[發明專利]電子封裝件及其基板構造

在審

• 申請號: 201710181197.7
• 申請日: 2017-03-24
• 公開（公告）號: CN108630646A
• 公開（公告）日: 2018-10-09
• 發明（設計）人: 鄭子企;羅育民;陳漢宏;林長甫;黃富堂
• 申請（專利權）人: 矽品精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/498
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

一種電子封裝件及其基板構造，包括上側用以承載芯片的含硅基板、以及形成于該含硅基板下側的線路結構，令該線路結構用以結合焊球的電性接觸墊的規格等同于一般封裝基板于植球墊的規格，以省略現有封裝基板的相關制程。

技術領域

本發明有關一種半導體封裝制程，尤指一種電子封裝件及其基板構造。

背景技術

隨著電子產業的蓬勃發展，電子產品也逐漸邁向多功能、高性能的趨勢。目前應用于芯片封裝領域的技術，例如芯片尺寸構裝(Chip Scale Package，簡稱CSP)、芯片直接貼附封裝(Direct Chip Attached，簡稱DCA)或多芯片模組封裝(Multi-Chip Module，簡稱MCM)等覆晶型態的封裝模組、或將芯片立體堆疊化整合為三維集成電路(3D IC)芯片堆疊技術等。

圖1為現有三維積體電路芯片堆疊的半導體封裝件1的剖面示意圖。首先，提供一具有相對的轉接側10a與置晶側10b的硅中介板(Through Silicon interposer，簡稱TSI)10，且該硅中介板10具有多個連通該置晶側10b與轉接側10a的導電硅穿孔(Through-silicon via，簡稱TSV)100，并于該置晶側10b上形成線路結構11以供接置一具有較小焊錫凸塊130間距的半導體芯片13，再將該硅中介板10以其轉接側10a透過多個導電元件101設于一具有較大線距的封裝基板18上，并使該封裝基板18電性連接該些導電硅穿孔100，其中，各該導電元件101之間的距離T為40至70微米，該導電元件101的寬度D為25至50微米。接著，形成封裝膠體14于該封裝基板18上，以令該封裝膠體14包覆該半導體芯片13與該硅中介板10。最后，形成多個焊球12于該封裝基板18的下側植球墊180，以供接置于一電路板19上，其中，各該植球墊180(或焊球12)之間的距離R為200至1500微米，且該植球墊180(或焊球12)的最大寬度W為150至800微米。

前述半導體封裝件1中，由于該半導體芯片13因應需求微小化，致使該硅中介板10的轉接側10a(或置晶側10b)的面積也越來越小，而當該硅中介板10的轉接側10a(或置晶側10b)的面積極小時，該封裝基板18將影響該半導體封裝件1的翹曲程度。

詳言之，該封裝基板18為有機材質，故該封裝基板18與該硅中介板10的熱膨脹系數(CTE)不匹配(mismatch)，因而容易發生熱應力不均勻的情況，致使熱循環(thermalcycle)時該封裝基板18產生極大的翹曲(warpage)，以致于發生植球狀況不佳(即該焊球12掉落)、焊球12不沾錫(non-wetting)或該封裝基板18裂開等可靠度問題，進而導致應用該半導體封裝件1的終端電子產品(如電腦、手機等)產生可靠度問題。

此外，該封裝基板18的厚度L極厚(約為100至500微米)，致使現有半導體封裝件1的整體高度會超過1㎜(目前封裝件的厚度需求需小于1㎜)，且該硅中介板10需通過該些導電元件101設于該封裝基板18上，致使該半導體封裝件1的整體厚度難以降低，導致應用該半導體封裝件1的電子產品難以符合微小化的需求。

因此，如何克服上述現有技術的種種問題，實已成目前亟欲解決的課題。

發明內容

鑒于上述現有技術的種種缺失，本發明提供一種電子封裝件及其基板構造，以省略現有封裝基板的相關制程。

本發明的基板構造，包括：含硅基板，其具有相對的第一側與第二側以及多個形成于該含硅基板中的導電柱；以及線路結構，其形成于該含硅基板的第一側上且電性連接該導電柱，并具有多個電性接觸墊，其中，各該電性接觸墊的寬度為150至800微米，且各該電性接觸墊之間的距離為200至1500微米。

前述的基板構造中，該線路結構包含有至少一介電層、設于該介電層上的線路層及多個設于該介電層中并電性連接該線路層的導電盲孔，且最外側的該線路層具有該些電性接觸墊。