[發(fā)明專利]多層陶瓷電容器以及多層陶瓷電容器的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710183582.5
• 申請日: 2017-03-24
• 公開（公告）號: CN107452504B
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 坂爪克郎;石井真澄;野崎剛;新井紀(jì)宏;有我穰二;井上泰史
• 申請（專利權(quán)）人: 太陽誘電株式會社
• 主分類號: H01G4/12
• 分類號: H01G4/12;H01G4/008;H01G4/30
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;張燕

1.一種多層陶瓷電容器，包括：

陶瓷多層結(jié)構(gòu)，其形成為具有交替層疊的陶瓷電介質(zhì)層和內(nèi)部電極層，所述內(nèi)部電極層主要由鐵族之外的過渡金屬構(gòu)成，所述內(nèi)部電極層的端緣交替地露出于所述陶瓷多層結(jié)構(gòu)的第一端面和第二端面；以及

至少一對外部電極，其設(shè)置在所述陶瓷多層結(jié)構(gòu)的所述第一端面和所述第二端面上，

其中所述外部電極包括直接接觸所述陶瓷多層結(jié)構(gòu)的基底導(dǎo)電層和覆蓋所述基底導(dǎo)電層的第一鍍膜，在所述基底導(dǎo)電層的第一鍍膜側(cè)的表面上形成有空隙，所述基底導(dǎo)電層包括小于7重量％的玻璃，并且主要由除鐵族之外的過渡金屬構(gòu)成，所述第一鍍膜的厚度為所述基底導(dǎo)電層的厚度的一半或更大，并且主要由除鐵族之外的過渡金屬構(gòu)成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中所述基底導(dǎo)電層主要由貴金屬構(gòu)成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中所述陶瓷電介質(zhì)層主要由CaZrO₃構(gòu)成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的多層陶瓷電容器，還包括第二鍍膜，所述第二鍍膜覆蓋所述第一鍍膜，并且主要由與所述第一鍍膜的過渡金屬不同的、鐵族之外的過渡金屬構(gòu)成。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多層陶瓷電容器，其中，

所述基底導(dǎo)電層和所述第一鍍膜主要由Cu構(gòu)成；且

所述第二鍍膜主要由Sn構(gòu)成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的多層陶瓷電容器，其中，

層疊的內(nèi)部電極層的數(shù)量為200至500個。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，

所述陶瓷電介質(zhì)層主要由Ba_1-x-yCa_xSr_yTi_1-zZr_zO₃組成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1。

8.一種多層陶瓷電容器的制造方法，包括：

交替層疊陶瓷電介質(zhì)層生片和用于內(nèi)部電極的導(dǎo)電膏，所述用于內(nèi)部電極的導(dǎo)電膏主要由鐵族之外的過渡金屬構(gòu)成；

通過將經(jīng)層疊操作而層疊的所述用于內(nèi)部電極的導(dǎo)電膏交替露出于第一端面和與所述第一端面不同的第二端面來形成陶瓷多層結(jié)構(gòu)；

煅燒所述陶瓷多層結(jié)構(gòu)；

在煅燒之后在所述陶瓷多層結(jié)構(gòu)的所述第一端面和所述第二端面上布置導(dǎo)電膏，所述導(dǎo)電膏的主要成分金屬是鐵族之外的過渡金屬，所述導(dǎo)電膏包括要形成玻璃的燒結(jié)劑，所述燒結(jié)劑的粒徑為所述主要成分金屬的粒徑的一半或更小；

通過對所述導(dǎo)電膏進行熱處理來烘烤基底導(dǎo)電層，使得所述玻璃在所述基底導(dǎo)電層的外表面上偏析；以及

形成第一鍍膜，所述第一鍍膜覆蓋所述基底導(dǎo)電層，厚度為所述基底導(dǎo)電層的厚度的一半或更大，并且主要由鐵族之外的過渡金屬構(gòu)成，

所述基底導(dǎo)電層中的玻璃的量小于7重量％。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中在煅燒之后在所述陶瓷多層結(jié)構(gòu)的所述第一端面和所述第二端面上布置的所述導(dǎo)電膏的主要成分金屬是貴金屬。