[發明專利]激光晶化裝置及方法在審
| 申請號: | 201710178583.0 | 申請日: | 2017-03-23 |
| 公開(公告)號: | CN107230612A | 公開(公告)日: | 2017-10-03 |
| 發明(設計)人: | 李洪魯;樸來喆;李忠煥 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司11018 | 代理人: | 梁洪源,康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光 化裝 方法 | ||
相關申請的交叉引用
本申請要求于2016年3月23日向韓國專利局遞交的韓國專利申請第10-2016-0034766號的優先權,其全部內容通過引用合并于此。
技術領域
本發明涉及一種激光晶化裝置。更具體地,本發明涉及一種激光晶化裝置和一種激光晶化方法。
背景技術
包括半導體層的薄膜晶體管(TFT)設置在有源矩陣顯示裝置的像素處。有源矩陣顯示裝置的示例包括有機發光二極管(OLED)顯示裝置和液晶顯示(LCD)裝置。半導體層可包括非晶硅或多晶硅。多晶硅可具有高的遷移率并且可包含在OLED顯示裝置中,以用于根據流過各OLED的電流而控制各OLED中發射層的亮度。
多晶硅可通過用激光束照射非晶硅層并且對非晶硅層進行退火處理而形成。可使用激光晶化裝置來形成多晶硅。
發明內容
根據本發明的示例性實施例,一種激光晶化裝置,包括:激光振蕩器、工作臺和反射單元。工作臺被配置為支撐基底,基底上設置有目標膜。激光振蕩器被配置為將入射激光束照射到目標膜上。工作臺被配置為移動基底,使得入射激光束掃描目標膜。入射激光束從目標膜反射以生成反射激光束。反射單元包括定位在反射激光束的路徑處的至少兩個反射鏡。反射單元被配置為經由與入射激光束的路徑不同的多條路徑將反射激光束兩次或更多次地重新照射到目標膜上。
根據本發明的示例性實施例,一種激光晶化方法,包括:通過經由第一路經將激光束照射到目標膜上而晶化目標膜;在激光束反射出目標膜之后,通過使用反射單元、經由與第一路徑不同的第二路徑通過將激光束一次或多次地照射回目標膜而晶化目標膜;以及,通過工作臺移動目標膜,使得激光束掃描目標膜。
根據本發明的示例性實施例,一種激光晶化裝置,包括:激光振蕩器;工作臺,配置為支撐基底,基底上設置有目標膜,其中激光振蕩器將入射激光束照射到目標膜上,其中工作臺被配置為移動基底,使得入射激光束掃描目標膜,并且其中入射激光束從目標膜反射以生成反射激光束;反射單元,包括定位在反射激光束的路徑上的至少兩個反射單元,并且其中反射單元被配置為經由與入射激光束的路徑不同的路徑將反射激光束一次或多次地重新照射到目標膜上;以及激光消除器,被配置為在反射激光束已經經過反射單元并且接著從目標膜反射之后,捕獲并消除反射激光束。
根據本發明的示例性實施例,一種激光晶化方法,包括:通過將激光束照射到目標膜上而晶化目標膜;在激光束已經從目標膜反射之后,使用反射單元、通過將激光束一次或多次地重新照射回目標膜上而晶化目標膜,其中重新照射的激光束經由與入射激光束的路徑不同的路徑朝著目標膜行進;通過在重新照射的激光束的路徑處設置激光消除器,在重新照射的激光束從目標膜最后反射之后,消除激光束;以及通過工作臺移動目標膜,使得入射激光束掃描目標膜。
附圖說明
通過結合附圖對本發明的示例性實施例的詳細描述,本發明的上述及其它特征將變得更加明顯,其中:
圖1A和圖1B是圖示根據本發明的示例性實施例的激光晶化裝置的示意圖;
圖2A和圖2B是圖示根據本發明的示例性實施例的圖1A中所示的激光晶化裝置的一部分的放大視圖;
圖3是圖示根據本發明的示例性實施例的激光晶化裝置的示意圖;
圖4A和圖4B是圖示根據本發明的示例性實施例的激光晶化裝置的示意圖;
圖5是圖示根據本發明的示例性實施例的激光晶化裝置的示意圖;
圖6A和圖6B是圖示根據本發明的示例性實施例的激光晶化裝置的示意圖;
圖7是圖示根據本發明的示例性實施例的激光晶化裝置的示意圖;
圖8是圖示根據本發明的示例性實施例的激光晶化方法的流程圖;
圖9是圖示根據本發明的示例性實施例的激光晶化裝置的示意圖;
圖10是圖示根據本發明的示例性實施例的激光晶化裝置的示意圖;
圖11是圖示根據本發明的示例性實施例的激光晶化裝置的示意圖;
圖12是圖示根據本發明的示例性實施例的激光晶化裝置的示意圖;以及
圖13是圖示根據本發明的示例性實施例的激光晶化方法的流程圖。
具體實施方式
在下文中將參照附圖更全面地描述本發明的各示例性實施例。然而,本發明可以以不同的形式實施并且不應被解釋為受本文提出的各實施例的限制。貫穿說明書,相同的附圖標記可指代相同的元件。為清楚起見,附圖中圖示的各元件的尺寸和比例可被放大。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





