[發(fā)明專利]固態(tài)成像裝置和電子設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710180693.0
• 申請日: 2014-03-20
• 公開（公告）號: CN107425025B
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田中裕介
• 申請（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 葛青

1.一種固態(tài)成像裝置，包括：

多個光電轉(zhuǎn)換區(qū)域，光電轉(zhuǎn)換從半導(dǎo)體基板的后表面?zhèn)热肷涞墓猓?/p>

元件隔離區(qū)域，形成在以矩陣形式布置的所述多個光電轉(zhuǎn)換區(qū)域之間，所述元件隔離區(qū)域包括具有比元件隔離區(qū)域內(nèi)的其他半導(dǎo)體區(qū)域高的雜質(zhì)濃度的高雜質(zhì)濃度半導(dǎo)體區(qū)域；以及

屏蔽件，形成在截面圖中的所述多個光電轉(zhuǎn)換區(qū)域之間，

其中至少一個屏蔽件設(shè)置為覆蓋對應(yīng)截面圖中的高雜質(zhì)濃度半導(dǎo)體區(qū)域的后表面，并且所述高雜質(zhì)濃度半導(dǎo)體區(qū)域設(shè)置為與所述光電轉(zhuǎn)換區(qū)域分開。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像裝置，

其中所述元件隔離區(qū)域的所述高雜質(zhì)濃度半導(dǎo)體區(qū)域直接連接到所述屏蔽件的至少一部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像裝置，

其中所述元件隔離區(qū)域的所述高雜質(zhì)濃度半導(dǎo)體區(qū)域僅出現(xiàn)在光電轉(zhuǎn)換紅光的所述光電轉(zhuǎn)換區(qū)域的周圍部分中。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像裝置，

其中所述多個光電轉(zhuǎn)換區(qū)域之間的每個所述元件隔離區(qū)域具有一個所述高雜質(zhì)濃度半導(dǎo)體區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像裝置，

其中預(yù)定電壓從周邊電路提供到所述屏蔽件，所述周邊電路設(shè)置在包括所述多個光電轉(zhuǎn)換區(qū)域和所述元件隔離區(qū)域的像素陣列的周圍。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的固態(tài)成像裝置，

其中預(yù)定電壓通過貫通電極從周邊電路提供到所述屏蔽件，所述周邊電路設(shè)置在包括所述多個光電轉(zhuǎn)換區(qū)域和所述元件隔離區(qū)域的像素陣列的周圍。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像裝置，

其中所述元件隔離區(qū)域的所述高雜質(zhì)濃度半導(dǎo)體區(qū)域形成在與所述元件隔離區(qū)域在所述半導(dǎo)體基板的后表面?zhèn)鹊慕缑娣指糸_的位置處，并且

其中所述屏蔽件嵌入該元件隔離區(qū)域內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像裝置，

其中所述元件隔離區(qū)域的所述高雜質(zhì)濃度半導(dǎo)體區(qū)域通過與所述屏蔽件的材料不同的導(dǎo)電材料間接地連接到所述屏蔽件的至少一部分。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像裝置，其中，所述元件隔離區(qū)域中的其他半導(dǎo)體區(qū)域至少部分地圍繞所述高雜質(zhì)濃度半導(dǎo)體區(qū)域。

10.一種電子設(shè)備，包括：

固態(tài)成像裝置，包括：

多個光電轉(zhuǎn)換區(qū)域，光電轉(zhuǎn)換從半導(dǎo)體基板的后表面?zhèn)热肷涞墓猓?/p>

元件隔離區(qū)域，形成在布置成矩陣形狀的所述多個光電轉(zhuǎn)換區(qū)域之間，所述元件隔離區(qū)域包括具有比元件隔離區(qū)域內(nèi)的其他半導(dǎo)體區(qū)域高的雜質(zhì)濃度的高雜質(zhì)濃度半導(dǎo)體區(qū)域；以及

屏蔽件，形成在截面圖中的所述多個光電轉(zhuǎn)換區(qū)域之間，

其中至少一個屏蔽件設(shè)置為覆蓋對應(yīng)截面圖中的高雜質(zhì)濃度半導(dǎo)體區(qū)域的后表面，并且所述高雜質(zhì)濃度半導(dǎo)體區(qū)域設(shè)置為與所述光電轉(zhuǎn)換區(qū)域分開。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子設(shè)備，

其中所述元件隔離區(qū)域的所述高雜質(zhì)濃度半導(dǎo)體區(qū)域直接連接到所述屏蔽件的至少一部分。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子設(shè)備，

其中所述元件隔離區(qū)域的所述高雜質(zhì)濃度半導(dǎo)體區(qū)域僅出現(xiàn)在光電轉(zhuǎn)換紅光的所述光電轉(zhuǎn)換區(qū)域的周圍部分中。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子設(shè)備，

其中所述多個光電轉(zhuǎn)換區(qū)域之間的每個所述元件隔離區(qū)域具有一個所述高雜質(zhì)濃度半導(dǎo)體區(qū)域。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子設(shè)備，

其中預(yù)定電壓從周邊電路提供到所述屏蔽件，所述周邊電路設(shè)置在包括所述多個光電轉(zhuǎn)換區(qū)域和所述元件隔離區(qū)域的像素陣列的周圍。