[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201710175402.9
• 申請日: 2017-03-22
• 公開（公告）號: CN107221525B
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發明（設計）人: N.井上;金洞院;曹永宇;姜智遠;S.Y.韓
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 弋桂芬

本發明公開了一種半導體器件，該半導體器件包括：在襯底上的第一下部線和第二下部線，第一下部線和第二下部線在第一方向上延伸、彼此相鄰、并沿著與第一方向正交的第二方向間隔開；氣隙，其在第一下部線與第二下部線之間并沿著第二方向與它們隔開；第一絕緣間隔物，其在第一下部線的面對第二下部線的側壁上，其中沿著第二方向從第一氣隙到第一下部線的距離等于或大于半導體器件的設計規則的覆蓋規格；以及第二絕緣間隔物，其在氣隙與第二下部線之間。

技術領域

本公開涉及半導體器件和制造該半導體器件的方法，更具體地，涉及包括形成在線之間的氣隙的半導體器件和制造該半導體器件的方法。

背景技術

在半導體器件的后段制程(BEOL)工藝中，以線之間沒有干擾的方式圖案化多條線是重要問題之一。隨著最近的半導體器件迅速地按比例縮小，線之間的間距變窄。因此，已經提出了用于通過在線之間形成氣隙來減小線之間的電容的方法。

發明內容

一個或更多個實施方式可以提供一種半導體器件，該半導體器件包括：在襯底上的第一下部線和第二下部線，第一下部線和第二下部線在第一方向上延伸、彼此相鄰、并沿著與第一方向正交的第二方向間隔開；氣隙，其在第一下部線與第二下部線之間并沿著第二方向與它們隔開；第一絕緣間隔物，其在第一下部線的面對第二下部線的側壁上，其中沿著第二方向從氣隙到第一下部線的距離等于或大于半導體器件的設計規則的覆蓋規格(overlay specification)(其指的是能夠通過光刻實現的最小間距)；以及第二絕緣間隔物，其在氣隙與第二下部線之間。

一個或更多個實施方式可以提供一種半導體器件，該半導體器件包括：在襯底上的第一層間絕緣膜；在第一層間絕緣膜中的第一下部線和第二下部線，第一下部線和第二下部線在第一方向上延伸、彼此相鄰、并沿著與第一方向正交的第二方向間隔開；在第一下部線與第二下部線之間的第一氣隙和第二氣隙，其中第一氣隙沿著第二方向與第一下部線間隔開第一距離并且第二氣隙沿著第二方向與第二下部線間隔開第二距離。

一個或更多個實施方式可以提供一種半導體器件，該半導體器件包括：形成在襯底上且彼此相鄰的第一下部線和第二下部線；間隔物，其覆蓋第一下部線和第二下部線的相對的側壁；第一溝槽，其由間隔物限定在第一下部線和第二下部線的所述相對的側壁之間；層間絕緣膜，其覆蓋第一下部線和第二下部線以及第一溝槽的底表面和側壁以部分地填充第一溝槽；第一氣隙，其由第一溝槽和層間絕緣膜限定；以及通路，其至少部分地重疊第一下部線并穿透層間絕緣膜。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述示例性實施方式，對本領域技術人員而言，特征將變得明顯，在圖中：

圖1示出根據本公開一示例性實施方式的半導體器件的剖面圖；

圖2示出圖1中顯示的半導體器件的一部分的放大圖；

圖3示出根據本公開的另一示例性實施方式的半導體器件的剖面圖；

圖4示出圖2中顯示的半導體器件的一部分的放大圖；

圖5至8示出根據本公開一示例性實施方式的用于制造半導體器件的方法中的階段的剖面圖；以及

圖9至13示出根據本公開的另一示例性實施方式的制造半導體器件的方法中的階段的剖面圖。

具體實施方式

圖1是根據本公開一示例性實施方式的半導體器件的剖面圖。圖2是圖1中顯示的半導體器件的一部分的放大圖。

參照圖1，根據本公開一示例性實施方式的半導體器件1包括全部在第一方向d1上堆疊的襯底10、形成在襯底10上的第一層間絕緣膜100、100a和100b、形成在第一層間絕緣膜100中的第一至第三下部線101、103和105、第一至第三氣隙132、134和136、形成在第一層間絕緣膜100上的第二層間絕緣膜200、通路204以及上部線201。