[發明專利]固態成像裝置和電子設備

有效

• 申請號: 201710180693.0
• 申請日: 2014-03-20
• 公開（公告）號: CN107425025B
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發明（設計）人: 田中裕介
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 葛青

提供一種固態成像裝置，包括：多個光電轉換區域，光電轉換從半導體基板的后表面側入射的光；元件隔離區域，形成在以矩陣形式布置的所述多個光電轉換區域之間，所述元件隔離區域包括具有比元件隔離區域內的其他半導體區域高的雜質濃度的高雜質濃度半導體區域；以及屏蔽件，形成在截面圖中的所述多個光電轉換區域之間，其中至少一個屏蔽件設置為覆蓋對應截面圖中的高雜質濃度半導體區域的后表面。

本申請是申請日為2014年03月20日、申請號為201410105871.X、發明名稱為“固態成像裝置、固態成像裝置的制造方法和電子設備”的專利申請的分案申請。

技術領域

本公開涉及固態成像裝置，固態成像裝置的制造方法以及電子設備，特別是涉及能在后表面照明型固態成像裝置中改進光接收靈敏度的固態成像裝置、固態成像裝置的制造方法以及電子設備。

背景技術

后表面照射型固態成像裝置中光從半導體基板的后表面側入射。例如，JP 2008-300614A提出了這樣的后表面輻照型固態成像裝置的技術，其通過將屏蔽件的光入射表面側連接到接地電路而抑制圍繞屏蔽件的有源層之間產生電荷。

發明內容

然而，因為在JP 2008-300614A的技術中P-型擴散層形成在光入射表面側的整個界面上，所以存在靈敏度降低的風險。

本公開通過考慮這樣的情形而實現，并且可改進后表面照射型固態成像裝置中的光接收靈敏度。

根據本公開的第一實施例，提供一種固態成像裝置，其包括光電轉換從半導體基板的后表面側入射的光的多個光電轉換區域；形成在設置成矩陣形式的多個光電轉換區域之間的元件隔離區域；以及形成在元件隔離區域的上表面上的屏蔽件。元件隔離區域具有連接到屏蔽件的至少一部分的高雜質濃度的高雜質濃度區域。

根據本公開的第二實施例，提供一種固態成像裝置的制造方法，其包括形成光電轉換從半導體基板的后表面入射的光的多個光電轉換區域；在設置成矩陣形狀的多個光電轉換區域之間的元件隔離區域的后表面側上形成高雜質濃度區域，該高雜質濃度區域的雜質濃度高于元件隔離區域的雜質濃度；以及在高雜質濃度區域的上表面上形成連接到高雜質濃度區域的屏蔽件。

根據本公開的第三實施例，提供一種電子設備，其包括固態成像裝置，包括：

多個光電轉換區域，所述多個光電轉換區域光電轉換從半導體基板的后表面側入射的光；元件隔離區域，所述元件隔離區域形成在設置成矩陣形狀的多個光電轉換區域之間；以及屏蔽件，所述屏蔽件形成在元件隔離區域的上表面上。所述元件隔離區域具有連接到屏蔽件的至少一部分的高雜質濃度的高雜質濃度區域。

在本公開的第一至第三實施例中，形成多個光電轉換區域，其光電轉換從半導體基板的后表面側入射的光；在以矩陣形狀設置的多個光電轉換區域之間的元件隔離區域的后表面側上，以高于元件隔離區域的雜質濃度的更高雜質濃度，形成高雜質濃度區域；以及在連接到高雜質濃度區域的該高雜質濃度區域的上表面上形成屏蔽件。

固態成像裝置和電子設備可以是獨立的裝置，或者可為結合成另一個裝置的模塊。

根據本公開的第一至第三實施例，在后表面照射型固態成像裝置中可改進光接收靈敏度。

附圖說明

圖1是示出可應用于本公開的固態成像裝置的示意性結構的模塊圖；

圖2是示出像素共享結構示例的示意圖；

圖3是描述像素陣列部分的第一像素結構示例的示意圖；

圖4是示出其上形成屏蔽件的區域的平面圖；

圖5是像素陣列部分的平面圖；

圖6是周邊電路或外圍電路隔離區域和像素陣列部分之間的邊界附近的截面結構圖；