035號公開了一種技術(shù)，其中在包括用于內(nèi)部電極和外部電極的諸如Cu、Ni等的賤金屬的多層陶瓷電容器中，為了防止鍍液侵入，使用包括導(dǎo)電成分和玻璃粉的外部電極用導(dǎo)電膏，其中玻璃料的量相對于導(dǎo)電成分和玻璃料的總量為5～50重量％。

當外部電極膏沒有玻璃時，芯片的密封特性可能出現(xiàn)問題。或者，當添加過量的玻璃時，在金屬燒結(jié)之后可能出現(xiàn)因玻璃的表面洗脫引起的劣質(zhì)鍍覆。因此，日本專利申請公開第2013-048231號公開了一種用于解決上述問題的技術(shù)，其中外部電極膏包括10至90重量份的平均粒徑為0.3μm或更小的導(dǎo)電金屬顆粒，并且玻璃相對于導(dǎo)電金屬顆粒的量為0.3至2.0。另一方面，日本專利申請公開第2004-011449號公開了一種用于解決上述問題的技術(shù)，其中包括在外部電極中的玻璃的縱向長度的平均值為10μm或更低。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種多層陶瓷電容器，其包括：陶瓷多層結(jié)構(gòu)，其形成為具有交替層疊的陶瓷電介質(zhì)層和內(nèi)部電極層，所述內(nèi)部電極層主要由鐵族之外的過渡金屬構(gòu)成，所述內(nèi)部電極層的端緣交替地露出于陶瓷多層結(jié)構(gòu)的第一端面和第二端面；以及設(shè)置在陶瓷多層結(jié)構(gòu)的第一端面和第二端面上的至少一對外部電極，其中外部電極包括直接接觸陶瓷多層結(jié)構(gòu)的基底導(dǎo)電層和覆蓋基底導(dǎo)電層的第一鍍膜，所述基底導(dǎo)電層包括小于7重量％的玻璃并且主要由鐵族之外的過渡金屬或貴金屬構(gòu)成，所述第一鍍膜的厚度為基底導(dǎo)電層的厚度的一半或更大并且主要由鐵族之外的過渡金屬構(gòu)成。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種多層陶瓷電容器的制造方法，包括：交替地層疊陶瓷電介質(zhì)層生片和用于內(nèi)部電極的導(dǎo)電膏，所述用于內(nèi)部電極的導(dǎo)電膏主要由鐵族之外的過渡金屬構(gòu)成；通過將經(jīng)上述層疊操作而層疊的用于內(nèi)部電極的導(dǎo)電膏交替露出于第一端面和與第一端面不同的第二端面來形成陶瓷多層結(jié)構(gòu)；煅燒陶瓷多層結(jié)構(gòu)；在煅燒之后在陶瓷多層結(jié)構(gòu)的第一端面和第二端面上布置導(dǎo)電膏，所述導(dǎo)電膏包括小于7重量％的玻璃且主要由鐵族之外的過渡金屬或貴金屬構(gòu)成；通過對導(dǎo)電膏進行熱處理來烘烤基底導(dǎo)電層；以及形成第一鍍膜，所述第一鍍膜覆蓋基底導(dǎo)電層，厚度為基底導(dǎo)電層的厚度的一半或更大，并且主要由鐵族之外的過渡金屬構(gòu)成。

附圖說明

圖1A和圖1B示出根據(jù)實施方式的多層陶瓷電容器；

圖2是示出多層陶瓷電容器的制造方法的流程圖；

圖3示出實施例的特性結(jié)果；

圖4示出比較例的特性結(jié)果；且

圖5示出比較例的特性結(jié)果。

具體實施方式

當基電極包括玻璃時，玻璃傾向于在基電極的表面處偏析。當由偏析玻璃滴落或偏析玻璃洗脫到鍍液中而生成的空隙中殘留有諸如鍍液的水分成分時，容易出現(xiàn)焊料分裂現(xiàn)象。為了抑制焊料分裂現(xiàn)象，需要形成金屬鍍膜。當考慮安裝期間相對于焊料的親和性時，通常將Ni鍍用于金屬鍍膜。為了抑制焊料分裂現(xiàn)象，優(yōu)選Ni鍍膜具有較大的厚度。另一方面，當考慮高頻帶的電特性時，由于在信號線上存在具有高相對磁導(dǎo)率的諸如Ni的鐵族過渡金屬的情況下高頻帶的趨膚效應(yīng)，電阻增加。在該情況下，介電損耗可能增加。

將參考附圖給出實施方式的描述。